本发明描述用于在具有多个存储单元的电荷陷入存储器中增大存储器操作裕度的方法和结构，前述多个存储单元中每一存储单元能够储存多个位元。在本发明的第一观点，描述在单一存储单元二位元的存储器中增大存储器操作裕度的第一方法，其通过施加正栅极电压＋...

本发明涉及一种半导体组件及其制造方法，一含氮结构形成在半导体基板上，并经氧化，该氧化物结构中的氮重新分配形成一氮集中区域，氧化该结构及重新分配氮是藉自由基氧化施行。添加氮至该氧化物结构中，该氮集中区域有助于调整添加的氮所达的深度。

一种用以制造浮动栅极存储元件的方法，包括使用自动对准工艺来在一部分栅极结构上形成第四多晶硅层，其可不需要额外的光刻步骤。因此，因为较高的栅极耦合比例可以在较低的栅极偏压电平下被维持，其可以增加元件的可靠性。此外，工艺的复杂程度被降低，这...

一种降低储存装置中第二位元效应的装置及其操作方法，其中该半导体储存装置具有第一和第二位元线、一闸极、一绝缘层和一基板，且该方法包括将第一、第二和第三偏压分别施加到该第一位元线、第二位元线和该闸极，以促使载子从该闸极至该绝缘层，其中该载子...

本发明公开一种存储元件，包括顶侧的第一电极、具有顶侧的第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的绝缘构件。此绝缘构件在第一与第二电极之间、接近第一电极的顶侧与第二电极的顶侧处，具有一定厚度。薄膜导桥横跨了绝缘构件，并在第一与第二电极之间、...

本发明公开了一种存储器及其制造方法。该存储器包括介电层、导体层、第一埋设扩散区、第二埋设扩散区以及电荷存储结构。导体层设置于介电层上，并可电性连接于至少一电压。第一埋设扩散区及第二埋设扩散区相互隔开地设置于导体层的表面。电荷存储结构设置...

本发明公开了一种具有存储单元阵列的电荷捕捉存储器及其制作方法，该具有存储单元阵列的电荷捕捉存储器包括一电荷捕捉元件，电荷捕捉元件与栅极是经由势垒介电层隔开，该势垒介电层包括与电荷捕捉元件接触的缓冲层以及与栅极及信道其中之一接触的上盖层，...

本发明是一种垂直非挥发存储单元，其具有一电荷存储结构，包含一具有三个节点的电荷控制结构。实施例包含单个存储单元、所述存储单元的阵列、操作所述存储单元或所述存储单元阵列的方法。

本发明公开了一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。该存储器包括一下电极、一绝缘层、一存储单元及一上电极。绝缘层设置于下电极上。绝缘层具有一开口，开口具有一第一宽度。存储单元具有一有源区，有源区位于开口内且露出的部分具有一第二宽度，且第二...

一种金属化工艺，首先提供半导体基材，此半导体基材具有至少一含硅导电区域。接着，提供改善结块现象（ａｇｇｌｏｍｅｒａｔｉｏｎ　ｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎ）的离子注入于含硅导电区域。再来，对此半导体基材进行第一热处理，以修复半导体基材表面。其次，...

本发明涉及非易失存储器技术领域，公开了一种非易失存储器结构，包括衬底、多个堆栈图案及多个应力图案。堆栈图案配置于衬底上，各个堆栈图案由下而上包括电荷储存结构与栅极，其中电荷储存结构至少包括电荷储存层。应力图案分别配置于相邻两个堆栈图案之...

本发明涉及氮化硅只读存储器技术领域，公开了一种存储器的字线的形成方法，先在衬底上形成一层导体层，再形成一层金属硅化物层和一层掩模图案，以便用掩模图案定义出数个字线区域并露出金属硅化物层的部分表面。接着，在衬底上形成一层掩模衬层，覆盖掩模...

本发明公开了一种存储器装置，包括第一电极与第二电极以及介于第一与第二电极间并与其电性耦接的存储元件与缓冲层。存储元件包括一种以上的金属氧化合物。缓冲层至少包括一氧化物或一氮化物。于另一实施例中，存储装置包括第一电极与第二电极以及介于第一...

一种晶圆表面与工艺微粒与缺陷的监控方法，其中晶圆表面微粒与缺陷的监控方法是利用一量测机台以监测一晶圆实质有效表面上的微粒与缺陷。在监测之前，先在晶圆实质有效表面上形成一实质均匀的共形披覆层，并控制其厚度以使晶圆表面上可能有效的微粒与缺陷...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一绝缘层、一沟道结构、一绝缘结构及一栅极。沟道结构包括一沟道桥，沟道桥的底部与绝缘层相隔一间距，且沟道桥包括多个分离的掺杂区。绝缘结构包覆沟道桥，栅极包覆绝缘结构。

本发明公开了一种在绝缘体随机存取存储器上的单一晶体管存储单元。一种制造于绝缘体上硅（ＳＯＩ）的硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅ＳＯＮＯＳ型元件（或是ＢＥ－ＳＯＮＯＳ）以实施非易失性的操作。一层超薄的隧穿氧化层可被用来提供超快的程序化／擦除...

本发明有关一种用来制造存储单元组合的方法与存储单元组合，特别是用来制造自动对准式柱状存储单元装置的方法。该用来制造存储单元组合的方法，包含：在基板上形成一存储单元存取层以制造具有底电极的存取装置。在存储单元存取层上形成存储材料层，并与底...

本发明公开了一种存储器及其制造方法。该存储器包括绝缘底层、导体层、第一电荷储存结构以及第二电荷储存结构。绝缘底层设置于第一绝缘墙及第二绝缘墙之间。导体层设置于绝缘底层上，并位于第一绝缘墙及第二绝缘墙之间。第一电荷储存结构邻近于第一绝缘墙...

本发明公开了一种包含热保护底电极的相变化存储单元及其制作方法。依据此处所公开的存储装置的一种实施例，该存储单元包含一底电极，位于底电极上的一热保护结构，以及位于该热保护结构上的多层堆栈。该热保护结构包含一热保护材料层，该热保护材料的导热...

本发明公开了一种制造反向Ｔ型浮动栅极存储器的方法，因为增加该浮动栅极表面积，而使该浮动栅极存储装置具有一较高的耦合率。本发明还公开了一种具有非矩型横截面浮动栅极的存储装置，该非矩型横截面可为一反向Ｔ型、一Ｕ型、一梯型或一双反向Ｔ型。该存...