金属化工艺制造技术

一种金属化工艺，首先提供半导体基材，此半导体基材具有至少一含硅导电区域。接着，提供改善结块现象（ａｇｇｌｏｍｅｒａｔｉｏｎ　ｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎ）的离子注入于含硅导电区域。再来，对此半导体基材进行第一热处理，以修复半导体基材表面。其次，形成金属层于此半导体基材表面，金属层覆盖含硅导电区域。然后，对覆盖有金属层的此半导体基材进行第二热处理，以于含硅导电区域上形成金属硅化物层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种金属化工艺，且特别涉及一种可减少金属硅化物的结块 现象的金属化工艺。
技术介绍
随着集成电^各(Integrated Circuit, IC )的元件尺寸缩小，内连线或浅结 的对应阻抗也随之增加，而使IC运作速度无法有效提高。如最常被用来形 成栅极与局部连线的多晶硅(polysilicon)，即使重度掺杂后仍带有相当高的 电阻率，这会造成元件功耗及信号延迟(RC delay)的问题。 一般所使用的 改善方式为进行金属化工艺，以自动对准(self-alignment)形成金属硅化物 (salicide)于如晶体管结构中的导电区域。然而，例如以钴金属与多晶硅栅 极在高温下反应形成如CoSi2的金属硅化物时，由于CoSi2/Si界面并不平整 且有热凹槽(thermal grooving), 3夸导致所谓的结块现象(agglomeration), 而大幅影响金属硅化物的热稳定性及元件的运作性能。
技术实现思路
本专利技术涉及一种金属化工艺，其是于沉积金属层之前，先将半导体基材 进行热处理，可得到较佳的沉积条件，并且可减緩后方热处理步骤中金属硅 化物的结块现象。根据本专利技术，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属化工艺，包括：　（ａ）提供半导体基材，该半导体基材具有至少一含硅导电区域；　（ｂ）提供改善结块现象的离子注入于该含硅导电区域；　（ｃ）对该半导体基材进行第一热处理，以修复该半导体基材表面；　（ｄ）形成金属层于该半导体基材表面，该金属层覆盖该含硅导电区域；以及　（ｅ）对覆盖有该金属层的该半导体基材进行第二热处理，以于该含硅导电区域上形成金属硅化物层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：骆统，杨令武，苏金达，杨大弘，陈光钊，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]