一保护层沉积在一基底的表面上，其是由等离子体增强型化学气相沉积制造工艺而形成，然后在保护层上沉积一高分子层。此基底放置在一反应室内的垫块上，接着在至少一等离子体源影响下，氟碳气体导入反应室中，此氟碳气体可以是ＣＦ＃－［ｘ］气体，此至少一...

本发明公开了一种用于半导体制造的双层光阻制造方法。首先，在基底上提供一层待蚀刻层，之后在其上覆盖一层底部含硅的光阻层，并烘烤此底部含硅光阻层。对底部含硅光阻层进行处理，以在其表面形成一氧化硅层。之后，在氧化硅层上覆盖一层顶部光阻层，并烘...

本发明涉及一种防护装置及集成电路的制造方法以防护电浆损害及制造期间相关的电荷损害。此防护装置包含一动态起始电压的ＮＭＯＳ／ＰＭＯＳ对，其具有各自的栅极端耦接至形成有信道区的半导体本体。配合适当的金属连接，此结构于制造期间用以防护集成电路...

本发明涉及一种散热增益型导线架，适用于设置在一封装体内，通过导线与一半导体芯片作电性连接，包括：一芯片座，设置于上述封装体内，具有第一面及相反于上述第一面的第二面，上述第一面用于放置上述芯片；一底垫，设置于上述封装体内，并形成在上述芯片...

一种减少蚀刻制作工艺期间微粒产生的方法，适于将晶圆置于一蚀刻腔体的一乘载器上，先设定承载器为一高度以及在此高度下进行一蚀刻制作工艺。然后，在此高度下测量在不同位置的蚀刻深度的误差。接着，在不同高度下重复上述两步骤，以便产生数组不同高度的...

本发明公开了一种浅沟渠隔离区的制造方法，此方法包括下述步骤：首先在一基底上形成一硬罩幕层；接着对硬罩幕层的一个表面进行一离子轰击步骤，之后再于硬罩幕层的表面上形成一图案化的光阻层。继之，以光阻层为一蚀刻罩幕图案化硬罩幕层。然后，再进行一...

一种半导体器件的抬升源极／漏极的制造方法，此方法首先在一基底上形成一栅极结构。接着，在栅极结构两侧的基底中形成一浅接面源极／漏极。并且，在栅极结构的侧壁形成一间隙壁。之后，在栅极结构与浅接面源极／漏极上形成一硅化锗抬升层，其中形成于源极...

一种集成电路的阵列结构的制造方法，适用于将一阵列布局写入一集成电路的一只读存储器中，其中所述只读存储器至少包括多个存储单元，且所述集成电路的阵列结构的制造方法至少包括： 形成一光刻胶层覆盖在所述只读存储器上； 提供一第一道掩...

一种形成具有缩小间距的晶体管的方法，其特征在于，包括： 提供一基底，该基底上已形成有一第一导电层、一终止层以及一第二导电层； 在该第二导电层上形成一图案化的光阻层； 在该光阻层的表面上形成一第一介电层； 利用该第...

本发明公开了一种闪存元件的制造方法，此方法是于一基底上形成堆栈栅极结构与源极／漏极区后，先后在基底上形成一层内层介电层与复数层金属层间介电层。其中，内层介电层与金属层间介电层中至少有一层介电层上形成有一保护层（碳化硅层或低介电常数的旋涂...

本发明公开了一种氮化硅只读存储器的制造方法，在基底上形成掺杂复晶硅层，再在掺杂复晶硅层上形成一图案化罩幕层，并利用图案化罩幕层定义掺杂复晶硅层成为复晶硅线层，并暴露出部分基底。随后，施行一热处理，以在暴露出的基底与复晶硅线层侧壁上形成一...

一种增进晶圆清洗效率与改善工艺合格率的方法，其中增进晶圆清洗效率的方法是首先在一测试晶圆上沉积数种工艺颗粒。接着进行一清洗工艺，以清洗此测试晶圆。之后，扫描此测试晶圆，以确认此测试晶圆上哪些工艺颗粒已被完全移除，而哪些工艺颗粒保留下来。...

本发明公开了一种形成凹陷式源极／漏极接面的半导体元件的方法，其是首先提供一基底，接着在基底上形成一栅极结构，其中栅极结构的顶部形成有一顶盖层。之后在栅极结构的侧壁形成一间隙壁，并且利用顶盖层以及间隙壁为一蚀刻罩幕，在间隙壁两侧的基底中形...

本发明公开了一种形成接触窗的方法，首先在一基底上形成一介电层，并且在介电层上形成一图案化的光阻层。接着以光阻层为一蚀刻罩幕移除介电层的部分厚度，而形成一第一开口。之后在光阻层的表面上形成一第一衬层，并且以第一衬层为一蚀刻罩幕移除第一开口...

一种缩小导体图案的间距的方法，其特征在于其包括： 提供一结构，该结构包括一基底、在该基底上的一导体层、配置在该导体层上的复数个光阻图案、在每一光阻图案的侧壁上的一聚合层以及在该聚合层与该些光阻图案上的一材质层； 暴露该些光阻...

一种自行对准编码的罩幕式只读存储器的制造方法，该方法于基底中形成复数条位线后，于基底上形成复数条字线与位于字线上的复数个第一阻挡墙。接着，于第一阻挡墙、字线之间的间隙形成复数个第二阻挡墙，并定义第一阻挡墙，使第一阻挡墙转为复数个阻挡柱，...

一种接触窗的制造方法，是在一基底上先形成一层介电层，再于介电层上形成一层覆盖层，此一覆盖层为低介电常数、斥水、含碳的材质，且其介电常数低于介电层的介电常数。然后，图案化覆盖层与介电层，以形成一接触窗开口。接着，于基底上沉积一层导体层，以...

本发明提供一种堆叠多芯片元件，包括一具有凹槽或金属凸块的载板。下芯片的背面固定于凹槽中或载板上，下芯片的主动面包括由一组延长导体连接至载板的打线焊垫。上芯片的主动面朝向下芯片的主动面，并且偏置堆叠在下芯片之上，以暴露出所有芯片上的打线焊...

本发明提供一种半导体存储元件，此半导体存储元件是由一个或多个位线、一个或多个字符线以及一拟真字符线所构成，其中拟真字符线是耦接一正偏压。记忆胞及拟真胞是与一位线耦接，且是分别与一字符线及一拟真字符线耦接。至少在抹除操作期间，将拟真字符线...

一种氮化硅只读存储元件的操作方法，是在源／漏极周围提供一具重掺杂的基底。当程序化氮化硅只读存储器时，使用一较正的源极偏压或是一较负的基底偏压，借以增加基底效应而降低作为通道热电子注入程序化的电流。此外，在抹除氮化硅只读存储阵列之前，还施...