双位操作的掩模式只读存储器结构及其制造方法技术

一种双位操作的罩幕式只读存储器结构及其制造方法，此存储器结构主要是由一基底、一栅极结构、一双位编码布植区、至少一间隙壁、一埋入式漏极、一绝缘结构以及一字符线所构成。其中，栅极结构配置在基底上，且双位编码布植区配置在栅极结构两侧边底下的基底中。另外，间隙壁是配置在栅极结构的两侧，且埋入式漏极配置在间隙壁两侧的基底中。因此，埋入式漏极与双位编码布植区之间具有一缓冲区。再者，绝缘结构配置在埋入式漏极上方的基底表面，且字符线是配置在栅极结构上。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器结构及其制造方法，且特别是有关于一种。目前一种双位操作的罩幕式只读存储器已在积极的发展中。双位操作的罩幕式只读存储器顾名思义是一种可于单一存储单元中储存二位数据(two bit per cell)的存储器元件。关于此种存储器元件的结构说明如下附图说明图1所示，其为公知一种双位操作的罩幕式只读存储器结构的剖面示意图。请参照图1，公知双位操作的罩幕式只读存储器包括一基底100、一栅极结构106、一双位编码布植区110、一埋入式漏极108、一绝缘结构112以及一字符线114。其中，栅极结构106配置在基底100上，且栅极结构106包括一栅极导电层104以及配置在栅极导电层104底下的一栅氧化层102。此外，埋入式漏极108配置在栅极结构106两侧的基底100中，其作为位线用。另外，双位编码布植区110则是配置在栅极结构106两侧边底下的基底100中。在双位编码布植区110中有编码离子植入的位为一逻辑状态“1”，而在双位编码布植区110中未有编码离子植入的位为一逻辑状态“0”。绝缘结构112形成在埋入式漏极108上方的基底100表面，用以隔离两相邻的栅极结构106。而在栅极结构106的表面上则是配置字符线114，用以使相同一列的栅极结构106彼此电性连接。然而，公知的双位操作的罩幕式只读存储器，由于其埋入式漏极的掺杂浓度相当高，因此将使得双位存储单元容易受到周围其它存储单元的干扰。另外，由于公知双位操作的罩幕式只读存储器其埋入式漏极接面与双位编码布植区是相连在一起的，因此非常容易发生接面漏电流(Junction Leakage)的情形。再者，由于公知的双位操作的罩幕式只读存储器的存储单元容易受到周围其它存储单元的干扰，且容易产生接面漏电流的情形，因此公知存储器元件的操作裕度(OperationWindow)较小。
技术实现思路
本专利技术的目的就是在提供一种，以避免双位存储单元会受到周围其它存储单元的干扰。本专利技术的另一目的是提供一种，以防止接面漏电流的情形发生。本专利技术的再一目的是提供一种，以提高存储器元件的操作裕度。本专利技术提出一种双位操作的罩幕式只读存储器结构，此存储器结构包括一基底、一栅极结构、一双位编码布植区、至少一间隙壁、一埋入式漏极、一绝缘结构以及一字符线。其中，栅极结构配置在基底上，且此栅极结构包括一栅极导电层以及一栅氧化层。双位编码布植区配置在栅极结构两侧边底下的基底中。另外，间隙壁则是配置在栅极结构的两侧，而埋入式漏极配置在间隙壁两侧的基底中，其作为位线用。因此，埋入式漏极与双位编码布植区之间具有一缓冲区。再者，绝缘结构是配置在埋入式漏极上方的基底表面，字符线则是配置在栅极结构的表面上。其中，字符线是由一多晶硅层以及配置在多晶硅层表面的一金属硅化物层所构成。而间隙壁与绝缘结构可以相同或不相同的材质形成。本专利技术提出一种双位操作的罩幕式只读存储器的制造方法，此方法首先在一基底上形成一栅极结构，其中此栅极结构包括一栅极导电层以及形成在栅极导电层底下的一栅氧化层。接着，在基底上形成图案化的一光阻层，暴露出一双位编码布植区，之后以此光阻层为一植入罩幕进行一双位编码布植步骤。然后，将光阻层移除。并且在栅极结构的两侧形成至少一间隙壁。之后，以栅极结构与间隙壁为一离子植入罩幕，进行一离子植入步骤，以在间隙壁两侧的基底中形成一埋入式漏极，而形成数个双位编码存储单元。其中每一双位编码存储单元中，有编码离子植入的位为一逻辑状态“1”，而未有编码离子植入的位为一逻辑状态“0”。最后，于埋入式漏极上方的基底表面形成一绝缘结构，并且在栅极结构上形成一字符线。本专利技术的双位操作的罩幕式只读存储器，由于双位编码布植区的掺杂浓度较低，因此较不会产生双位存储单元之间彼此干扰的问题。本专利技术的双位操作的罩幕式只读存储器，由于其埋入式漏极接面与双位编码布植区之间具有一缓冲区，而非彼此相连在一起，因此可防止接面漏电流的情形。本专利技术的双位操作的罩幕式只读存储器，由于双位存储单元之间不会互相干扰，且不会发生接面漏电流的情形，因此可提高存储器元件的操作裕度。100、200基底 102、202栅氧化层104、204栅极导电层106、206栅极结构108、222埋入式漏极110双位编码布植区112、224绝缘结构114、226字符线208口袋型离子植入步骤210口袋型掺杂区212光阻层214双位编码布植步骤216双位编码布植区218间隙壁220离子植入步骤请参照图2A，首先在一P型基底200上形成一栅极结构206。其中，栅极结构206包括一栅极导电层204以及形成在栅极导电层204底下的一栅氧化层202。栅极导电层204的材质例如是多晶硅。之后，请参照图2B，进行一口袋型离子植入步骤208，以在栅极结构206两侧的基底中形成一口袋型掺杂区210。其中，口袋型掺杂区210中所植入的离子例如是硼离子。口袋型离子植入步骤208的一离子植入剂量例如为4×1012/cm2，口袋型离子植入步骤208的一离子植入能量例如为50keV，且口袋型离子植入步骤的一离子植入角度例如为30度。然后，请参照图2C，在基底200上形成一图案化的光阻层212，暴露出一双位编码布植区216。