一种存储器元件的制造方法，此方法是首先在一基底上依序形成一垫氧化层以及一罩幕层，其中罩幕层暴露出部分垫氧化层。接着，进行一离子植入步骤，以在未被罩幕层覆盖的基底中形成一埋入式位线。之后，于埋入式位线上方的垫氧化层上形成一抬升位线。紧接着...

一种维修决策方法与使用其的半导体元件电性测试系统，其中，半导体元件电性测试系统包括一测试机台、一制造执行系统、一成本系统、一测试数据系统与一维修决策支持系统。其测试方法是由测试机台所得的目前各测试管生产情况的数据，利用维修决策方法中的决...

本发明公开了一种制造接触插塞的方法。介电层形成于具有导电区半导体基底上。接触开口形成于该介电层上并露出该导电区于该接触开口内。第一顺形金属层形成于该介电层与该接触开口的侧壁与底部上。第二顺形金属层形成于该第一顺形金属层上。进行一第一电浆...

一种具有Ｐ型浮置栅极的非挥发性内存的制造方法，其首先在一基底上形成一隧穿层，并且在隧穿层上形成一第一多晶硅层。接着，在第一多晶硅层两侧的基底中形成一埋入式漏极，再于埋入式漏极上方的隧穿层上形成一绝缘结构。之后，在第一多晶硅层上形成一第二...

本发明公开了一种具有照度偏光控制的光罩，包括基底、穿透控制层与反射层。在半导体集成电路工艺中，此光罩可用来将已沉积的光阻层图案化，且尤其是在将具有各种结构密度的光阻层图案化特别有用。此情况下的光罩上具有与之相对应的图案。此光罩可借着穿透...

一种罩幕式只读存储器的结构，此结构由基底、栅极、第一掺杂区与第二掺杂区所组成的双扩散源极／漏极区、信道区、编码区、介电层、与字线所构成。其中栅极位于基底上。双扩散源极／漏极区位于栅极两侧的基底中，且第二掺杂区位于第一掺杂区外周的基底中。...

一种存储器装置及其制造方法，该装置包括存储器基板、绝缘层、阻挡金属层、第二介电层及第二金属层。存储器基板包括基板、存储单元区、外围电路区、第一介电层及第一金属层，存储单元区与外围电路区形成于基板，第一介电层形成于存储单元区与外围电路区，...

本发明揭示了一种储存多重位元信息的罩幕式只读存储器，它包含一底材，具有第一与第二沟渠于其内，其中第一沟渠深度较第二沟渠深；一共形（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）介电层位于第一与第二沟渠之侧壁与底部上；一传导层充满第一与第二沟渠内；一第一掺杂区位于...

一种半导体工艺记录设备，包括一缓冲电路及一端点记录装置。该缓冲电路的输入端连接于一外界的端点设备，用以接收从该端点设备输出的第一信号。该缓冲电路的输出端则连接于该端点记录装置，用以输出代表该第一信号的第二信号，响应于该第一信号。当该端点...

一种降低微粒残留及缺陷的方法。该方法包含下列步骤：提供一半导体芯片，包含至少一具有一第一区域和一第二区域的衬底，其中第一区域以及第二区域的最上方覆盖有一氧化物－氮化物－氧化物（ＯＮＯ）层，且第二区域的ＯＮＯ层下方另包含有一氧化层、一第一...

一种罩幕式只读存储器组件及其制造方法，此方法是首先在一基底中形成一埋入式漏极，并且在基底上形成一栅氧化层。接着，于栅氧化层上形成图案化的一双层结构介电层，并且以垂直于埋入式漏极的方向于栅氧化层以及双层结构介电层上形成一导电层，而形成数个...

一种罩幕式只读存储器低热预算制作工艺，提供具有一栅氧化层于其上的基底，再于栅氧化层上形成一第一导体层，然后于基底中形成数个位线。接着，于第一导体层上形成一第二导体层，随后于基底中形成数个只读存储码。

一种双位操作的罩幕式只读存储器结构及其制造方法，此存储器结构主要是由一基底、一栅极结构、一双位编码布植区、至少一间隙壁、一埋入式漏极、一绝缘结构以及一字符线所构成。其中，栅极结构配置在基底上，且双位编码布植区配置在栅极结构两侧边底下的基...

一种浅沟渠隔离结构的制造方法，于一基底上依序形成垫氧化层、罩幕层、介电抗反射涂布层与顶盖氧化层，然后于基底中形成一沟渠。接着，再于沟渠表面形成衬氧化层，且于基底上形成绝缘层并填满沟渠。随后以罩幕层作为研磨终点，以使用光学终点侦测系统作终...

本发明涉及一种控制接触窗微距的蚀刻方法。首先，在基底表面依序覆盖一介电层、一缓冲层及一光阻图案层，其中光阻图案层具有一第一开口而露出缓冲层表面。接着，对缓冲层表面实施一第一蚀刻，以在第一开口下方形成一第二开口并露出介电层表面，其中第二开...

本发明涉及一种避免具间隙壁的接触窗中顶部微距变大的方法。首先，在基底上依序形成一第一介电层、一蚀刻停止层及一光阻图案层。接着，以光阻图案层作为罩幕来蚀刻此蚀刻停止层及第一介电层以形成一接触窗。然后，在蚀刻停止层上及接触窗表面顺应性形成一...

本发明涉及一种在半导体装置中形成无边界接触窗的方法。首先，在具有栅极结构及扩散区的基底上顺应基底外型形成蚀刻终止层及介电层。其中，栅极结构上形成有一遮蔽层。接着，在栅极结构及部分的扩散区的上方分别形成露出蚀刻终止层的第一开口及未露出蚀刻...

一种掩膜式只读存储器的制造方法，此方法提供一基底，再于基底上形成掺杂导体层。接着，图案化此掺杂导体层以形成多个条状掺杂导体层，再以热氧化法于基底与条状掺杂导体层上形成介电层，并同时于条状掺杂导体层下方的基底中形成多个扩散区。然后，于介电...

本发明提供一种具有防护环控制电路的具有第一导电性连结修正横向硅控整流器，它利用控制电路，如开关控制具有第一导电性连结修正横向硅控整流器。在正常操作时，开关为低阻抗以使保护环呈现短路于高电位并且收集电子以增加功率摧毁免疫能力。此外，在静电...

一种半导体设备真空隔绝室（ＬｏａｄＬｏｃｋＣｈａｍｂｅｒ）进气结构，包含一安装于真空隔绝室顶端的过滤装置；一与氮气源连接的限压装置；以及一通过管路与限压装置及过滤装置连接的通气装置，其中该通气装置为一通气阀，可在真空隔绝室为真空状态...