本发明揭示三维存储装置及其制造和操作方法。存储装置包括多个平面的存储器阵列，每一存储器阵列包括多个存储器单元。所述存储装置还包括在每一平面中耦合到所述存储器单元的多条字线和位线，和至少一个晶体管以选择所述存储器阵列中的至少一个。

本发明是有关于一种半导体内连线结构与ＮＯＲ型快闪记忆体及其制造方法。该半导体内连线结构，包括一基底、一层绝缘层及一层导体层。其中，在此基底中已形成有一沟渠，而绝缘层配置于沟渠内。再者，导体层配置于绝缘层内而不与沟渠表面接触，且被绝缘层所...

本发明的半导体元件包括一半导体基板。该半导体基板包括一第一反转区、一第二反转区及位于第一反转区与第二反转区之间的一通道区。上述半导体元件还包括一控制闸极、至少一次闸极，而控制闸极位于上述通道区的上方，且次闸极位于上述第一反转区和第二反转...

本发明披露存储单元连同其阵列及操作方法，上述这些存储单元包含：半导体基板，其具有设置于该基板的表面下且由通道区分离的源极区及漏极区；隧道介电结构，其设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有小空穴穿隧势垒高度的至少一层；电荷储存层，其设置...

一种增加化学机械研磨制程的研磨终点准确性的方法，此方法是在化学机械研磨制程之前进行。首先提供一测试片，测试片上已形成有待研磨层以及位于待研磨层下方的材料层。接着提供具有一波长的测试光束，照射测试片。对测试片进行化学机械研磨制程，移除待研...

本发明是有关于一种氮化物唯读记忆体元件，包括记忆胞和第一、第二位元线。第一、第二位元线与记忆胞的相对两侧耦接。在抹除操作中，记忆胞的一侧接收正电压，而另一侧与一共通节点或受限电流源耦接。还揭示了一种方法，能够根据记忆胞的临界电压分布容易...

一种不对称掺杂存储单元在Ｐ型衬底上具有第一和第二Ｎ型重掺杂结。复合式电荷捕获层位于该Ｐ型衬底之上，并介于该第一和该第二Ｎ型重掺杂结之间。Ｎ型轻掺杂区域邻接于该第一Ｎ型重掺杂结，并位于该复合式电荷捕获层下方。Ｐ型轻掺杂区域邻接于该第二Ｎ型...

一种非易失性存储器（ＮＶＭ）单元，包含一硅衬底含有一主要表面，一位于该硅衬底中的一部分的源极区域，一位于该硅衬底中的一部分的漏极区域，以及一位于该硅衬底中的一部分并介于该源极和该漏极区域之间的阱区（ｗｅｌｌ　　ｒｅｇｉｏｎ）。该单元包含...

本发明在此描述一种制造非易失性半导体存储元件的方法，包含不用额外的掩膜来形成子栅极。在此存储元件的主栅极之上形成金属硅化物可以提供较低的字线电阻值。在操作时，施加电压至子栅极可以形成一作为位线的瞬态反转层，以消除形成位线所需的离子注入。

一种硫属元素化物存储器单元，包含下电极、硫属元素化物层及上电极。所述下电极包含锥形洞。硫属元素化物层在下电极的锥形洞中形成。硫属元素化物层的一边与下电极相邻。上电极在硫属元素化物层所形成的第二洞中形成，使得上电极基本上填充第二洞。上电极...

一种形成半导体存储器中的电荷捕捉介电层的方法，包含：（ａ）提供半导体基底；（ｂ）在基底的至少一部分上形成氧化层；（ｃ）在氧化层下方的基底中形成两个或两个以上的源极和漏极区；（ｄ）对氧化层进行再氧化；（ｅ）在氧化层上形成电荷捕捉介电层；（...

本发明是关于一种形成记忆胞及周边电路的方法，是先提供一基底，此基底具有周边电路区及记忆胞区。然后，在基底上依序形成衬垫层和罩幕层，以便在记忆胞区定义数个通道区，再在周边电路区定义主动区。之后，在主动区间形成场氧化层，并在通道区间的基底中...

读取一种具有一种电荷储存结构的存储单元，该读取是通过在存储单元的载电流节点之一与存储单元的衬底区域之间测量电流而进行的。当存储单元结构的其它部分储存不相关的数据时，读取操作减少不同部分的电荷捕捉结构之间的耦合。通过该读取操作，存储单元的...

一种真空抽气装置，与一待抽气空间连通，包括一第一泵（ｐｕｍｐ）、一第二泵，以及一控制电路。控制电路与第一泵及第二泵电性连接，用以选择性控制第一泵及第二泵的运作。当控制电路控制第一泵单独启动时，第一泵用以将待抽气空间抽气为一第一真空环境；...

一种存储元件包括：第一电极及第二电极，其垂直地分离并具有相向的接触表面，其间则有相变单元。此相变单元包括上相变构件，其具有与此第一电极形成电接触的接触表面；下相变构件，其具有与此第二电极形成电接触的接触表面；以及核心构件，其夹置于此上与...

一种包含有一可通过施加能量而在各电性状态之间切换的存储材料的存储单元器件，其包括一电极、一相对于一电极表面的分隔层、一位于此分隔层中的孔洞、一位于此孔洞中的第二材料其定义一带有一向下并向内渐缩的空隙区域的空隙。一存储材料位于此空隙区域中...

一种具有改良热绝缘的存储元件。该存储单元包括第一电极元件，其具有上表面；形成在该第一电极元件上的绝缘堆栈，其具有第一、第二与第三绝缘构件，三者均大致为平坦且具有形成在其中并延伸穿过的中央凹洞，其中该第二绝缘构件从该凹洞内凹；相变元件，大...

一种相变化存储元件，其包括相变化存储单元，此存储单元用照相平版印刷形成并具有第一与第二电极、以及位于此二电极之间的相变化导桥，此导桥并与此二电极的相对侧边电连接。相变化导桥具有一长度、一宽度、以及一厚度。此宽度、厚度、以及长度小于用以形...

本发明公开了一种存储器器件，其具有环绕第一电极元件的真空夹层（ｊａｃｋｅｔ），以提供较佳的隔热效果。此存储器器件包括第一电极元件；相变存储器元件，其接触至第一电极元件；电介质填充层，其围绕相变存储器元件以及第一电极元件，其中电介质层与第...

一种具有电荷储存结构的栅控二极管非易失存储器单元，包含具有额外栅极端的二极管结构。示例性的实施例包含独立的存储器单元、这种存储器单元的阵列、运作该存储器单元或存储器单元的阵列的方法及其制造方法。