一种检测接触窗蚀刻结果的方法，可包含以下步骤：首先将接触窗蚀刻完成后的芯片置于扫描电子显微镜（ＳＥＭ）下，以低倍率（５００至２Ｋ）进行扫描，时间约５至１０秒，由于硅与二氧化硅或其它绝缘材质在电子束照射后，因为不同材质会有不同的充电（Ｃｈ...

一种形成浅沟渠隔离的方法包括：提供一底材，其上具有第一介电层及第一导体层；形成第二介电层覆盖第一导体层；形成第二导体层覆盖第二介电层；形成一沟渠进入第二导体层、第二介电层、第一导体层、第一介电层与底材；共形生成一线性介电层覆盖沟渠；以一...

一种形成金属－绝缘层－金属电容器的方法，包括：提供一具有第一区域与第二区域的底材；形成一覆盖底材的第一导体层；形成一覆盖第一导体层的第二导体层；转移数个沟渠图案进入第二导体层与第一导体层，以形成数个沟渠于第一区域与第二区域内；共形生成一...

本发明提供一种形成一闪存晶胞的方法，至少包含下列步骤。首先，提供一底材；然后，依序形成一第一多晶硅层和一氮化层在底材上；接着，移除部分的氮化层和第一多晶硅层以形成数个洞并暴露出底材；下一步，在这些洞内形成一隔离介电质，其中隔离介电质在这...

本发明有关一种避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法。本发明的重点是形成具有多重氧化速率的浮动闸结构，其中浮动闸结构越朝底部分，氧化速率越高。例如，形成一浮动闸结构其具有两层不同掺杂浓度的多晶硅层，或两种不同结晶性的多晶硅层，且越底层多晶硅...

一种以单一晶片制程制作一闸极介电层的方法，所述方法包括分别在一单晶片反应室及一单晶片快速加热反应室进行的两步骤：首先，置放一单一硅晶片于单晶片反应室中，并进行一氮化步骤以形成一含氮氧化硅层于硅晶片的表面上。然后，置放硅晶片于单晶片快速加...

本发明揭示一种利用有机材质形成金属硅化物保护电路的方法，所述方法包括：首先在周边电路区的闸极元件与存储阵列的闸极元件上同时形成一阻障层；接着，形成一有机层于前述结构上；移除有机层与阻障层直到曝露存储阵列的闸极元件与周边电路区的闸极元件的...

本发明揭示一种用于半导体组件制造的去除聚合物保护层的方法，所述方法包括：首先形成一光阻层以覆盖位于内存阵列的氧化物层与限定位于周边电路区的氧化物层上的光阻层；接着，将光阻层当成一蚀刻罩幕进行一干蚀刻制程以蚀刻周边电路区的氧化层与导电层直...

一种半导体组件的制造中形成一浅沟槽隔离的方法：首先提供一半导体底材，其上具有一垫氧层；然后，形成一氮化物层于垫氧层上；接着，形成且限定一光阻层于氮化物层上；之后，进行一残余蚀刻制程蚀刻氮化物层以形成一开口与一氮化物层的凸状残留物；然后，...

一种制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括：提供一至少包括一底材晶片；形成一渠沟于底材内；形成一闸极于渠沟的底部；形成一间隙壁于闸极的两侧并填满渠沟；植入离子于间隙壁两侧的底材内；进行第一快速加热制程以在底材内形成一源极／漏极区域...

一种金属氧化物半导体，至少包括：栅极、第一掺杂层、第二掺杂层、源极与漏极。具有第一导电性与第一掺杂浓度的第一掺杂层位于底材中并位于栅极下方。具有第一导电性与大于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二掺杂层位于第一掺杂层下方。源极与漏极是位...

一种静电放电（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｓｔａｔｉｃ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）保护装置。本发明的静电放电保护装置是利用电阻电容（Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ；ＲＣ）电路来区分电源开启（Ｐｏｗｅｒ－Ｏｎ）瞬间所引发的过冲（Ｏｖｅ...

一种可改善浅沟槽边角薄膜生长均匀性的二氧化硅制造方法。首先，将氢气和氧气通入内有硅基底的反应室中。然后，将反应室的温度快速升高，并保持反应室的压力在低压状态下，使反应室内的氢气和氧气得以反应产生氧原子，其中氧原子可与硅基底反应，而在硅基...

一种快擦写内存的遂道氧化膜的制造方法。首先，提供一反应室，反应室内置有一芯片。接着，对反应室通入氢气和氧气，并将反应室的压力降至约５至１５托耳，且将反应室的温度升至约８５０℃至１１００℃，使氢气和氧气得以反应产生多个氧自由基，其中氧自由...

一种具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法，它包括：一第一介电层形成于具有一第一导电性的一半导体基底上，一第一导电层形成于第一介电层上，一第二介电层形成于第一导电层上，其中第二介电层依序堆叠形成一第一二氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧...

一种单芯片式垫氧化层成长方法。首先，将一硅芯片送入一反应室中，并通入氢气和氧气。接着，以快速升温的方式将反应室内温度升至约８５０℃至１１００℃，使硅芯片上长出一层二氧化硅层，其中该反应室升温后的最终温度误差可控制在１至２度以内。

一种去除高密度等离子体介电层缺陷的方法，在形成高密度等离子体介电层之前，先在半导体基底上形成一层高温氧化硅（ＨＴＯ）层以作为缓冲层，利用高温氧化硅层可去除氮化硅顶盖层与高密度等离子体介电层之间的缺陷，缓和两者之间的应力，并且可降低位线的...

本发明揭露一种在半导体制作过程中通过氘以形成多晶硅层的方法。首先，提供半导体底材，其中半导体底材上具有介电层。然后，分解包含氯与氘的硅烷以形成多晶硅层在介电层上。

本发明主要是提供一方法以在集成电路上局部形成硅化金属层。本方法可以避免在需要高电阻值的元件表面上形成硅化金属，所以不会降低这些元件的功效。本方法亦可以避免因为同一字元线上的存储器间形成硅化金属而造成的遗漏电流现象。本发明的方法主要是在不...

本发明为一种形成自对准金属硅化物的方法，特别是有关于一种在部分区域形成自对准金属硅化物的方法。本发明利用一氮化物层作为遮罩层，以顺利在逻辑电路上局部形成自对准金属硅化物。在晶胞阵列的区域上，只有在闸极上形成金属硅化物，而在扩散区域则无金...