本发明是有关一种图案化一半导体装置间距的方法及缩小半导体装置间距的方法，揭露了一种在目标薄层上形成图案层的方法。图案化一半导体装置间距的方法，包含：形成一第一图案层于目标层之上，包含复数第一与第二柱体，以第一距离分隔；形成复数间隙壁于各...

一种存储器的操作方法，该操作方法包括下列步骤：首先，提供一存储器，存储器包括一电荷储存结构。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平高于一擦除电平。然后，注入第二型电荷至电荷储存结构，使存储器的阈值电平低于一设定位电平。...

本发明公开了一种执行存储器的操作的方法。该存储单元包含一衬底，一第一极性区及一第二极性区。该第一极性区及该第二极性区形成在具有一沟道区域的衬底上。一介电层形成于该沟道区域上，以及一导电栅极形成于该介电层上。该方法包含对该导电栅极于一第一...

本发明的半导体元件包括一半导体基板。该半导体基板包括一第一反型区、一第二反型区及位于第一反型区与第二反型之间的一沟道区，位于沟道区和第一反型区及第二反型区上的一第一绝缘层，位于第一绝缘层上的一俘获层，位于俘获层上的一第二绝缘层。上述半导...

本发明公开了一种存储装置。此存储装置包括一存储元件，以及与此存储元件接触的一第一界面结构及一第二界面结构。第一界面结构用于将此存储元件电、热耦接于存取电路，并且第一界面结构于存储元件与存取电路之间具有一第一热阻抗。第二界面结构用于将存储...

本发明涉及有着一ＯＮＯ上介电层的非易失性存储器半导体元件。一种非易失性存储单元，包含一硅衬底含有一主要表面，一源极区域位于该硅衬底中的一部分，一漏极区域位于该硅衬底中的一部分，以及一阱区域位于该硅衬底中的一部分并介于该源极和该漏极区域之...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。首先，形成一第一氧化层及一氮化层于一衬底上，衬底具有一第一区域及一第二区域。氮化物层中包含有氮原子。其次，氧化氮化层。氮化层中一部分的氮原子移动至第一氧化层及衬底中，且氮化层的上部转化（ｃｏｎｖｅ...

本发明公开了一种磁性存储器及其制造方法与写入方法。磁性存储器包括一第一磁性隧穿结构及一第二磁性隧穿结构。第二磁性隧穿结构与第一磁性隧穿结构电性连接，且第二磁性隧穿结构的体积小于第一磁性隧穿结构的体积。根据本发明，每一磁性存储器具有二位的...

本发明公开了一种电阻式存储器及其制造方法。该电阻式存储器的制造方法包括下列步骤。首先，形成第一导电材料层于基板上。然后，蚀刻第一导电材料层形成一具有第一表面的第一信号线。接着，形成一具有第二表面的存储材料层，存储材料层并通过第一表面接触...

本发明涉及一种电流限制的相变化存储器装置结构，其中使用具有１０ｎｍ级尺寸的纳米粒子层以形成电流限制层或作为用于自下部绝缘体层形成电流限制层的硬掩模。该纳米粒子优选在底表面上自我对准和／或自我平坦化。该电流限制层可形成于底导电板内、相变化...

一种具有工作件转送保护功能的半导体制程设备。半导体制程设备至少包括一制程工具，其包括一可移动平台用以支撑一工作件；一介面装置，其包括一自动传送装置用以传送工作件往返于制程工具的可移动平台及介面装置之间；一感应装置，用以检查制程工具的可移...

一种集成电路元件包装承载带，其特征在于，至少具有一用以承载一集成电路元件的凹槽，所述凹槽底部的两相对侧边分别形成一斜角。

一种有较大制造窗口的掩模式只读式存储器的程序化方法，其特征在于将原本用于离子注入程序化方法的程序掩模Ａ，利用逻辑运算的原理一分为两个图案极为平均的Ｃ掩模及Ｄ掩模，而后以此Ｃ掩模及Ｄ掩模的与来取代原来的Ａ掩模，由于Ｃ掩模及Ｄ掩模的与等于原...

一种光刻校正的方法，用当图形呈现一凹角２１时，所显像后的光刻胶便会有残留，反之，如为一凸角时，便会有过蚀的情形，推衍出首先将集成电路分割，而后对每一分割块的四个角进行分析，判断此四个角与周围的图形间为凸角、或凹角、或是平坦状态，而后依其...

一种防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法，其步骤如下：首先提供待清洗的晶片，此晶片上已形成有一金属层，再将晶片置入化学清洗装置中，以化学清洗液清洗晶片表面，同时以阴极保护法保护金属层。接着，洗净晶片上的化学清洗液，再干燥晶片即完成。

一种镶嵌结构的制造方法，提供一个基底，再在基底上形成介电层，其中此介电层的材质是氮氧硅化物，且介电层的反射率在１．５５至１．７４左右；接着，在介电层中形成开口，再在基底上形成填满开口的金属层；然后，以介电层表面为研磨终点，以化学机械研磨...

一种闪存的制造方法，对已形成有堆栈栅的基底，以堆栈栅为罩幕进行一浅接面掺杂步骤，在堆栈栅两侧的基底中形成浅接面掺杂区。接着，在基底上形成罩幕层，其中罩幕层覆盖在堆栈栅表面和侧壁，且裸露部分的浅接面掺杂区。然后，以罩幕层为罩幕，对基底进行...

一种半导体金属蚀刻工艺的方法。是在蚀刻金属层与抗反射层时，先运用一规范特定的工艺参数的抗反射层蚀刻步骤，以蚀刻抗反射层与一特定厚度的部分该金属层，之后再进行金属层的蚀刻。

一种具有浮置栅的内存组件的制造方法，提供一个基底，并对基底进行一信道掺杂步骤，以使预定形成的内存组件的实际起始电压值大于预定形成的内存组件的预定起始电压值。接着，依序在基底上形成堆栈栅以及源／漏极区以完成内存组件的制作。通过实际起始电压...

本发明公开了一种半导体晶片的清洗方法，该方法包括：在化学清洗槽中，利用化学清洗液清洗晶片后，把经洗净后的晶片放在已充满去离子水的洗净槽中，然后在洗净槽中加入中和试剂，使晶片表面的酸碱值趋近中性，随后以去离子水清洗晶片，去除残留于晶片表面...