本发明主要是提供一方法以在集成电路上局部形成硅化金属层，并且避免同一字元线上存储器间形成硅化金属而造成遗漏电流现象。本发明的方法主要是利用设计法则适当地安排元件间的距离以达到目的。在一实施例中为在集成电路上形成硅化金属但是要避免在同一字...

一种ＳＮＮＮＳ类非挥发性存储胞的数据写入与清除方法。本发明是通过从汲极端射出通道热电子至一中间氮化硅层以执行数据写入，而通过从汲极端射出通道热空穴以执行数据清除。在低操作电压下，对于数据的写入与清除，本发明的ＳＮＮＮＳ类非挥发性存储胞可...

一种具有多重闸极绝缘层的非挥发性存储器组件，它包括形成于闸极与通道区域之间的一闸极绝缘层构造。此闸极绝缘层构造包括一顶部氮化硅层、一中间氮化硅层及一底部氮化硅层。当电场施予闸极与通道区域一侧的汲极区时，热载子从汲极区直接穿越底部氮化硅层...

一种转移图形的方法，是通过两阶段曝光将图形由光罩转移至晶片表面的光阻层上。第一阶段为对欲形成图形区域的光阻层，以一第一光源能量及第一光罩进行第一阶段曝光，以改变光阻层的材料性质。第一光罩包含第一图形。第二阶段使用一含有第二图形的第二光罩...

本发明有关一种具有埋置式扩散区氧化层的存储胞的形成方法，此方法至少包含下列步骤。首先提供一底材，该底材具有一闸极氧化层与一第一导体层于其上，接着形成数个沟渠进入该闸极氧化层与该第一导体层以曝露出该底材。然后以一介电材料填满该沟渠，且达一...

一种防止嵌入式非挥发性存储器漏电流的方法。此嵌入式非挥发性存储器，在底材上包含一存储器阵列区以及一逻辑元件区，且一氧化层／氮化层／氧化层（ＯＮＯ层）在存储器阵列区，一闸氧化层在逻辑元件区。本发明的方法是利用分开两次微影制程条件，使得在存...

本发明揭示了一种标准机械接口与制作机台之间的保护电路。首先提供一用于半导体产业的制作机台，一保护电路与一具有标准机械接口的自动化运货机台。保护电路系统至少包含一电压感测元件、一逻辑组件与两电子发光元件。保护电路系统是通过电压感测元件接收...

一种具有氮化物穿隧层的非挥发性内存的结构，此结构包括基底、氮化物穿隧层、电荷陷入层、介电层、栅极导体层、源极区、漏极区以及信道区。其中氮化硅穿隧层设置于基底上，电荷陷入层设置于氮化硅穿隧层上，介电层设置于电荷陷入层上，栅极导体层设置于介...

一种平坦型非挥发性半导体存储元件，包括多个平行排列的字元线（ｗｏｒｄｌｉｎｅ），存储元件具有多个单元，各个单元包括主位元线、接地线、多个子位元线、四个存储细胞行、及多个选择开关。主位元线是与此些字元线交叉。接地线是与此些字元线交叉。第...

本发明揭示了一种新的半导体元件的制造方法。首先提供一半导体底材，于半导体底材的边界中分别形成一绝缘区且半导体底材上形成一介电层。然后，进行一第一离子植入步骤以形成一离子植入区于两绝缘区的间的半导体底材中。接着，进行一第二离子植入步骤与一...

本发明提供一种形成氮化硅间隙壁的方法，特别是有关于以原子层沉积法形成氮化硅间隙壁的沉积法。原子层沉积法的操作步骤是采用一种过量的第一种气体当作反应气体，使生成一第一种气体反应后的单层固态生成物成长在元件上，当第一种化学反应完成后，该第一...

一种形成嵌合式非挥发性存储器的方法。首先，在底材上形成氧化层／氮化层／氧化层，通过位元线微影在氧化层／氮化层／氧化层上形成光阻并执行一离子植入步骤，以在底材内形成位元线结构。接着，沉积第一多晶硅层，并通过字符线微影在第一多晶硅层上形成光...

本发明有关一种在单一反应室中形成氧化层－氮化层－氧化层的方法。本方法至少提供一底材。接着，形成第一氧化层于底材上。另外，形成第一缓冲层于第一氧化层上。然后，形成氮化硅层于第一缓冲层上。接着，形成第二缓冲层于氮化硅层上。最后，形成第二氧化...

一种制作非挥发性存储元件的方法，包括：提供一底材，具有第一介电层、导体层及第三介电层；转移埋藏扩散区图案于第二介电层与第一导体层；形成并回蚀刻第三介电层以形成间隙壁；离子布植以形成埋藏扩散区於底材内；形成并回蚀刻第二导体层；氧化第二导体...

一种具有氮化物穿隧层的非挥发性存储器的编程以及抹除方法，其中编程方法是对此存储器的栅极导体层施加一第一电压，并将基底接地，以打开氮化物穿隧层下方以及源极区与漏极区之间的信道区，再对漏极区施加一第二电压，并将源极区接地，以于信道区引发一电...

一种图案化光阻的形成方法。首先，在基底上形成第一光阻，此第一光阻适用于基底中形成沟渠。接着在第一光阻上形成第二光阻，第二光阻适用于基底中形成线型图案。然后对第一光阻与第二光阻进行曝光显影步骤以形成图案化光阻。本发明因为第一光阻位在下方，...

一种半导体元件的制造方法，此方法是在一基底中形成沟渠，再在沟渠的侧壁形成绝缘间隙壁。接着，在沟渠中形成第一磊晶层，再在第一磊晶层中形成源／漏极掺杂区。然后，在基底与第一磊晶层上形成第二磊晶层，再在第二磊晶层上形成栅极。其后，以栅极为罩幕...

一种编码型及数据型内嵌式闪存结构的制造方法。首先提供一基底。接着，形成复数条位线于该基底上，并于该些位线上形成复数个隔离结构。电荷陷入层形成于该些隔离结构之间。复数条字符线形成于该些隔离结构与该电荷陷入层上，该些字符线与该些位线呈现交叉...

本发明为一种非挥发性存储结构释放电荷累积的方法，包括下列步骤：施加电抹除信号于该晶粒上的该非挥发性存储结构；及在促使该抹除信号所致电荷扩散的条件下烘烤该晶圆；其中，该电抹除信号通过佛勒－诺德汉穿隧产生负闸极通道抹除；该电抹除信号也可通过...

本发明提供一种氮化硅内存的制造方法，其在已形成有一电子陷阱层的基底上依序形成一底部抗反射层以及一图案化的光阻层。接着以图案化的光阻层为罩幕进行一蚀刻制作工艺，移除底部抗反射层与电子陷阱层并使基底暴露出来，其中此蚀刻制作工艺在具有一源极电...