高密度小型存储器阵列的系统及其制造方法技术方案

一种包含垂直存储器单元的存储器阵列，在单元之间不需要任何的隔绝层。因此，可形成一种非常小型化、高密度的存储器阵列。存储器阵列中的每一存储器单元则配置为每单元可储存四位数据。多阶电荷技术则用以增加每个单元的位数，进而增加存储器阵列的密度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造垂直存储器阵列的方法，所述方法包含：提供衬底；在所述衬底中形成第一沟槽；在所述衬底中形成第二沟槽；在所述衬底中进行离子注入，以在所述第一及第二沟槽之间形成接合（ｊｏｉｎｔ）漏极区；在所述衬底及 所述第一沟槽上形成电荷捕捉结构；在所述衬底及所述第二沟槽上形成电荷捕捉结构；以及在所述第一及第二沟槽中形成多晶硅栅极层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐子轩，李明修，吴昭谊，郭明昌，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]