一种晶圆表面与工艺微粒与缺陷的监控方法，其中晶圆表面微粒与缺陷的监控方法是利用一量测机台以监测一晶圆实质有效表面上的微粒与缺陷。在监测之前，先在晶圆实质有效表面上形成一实质均匀的共形披覆层，并控制其厚度以使晶圆表面上可能有效的微粒与缺陷...

一种具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构，此结构是由基底、氮化硅只读存储器存储单元、Ｎ＃＋［＋］掺杂区、Ｎ＃＋［＋］保护环与多晶硅保护环构成。氮化硅只读存储器存储单元位于基底上。Ｎ＃＋［＋］掺杂区位于基底中，且Ｎ＃＋［＋］掺杂区与氮化硅...

一种单片式芯片清洗装置，此装置是由装置本体、一对上滚轮、一对下滚轮与滚轮驱动系统所构成。装置本体的中央具有一芯片入口与一芯片出口，且芯片出口设置于芯片入口的相对侧，其中装置本体内可供储存一溶液，且此溶液不会从芯片入口与芯片出口流出。一对...

一种非挥发性内存及其制造方法，其结构于一基底中具有一沟渠，而有一埋入式位线横越此沟渠，且有一字线至少覆盖此沟渠并越过埋入式位线，又于基底与字线之间有一层电荷捕捉层。

一种具高介电物质的硅／氧化物／氮化物／氧化物／硅器件架构，含有具有一源极区、一漏极区与位于其间的一信道区的一基底、位于信道区上的第一氧化层、在第一氧化层上的一氮化层、在氮化层上的第二氧化层、第二氧化层上的一栅极结构，其中在栅极结构底下的...

一种半导体器件的制造方法，此方法先定义一基底，以使此基底包括一周边区域与一核心区域。之后，将基底的周边区域遮蔽住，再于基底的核心区域之上成长第一介电层。接着，于第一介电层之上沉积一第一多晶硅层，以用以形成至少一栅极结构。之后，于第一多晶...

一种半导体器件，包括至少二晶体管、一导体层、一栅氧化层及一栅极结构。每一晶体管包括有源极区、漏极区以及浅沟渠隔离结构，其中浅沟渠隔离结构形成于源极区及漏极区之间，且与源极区及漏极区相邻接，并且将源极区及漏极区电性隔离，以使晶体管的短信道...

一种减少废气排放量的蚀刻方法。首先，提供为介电质层所覆盖的底材，并将底材放置于耦合至射频电源与Ｃ＃－［３］Ｆ＃－［８］源的反应室。然后，在反应室内以低射频功率与低压力形成一等离子体，并以此等离子体蚀刻介电质。最后，终止等离子体的存在并将...

本发明涉及一种监控高电流离子植入机的充电现象的方法，包括：放置所述监控芯片于所述高电流离子植入机台的一离子植入室中，其中所述监控芯片系由一半导体基底、一氧化层作为隔离层与一多晶硅层作为充电层组成。对所述监控芯片进行一既定条件的离子植入。...

本发明涉及一种减少非挥发性内存的电荷流失的方法，利用一反应性气体与制造流程中残留于基底表面的离子以及不稳定自由基相结合，或利用一阴离子基与制造流程中残留于基底表面的阳离子形成稳定的离子键结，以避免非挥发性内存中的电荷损失。

本发明涉及一种处理半导体设备变更制造流程属性的方法，适用于一半导体制造流程控制系统，此系统至少包括：一设备数据模块，用以储存多个制造流程属性数据，以及一制造流程数据模块，用以储存对应这些制造流程属性数据的制造流程数据，且每一制造流程数据...

本发明涉及一种虚拟接地架构的闪存，包括一第一型基底；形成于第一型基底的二第二型掺杂区；分别包括穿隧介电层、浮置栅、介电层、控制栅，且形成于第一型基底的表面，并位于第二型掺杂区之间的一堆栈栅极结构；一仅位于第二型掺杂区的一侧与第一型基底交...

本发明涉及一种半导体存储器（幕罩式只读存储器）的制造方法，包括下列步骤：形成一垫氧化物层与一底部抗反射层于一半导体基底上；于底部抗反射层上形成一光阻层；在光阻层上定义图案并形成多个开口对应于位线延伸方向；以所述光阻图案为幕罩，植入砷离子...

本发明提供一种浅槽隔离方法。该方法包括下列步骤：（１）于一衬底表面形成一经构图的掩蔽层，该掩蔽层包含有一缓冲氧化层以及一氮化硅层形成于该缓冲氧化层上；（２）蚀刻未被该掩蔽层覆盖的该衬底，以形成一槽区域；（３）形成一高温氧化膜，覆盖于该槽...

本发明提供一种改善浅槽隔离可靠度的方法。该方法包含有下列步骤：（１）在一衬底表面形成一经构图的掩蔽层，该掩蔽层包含一缓冲氧化层以及一氮化硅层形成于该缓冲氧化层上；（２）蚀刻未被该掩蔽层覆盖的该衬底，以形成一槽区域；（３）同时氧化该槽区域...

本发明提供一种高ＧＣＲ堆叠栅极非挥发性存储器的制作方法，具有一ＩＳＳＧ膜，能够有效降低快闪存储器随机位故障。本发明是利用一ＩＳＳＧ技术于一氮化硅牺牲层表面、一ＰＬ１层表面形成该ＩＳＳＧ膜，因此可以直接湿蚀刻一ＨＤＰ氧化层，这是由于该ＩＳ...

一种沟道式编码植入的罩幕式只读存储器的制作方法，半导体基底的表面上含多个沿第１方向延伸的长方条结构，两相邻长方条结构之间开口下方的半导体基底内部包含沿第１方向延伸的沟道；在两相邻长方条结构之间开口内形成沿第１方向延伸的介电层，使介电层填...

本发明涉及一种改善非挥发性存储单元可靠度的方法及其结构，其方法是在存储单元的栅极结构侧壁上依序形成有厚度约１００埃的一垫氧化层间隙壁、厚度约２００埃的一氮化层间隙壁，以及厚度约２０００埃的一氧化层间隙壁。如此，由于该氮化层间隙壁可以减少...

本发明涉及一种阻挡氢离子渗透的金属层间介电层的制造方法，该方法形成一折射系数（ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅｉｎｄｅｘ）为１．６－１．６４的第一富硅氧化层于一填充氧化层上，然后再形成一折射系数为１．４９－１．５５的第二富硅氧化层于该第一富硅氧化...

本发明涉及一种非易失存储单元的抹除方法，非易失存储单元具有基底、第一源极／漏极以及第二源极／漏极，第一源极／漏极与第二源极／漏极之间具有信道区，信道区上具有栅极，而栅极与通道区之间具有位于第一绝缘层以及第二绝缘层之间的非导电性电荷捕捉材...