本发明提供一种具有超浅结延伸区的ＭＯＳ装置的制造方法。本方法首先先在一半导体基板上形成至少一栅极。然后进行一第一离子注入工艺，用以在栅极下方的半导体基底中形成一袋状（ｐｏｃｋｅｔ）掺杂区。接着在第一离子注入工艺之后，进行一第一快速热退火...

一种快闪存储器位线上电性绝缘层的制造方法，该制造方法至少包括下列步骤：在基材上依序形成导电层、掩膜层以及覆盖层，并进行蚀刻平板印刷法蚀刻，以形成多个间隔；接着在基材上形成介电层，之后在介电层上形成平坦化材质层；然后蚀刻平坦化材质层与介电...

一种晶片清洗装置，其至少包含一旋转台面用以支撑晶片，及一旋转装置用以带动该旋转台，一可移动或固定的曲型刷除装置用以清洗晶片的表面，一化学清洗头用以喷出化学溶剂于晶片的表面，及一阻挡墙，用以收集及阻挡清洗过后的清洗剂，根据本发明的装置，可...

一种制作电绝缘层的方法，至少包括：提供一晶片，所述晶片至少包括一底材；形成一硅层于所述底材上；形成一氮化物层于所述硅层上；蚀刻部分所述氮化物层与部分所述硅层以形成一渠沟，所述渠沟的底部露出所述底材；形成一四氧乙基硅层于所述渠沟内与所述氮...

本发明涉及一种以互补金氧半导体金属硅化物制程制造的存储阵列，此存储阵列包括：一半导体底材，若干第一隔离组件排列于半导体底材中，若干第二隔离组件排列于半导体底材上，第二隔离组件排列平行于第一隔离组件的排列；数个多晶硅线位于第二隔离组件之上...

本发明涉及一种保护电路，它至少包括一第一二极管，以具有一第一导电性的一重掺杂质扩散至具有一第二导电性的一第一区域形成第一二极管。一集成电路连接至第一二极管，此集成电路传递一输入信号至第一二极管。一第二二极管以背靠背方式与第一二极管相连接...

一种具有双顶氧化层的氮化物唯读记忆胞结构及其制造方法，利用高温化学气相沉积方式在氮化物唯读记忆胞内作为浮置闸极的ＯＮＯ结构上沉积一层氧化层，作为ＯＮＯ结构中氮化硅层的保护层，将电荷有效捕陷于氮化硅层中，防止氮化硅层中的电荷从多晶硅层与氮...

一种利用化学干蚀刻形成圆化边角的方法，在浅渠沟蚀刻完成后，利用氮化硅／硅选择比较高的化学干蚀刻法，且为均向性蚀刻的蚀刻步骤，将氮化砂层后推露出表面的硅边角；接着再利用硅／氮化硅的选择比较高均向性蚀刻步骤，将硅边角圆弧化，得到具有圆弧边角...

一种垂直铁电电容及其制造方法以及一种铁电存储单元的制造方法。首先在半导体基底上形成一层绝缘层，接着在绝缘层中形成平行的下电极开口与上电极开口，所形成开口的深度大于其宽度。然后在开口中填入导电材料，以形成两片垂直且平行平板状的下电极与上电...

一种快擦写存储单元浮置栅极的制造方法，是使存储单元（Ｃｅｌｌ）的平坦化效果得以达成，其基本概念在于利用溅射蚀刻或干蚀刻等技术，来蚀刻多晶硅栅极和高密度等离子体氧化层，以定义浮置栅极。在本发明制造方法中，并不形成氮化硅，因而可以简化工艺，...

一种静电放电（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）保护电路，本发明是有关于应用在多电源（Ｍｕｌｔｉ－Ｐｏｗｅｒ）、混合式（Ｍｉｘｅｄ－Ｖｏｌｔａｇｅ）电压的电路的静电放电保护电路。本发明的静电放电保护电路，利用电源选...

一种氮化物只读存储器（Ｎｉｔｒｉｄｅ　Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ；ＮＲＯＭ）的制造方法。本发明的方法在制造ＮＲＯＭ单元时，先形成一层或多层的隔离层覆盖氧化硅／氮化硅／氧化硅（Ｏｘｉｄｅ－Ｎｉｔｒｉｄｅ－Ｏｘｉｄｅ；ＯＮＯ）结构与栅...

本发明提供一种减少隔离元件对于主动区域的应力与侵蚀效应的方法，所述方法包括：提供一半导体底材，所述半导体底材具有至少一沟槽结构于其上；以一绝缘材料填满所述沟槽结构以形成所述隔离元件；及干氧化处理所述隔离元件，借以减缓所述隔离元件的所述侧...

本发明涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管，特别是有关一种将闸极与间隙壁制作在一渠沟内的金属氧化物半导体场效应晶体管结构。本发明至少包含一渠沟、一闸极、一间隙壁、一源极／漏极区域与一源极／漏极延伸区域，其中所述的闸极至少包含一硅层与一闸...

一种三维立体掩膜，通过增加掩膜上边界图案周缘的不透光层的厚度，增加入射光通过边界图案的路径长度，改善通过边界图案的入射光的光相干性，借此降低因为光干涉所造成的光学邻近效应，减少曝出的边界图案发生变形或是聚焦深度不足的问题，使三维立体掩膜...

一种无铬相移掩膜，在透光区与相移区之间形成线宽控制区，其为倾斜的相移层结构，由相移区的边缘向透光区逐渐变薄，使入射线宽控制区的入射光形成破坏性干涉，减弱入射光的强度，借此可以自由控制不曝光区域的线宽，不会因为入射光波长固定而受到限制。此...

一种防止氮化物只读存储器（Ｎｉｔｒｉｄｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ；ＮＲＯＭ）晶胞被充电的制造方法。本发明的方法在ＮＲＯＭ单元的内层介质（Ｉｎｔｅｒ－Ｌｅｖｅｌ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ；ＩＬＤ）／内金属介质（Ｉｎｔｅｒ－...

一种具有对称型双信道的快擦写存储器的操作方法，该操作方法至少包含下列步骤：首先对快擦写存储器进行写入程序，使得电荷储存于第二位线的ＯＮＯ层两侧，以形成对称型双信道结构，并完成一个位的写入动作，接着施加选取电压于第一位线及第三位线上，用以...

本发明提供一拥有多个存储单元区块，而每一个存储单元区块包括一条主位线与一条接地位线和多个用来储存资料的存储单元的只读存储器，而该只读存储器至少包含多个用来从连接至主位线的多个存储单元区块做选择的上选择晶体管，和多个用来从连接至接地位线的...

一种浅槽隔离（Ｓｈａｌｌｏｗ　Ｔｒｅｎｃｈ　Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ；ＳＴＩ）结构的形成方法。本发明的方法在形成浅槽隔离结构时利用湿式蚀刻（Ｗｅｔ　Ｅｔｃｈ）法取代现有所使用的化学机械研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓ...