本发明有关一种形成自对准金属硅化物的方法，特别是有关于一种在部分区域形成自对准金属硅化物的方法。本发明利用一氧化物层作为遮罩层，以顺利在逻辑电路上局部形成自对准金属硅化物。在晶胞阵列的区域上，只有在闸极上形成金属硅化物，而在扩散区域则无...

本发明揭示一种形成牺牲氧化层的方法。本发明利用氧与氢氧根进行一现场蒸汽发生制程以氧化底材的有源区并形成一牺牲氧化层。此现场蒸汽发生制程可减少牺牲氧化层的应力与侵蚀的问题。与传统牺牲氧化层不同的是，以本发明形成的牺牲氧化层不会破坏底材，因...

本发明利用氧（Ｏｘｙｇｅｎ）与氢氧根（Ｈｙｄｒｏｘｙｌ）进行一ＩＳＳＧ（Ｉｎ Ｓｉｔｕ ＳｔｅａｍＧｅｎｅｒａｔｅｄ）制作过程以退火（Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）及再氧化（Ｒｅｏｘｉｄｉｚｅ）传统浅沟渠隔离侧壁氧化层。此ＩＳＳＧ制作过程可使...

本发明主要是提供一方法以在集成电路上局部形成硅化金属层。本方法可以避免在需要高电阻值的元件表面上形成硅化金属，所以不会降低这些元件的功效。本方法亦可以避免因为同一字元线上之存储器间形成硅化金属而造成的遗漏电流现象。本发明的方法主要是在不...

本发明提供一种降低浅沟渠隔离侧壁氧化层应力与侵蚀的方法，它至少包括下列步骤：提供一底材，所述底材具有一的第一介电层于及一覆盖所述第一介电层的第二介电层；形成一沟渠进入所述底材；形成一侧壁氧化层于所述沟渠的侧壁与底部；以一介电材料填满所述...

本发明提供一种沟槽结构的形成方法，至少包括：形成一垫氧化层于一底材上；形成第一多晶硅层于垫氧化层上；形成一氧化层于第一多晶硅层上；形成第二多晶硅层于氧化层上；移除部分第二多晶硅层、氧化层、第一多晶硅层与垫氧化层以暴露出部分底材；及蚀刻第...

本发明揭示了一种具有沟渠隔离结构的半导体元件。本发明利用一沟渠隔离结构以避免ＤＩＢＬ（Ｄｒａｉｎ　Ｉｎｄｕｃｅｄ　Ｂａｒｒｉｅｒ　Ｌｏｗｅｒｉｎｇ）现象、穿透漏电（Ｐｕｎｃｈ－ｔｈｒｏｕｇｈｌｅａｋａｇｅ）等现象的发生。此沟渠隔离结构可...

本发明为一种形成自对准金属硅化物的方法，特别是有关于一种在部分区域形成自对准金属硅化物的方法。本发明利用一硅层所形成的遮罩层以顺利在逻辑电路上局部形成自对准金属硅化物。在晶胞阵列的区域上，只有在闸极上形成金属硅化物，而在扩散区域则无金属...

本发明提供一在集成电路上局部形成硅化金属层的方法，所述方法主要是利用设计法适当地安排元件间的距离。为在集成电路上形成硅化金属但是要避免在同一字符线上相邻存储间形成硅化金属，则可事先在相邻两个存储间的间隔区域内形成一介电层以作为幕罩层。如...

本发明是提供一种用于防止电荷充电的氮化物只读存储器（ｎｉｔｒｉｄｅ　ｒｅａｄｏｎｌｙ　ｍｅｍｏｒｙ，ＮＲＯＭ）制作方法。该方法是先于包含有存储器区以及周边区的基底表面形成由底氧化（ｂｏｔｔｏｍ　ｏｘｉｄｅ）层、氮化硅层以及上氧化（ｔｏｐ...

本发明揭示一种形成具有（金属氧化物、氮氧化物半导体）（ＭＯＮＯＳ）（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ　Ｎｉｔｒｉｄｅ－Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）元件与混合信号（Ｍｉｘｅｄ－Ｓｉｇｎａｌ）电路的集成电路的方法。本发明以较少的制作过程步...

一种形成金属硅化物的方法，至少包括：提供表面为起伏不平的半导体结构所覆盖的底材；依序形成硅层与金属层在半导体结构上；形成覆盖层在金属层上；以及执行热处理程序，使得金属层与硅层反应而形成金属硅化物层，在此金属硅化物层的热稳定性较覆盖层的热...

一种减小光阻粗糙的方法，至少包括：提供具有凹槽并位于底材上的光阻；填补凹槽直至凹槽为附加材料所填补；移除位于光阻表面上及底材上的附加材料；处理附加材料借以增强附加材料与光阻间的附着性。并且，当附加材料的填补可以精确到只有凹槽被填补时，可...

一种氮化钛层的制造方法，是在温度不同的反应室中分别进行ＭＯＣＶＤ氮化钛层的沉积以及对氮化钛层的含氮等离子体的处理，由于氮气等离子体处理的温度较低，将可减少半导体组件的热预算以及组件结构的热应力，避免下层金属导线熔融挤出与氮化钛层的剥裂。...

本发明是有关于一种等离子体蚀刻气体，适用于在蚀刻氧化硅的蚀刻机台中蚀刻硅层，此气体至少包括部分取代的氟烷气体、全取代的氟烷气体、氩气与氮气。其中部分取代氟烷气体与全取代氟烷气体的比例为３／１至１５／１左右。

本发明是有关于一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其步骤如下：首先在已形成栅极及其侧壁的间隙壁的基底上进行一源／漏极离子植入，以在间隙壁侧边的基底内形成源／漏极区。接着在栅极与源／漏极区表面形成自行对准金属硅化层。随后除去部分间隙壁，...

一种应用硅过饱和氧化层的双镶嵌制程及其构造，双镶嵌制程是在具有金属连线的半导体底材上依序形成第一介电层、作为蚀刻阻绝层的硅过饱和氧化层以及第二介电层，利用微影蚀刻技术进行蚀刻，得到具有沟槽及介层洞的双镶嵌构造轮廓。本发明以硅过饱和氧化层...

一种利用档片图案制造活动区以稳定黄光制程的方法，先提供一活动区基础图案层，再配合一档片图案附属扩散层，并利用逻辑操作将此档片图案附属扩散层与活动区基础图案层连结在一起，以将档片图案附属扩散层填补入活动区基础图案层的空旷区来增加活动区的图...

本发明是有关于一种非挥发性内存的结构，包含一基底、一堆栈栅结构以及一源／漏极区。其中，堆栈栅结构位于基底上，源／漏极区位于堆栈栅结构两侧的基底中，且基底内有一垂直阶梯信道掺杂轮廓。此垂直阶梯信道掺杂轮廓分为基底表面下的第一掺杂区，以及位...

本发明是有关于一种Ｐ信道ＳＯＮＯＳ内存元件的程序化及抹除操作方法，该内存元件在一基底上具有一电荷捕捉层、一位于电荷捕捉层上的栅极层、两个位于电荷捕捉层两侧的基底中的掺杂区。这两个掺杂区分别被设定为漏极区与源极区。当要进行程序化动作时，对...