之后，以光阻层212为一植入罩幕进行一双位编码布植步骤214。其中，双位编码布植区216中所植入的一编码离子例如是硼离子。且双位编码布植步骤214的一离子植入剂量例如为1×1013/cm2，双位编码布植步骤214的一离子植入能量例如为25keV，且双位编码布植步骤214的一离子植入角度例如为30度。接着，请参照图2D，将光阻层212移除之后，在栅极结构206的两侧形成一间隙壁218。其中，间隙壁218的厚度例如是400埃至600埃，较佳的是500埃左右。且间隙壁218的材质可以是氮化硅或氧化硅等介电材质。而形成间隙壁218的方法例如是先在基底200上形成一共形的介电层(未绘示)，之后再回蚀刻此介电层而形成。之后，请参照图2E，以间隙壁218与栅极结构206为一植入罩幕进行一离子植入步骤220，以在间隙壁218两侧的基底200中形成一埋入式漏极222，而形成数个双位编码存储单元。其中，埋入式漏极222中所植入的离子例如是砷离子。且离子植入步骤220的一离子植入剂量例如为1.5×1015/cm2，离子植入步骤220的一离子植入能量例如为20keV。且每一双位编码存储单元中，有编码离子植入的位为一逻辑状态“1”，而未有编码离子植入的位为一逻辑状态“0”。由于本专利技术在栅极结构206的两侧形成有间隙壁218之故，因此所形成的埋入式漏极222的接面与双位编码布植区216之间并未彼此相连接，意即埋入式漏极222的接面与双位编码布植区216之间具有一缓冲区，而在此缓冲区中包括先前步骤所形成的口袋型掺杂区210。如此，便可避免公知因埋入式漏极与双位编码布植区相连在一起而易产生接面漏电流的情形。再者，由于本专利技术的双位编码布植区216与口袋型掺杂区210中的掺杂浓度皆较低，因此，本专利技术可避免双位存储单元之间彼此互相干扰的情形接着，请参照图2F，在埋入式漏极222上方的基底200表面形成一绝缘结构224，用以隔离相邻的两栅极结构206。其中，绝缘结构224的材质例如是硅酸乙酯(TE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，该结构包括：一基底；一栅极结构，配置在该基底上；一双位编码布植区，配置在该栅极结构两侧边底下的该基底中；至少一间隙壁，配置在该栅极结构的两侧；一埋入式漏极，配置在该间隙壁两侧 的该基底中，其中该埋入式漏极与该双位编码布植区之间具有一缓冲区；一绝缘结构，配置在该埋入式漏极上方的该基底表面上；以及一字符线，配置在该栅极结构的表面上。

【技术特征摘要】
1.一种双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，该结构包括一基底；一栅极结构，配置在该基底上；一双位编码布植区，配置在该栅极结构两侧边底下的该基底中；至少一间隙壁，配置在该栅极结构的两侧；一埋入式漏极，配置在该间隙壁两侧的该基底中，其中该埋入式漏极与该双位编码布植区之间具有一缓冲区；一绝缘结构，配置在该埋入式漏极上方的该基底表面上；以及一字符线，配置在该栅极结构的表面上。2.如权利要求1所述的双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，该间隙壁的厚度为400埃至600埃。3.如权利要求1所述的双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，更包括一口袋型掺杂区，配置在该缓冲区中。4.如权利要求3所述的双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，该口袋型掺杂区中所掺杂的离子包括硼离子，且该口袋型掺杂区中所掺杂的剂量为4×1012/cm2。5.如权利要求1所述的双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，该双位编码布植区中所植入的离子包括硼离子，且该双位编码布植区所植入的剂量为1×1013/cm2。6.如权利要求1所述的双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，该埋入式漏极中所掺杂的离子包括砷离子，且该埋入式漏极中所掺杂的剂量为1.5×1015/cm2。7.如权利要求1所述的双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，该间隙壁的材质与该绝缘结构的材质相同。8.如权利要求1所述的双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，该间隙壁的材质与该绝缘结构的材质不相同。9.如权利要求1所述的双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，该栅极结构包括一多晶硅层以及在该多晶硅层底部的一栅氧化层。10.如权利要求1所述的双位操作的罩幕式只读存储器结构，其特征是，该位线包括一多晶硅层以及在该多晶硅层顶部的一金属硅化物层。11.一种双位操作的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征是，该方法包括在一基底上形成一栅极结构；在该基底上形成图案化的一光阻层，覆盖住该栅极结构，并暴露出一双位编码布植区；以该光阻层为一植入罩幕进行一双位编码布植步骤；移除该光阻层；在该栅极结构的两侧形成至少一间隙壁；以该栅极结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘慕义，詹光阳，叶彦宏，范左鸿，卢道政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]