本发明一种单次可程序化内存阵列，其包含在第一行方向中延伸且安置于第一高度的第一行导体、在第二行方向中延伸且安置于第二高度的第二行导体和在列方向中延伸且安置成邻近于所述第一行导体并邻近于所述第二行导体的列导体。所述阵列也包含覆盖所述列导体...

本发明公开一种堆叠非易失性存储器件，其包括多层彼此堆叠的位线层与字线层。位线层包括多条位线，这些位线可以利用先进的制造技术，而有效率地且经济地制造此器件。此器件可结构为适用于与非（ＮＡＮＤ）操作中。

一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。示例的实施例包含独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。

一种在半导体器件的制造中形成防反射涂层的工艺，包括形成经改进的防反射涂层，其可以阻止形成晶冠缺陷及桥接，也可以提供防反射涂层与下层金属层间较佳的粘着性。经改进的防反射涂层可以包括两层氮化钛防反射涂层、氮化钛／钛／氮化钛夹层结构、经改进的...

本发明公开可编程电阻随机存取存储器单元，其电阻根据其接触点的尺寸而定。低接触电阻的制造方法与集成电路也在本发明中进行了公开，其具有较小尺寸的接触点。

本发明涉及一种磁性随机存取存储（ＭＲＡＭ）器件，其包括多个磁性随机存取存储结构，每一磁性随机存取存储结构包括邻近于高磁导率导线的磁阻性存储单元、以及用以存取此磁阻性存储单元而进行读取与写入操作的单一晶体管。此高磁导率导线用作读取与写入操...

一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失性存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。实例的实施例包含独立的存储器单元、此类存储器单元的阵列、操作此存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。

本发明涉及一种用以对称地沉积金属层于金属层定位键上的方法，其包括使用金属有机化学气相沉积工艺（ＭＯＣＶＤ）以形成此金属层。对称金属层形成之后，金属层定位键可被准确地检测，且可改善此金属层定位键覆盖结构的位移现象。

一种包含垂直存储器单元的存储器阵列，在单元之间不需要任何的隔绝层。因此，可形成一种非常小型化、高密度的存储器阵列。存储器阵列中的每一存储器单元则配置为每单元可储存四位数据。多阶电荷技术则用以增加每个单元的位数，进而增加存储器阵列的密度。

一种相变存储单元的制造方法，在此存储单元中的一个相变存储元件的截面积可由下电极的第一尺寸及蚀刻工艺所控制的第二尺寸来控制。接触窗的面积为第一尺寸和第二尺寸之积。此方法可以制造非常小的相变存储单元。

一种根据掩模修剪在较宽结构上制造自对准的较窄结构的方法。制造存储器件的方法，包含在包含有使用前段工艺生成的电路的衬底上形成电极层。此电极层包括第一电极和第二电极，其间有着绝缘构件以作为每个相变化存储单元。存储材料补钉形成于横越绝缘构件的...

本发明提供一种可编程电阻存储器，例如相变化存储器，其包含具有细长侧壁的有效引脚的存储元件。侧壁有效引脚包含可编程电阻材料，例如相变化材料。在本发明的一个目的中，描述形成存储单元的方法，其包含形成堆叠，此堆叠包含第一电极、绝缘层以及第二电...

一种记忆单元阵列，包括一半导体基板、多个记忆单元、多条栅极控制线以及至少一条字元线。其中记忆单元包括一源极区、一漏极区、一第一栅极以及一第二栅极，且上述的记忆单元以多条行以及至少一条列配置于半导体基板上。而多条栅极控制线，对应于上述记忆...

一种非挥发性记忆体的制作方法，包括先于基底中形成二开口。接着，于二开口之间的基底上形成堆叠闸极结构，堆叠闸极结构包括第一介电层、电荷储存层、第二介电层与第一导体层。之后，于二开口底部及侧壁形成衬层，衬层的顶部表面低于基底的顶部表面。继之...

一种非挥发性记忆体的制造方法，首先于基底上依序形成介电层、第一导体层及罩幕层。图案化罩幕层、第一导体层及介电层，以形成浮置闸极与多个开口。然后，于开口的侧壁上形成间隙壁。于各开口下方的基底中形成源极／汲极区。进行热氧化制程氧化各开口所暴...

本发明公开一种存储器件，包括：存储元件阵列，其形成于半导体晶片上；字线平行阵列，其沿着第一方向延伸、并将每一存储元件连接至数据来源；以及位线平行阵列，其沿着第二方向延伸、并将每一存储元件连接至数据来源，第二方向与第一方向形成锐角。每一位...

磁性随机存取记忆体（ＭＲＡＭ）记忆胞包含ＭＲＡＭ元件以及单晶自对准二极管。ＭＲＡＭ元件与单晶自对准二极管经由接触窗而连接。在ＭＲＡＭ元件上方仅定位一个金属线。定位于邻近接触窗的相对侧壁之处的第一间隙壁以及第二间隙壁定义了单晶自对准二极管...

一种非挥发性记忆元件的操作方法。此记忆元件包括多个记忆单元。记忆单元具有半导体基底、堆叠层以及设置于基底表面下、且以通道区分隔的源极与汲极区。堆叠层包括绝缘层、电荷储存层、多层穿隧介电结构以及闸极。绝缘层设置于通道区上。电荷储存层设置于...

本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构，前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位元。在本发明的第一观点，描述在单一存储单元二位元的存储器中增大存储器操作裕度的第一方法，其通过施加正栅极电压＋...

本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构，前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位。在本发明的第一观点，描述在单一存储单元二位的存储器中增大存储器操作裕度的第一方法，其通过施加正栅极电压＋Ｖｇ...