一种垂直式的氮化物只读存储单元，其结构包括具有沟渠的基底、具有覆盖基底的水平部分以及嵌在沟渠中一端与水平部分邻接的垂直部分的栅极、位于栅极与基底之间的捕捉层、位于栅极垂直部分的另一端的基底中的第一源极／漏极区、以及位于沟渠边缘的基底中且...

一种内存的区段同步化测试方法与电路，用以测试数个内存组件，包括电可编程或电可擦除的数个内存，此内存的区段同步化测试电路包括一读写器、一选择开关以及复数个测试接口。当这些内存同时进行编程动作或擦除动作时，则选择开关会接通并联输出端的通路，...

一种仿真铁电内存极化松弛现象的电路结构，由下述的器件所构成。一ＭＯＳ晶体管的栅极耦接到字线，而源极耦接到位线；一铁电电容的一端耦接到ＭＯＳ晶体管的漏极，而另一端耦接到电极线；一电容的一端连接到ＭＯＳ晶体管的漏极；一松弛电压源的一端耦接至...

一种能提高在多晶硅蚀刻机（ＰｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎＥｔｃｈｅｒ）中介电材料对硅的蚀刻选择比（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法为一种干式蚀刻（ＤｒｙＥｔｃｈｉｎｇ）法，是由调整多晶硅等离子体蚀刻机的气体配方，即使得蚀...

本发明提供了一种避免半导体晶片传送系统执行错误制程的方法。本发明方法包括：传送传送箱于介面装置，传送箱其内具有工作件，及其上具有货签系统；通过主控制器传送第一信号至介面装置，要求锁定传送箱；锁定传送箱于介面装置；通过介面装置的货签读写系...

电性耦接至界面端与元件区的静电放电保护电路，至少包含第一双载子连接晶体管、第二双载子连接晶体管、第一金氧半晶体管与第二金氧半晶体管。两个双载子连接晶体管形成现有的硅控整流器，第一金氧半晶体管位于界面端与第二双载子连接晶体管间而第二金氧半...

本发明揭露了一种高效能栅极氮化物只读存储器的结构。本结构包含隧道（ｔｕｎｎｅｌ）氧化层在底材上，接着，非晶硅层在隧道氧化层上，再者，多晶硅锗层在非晶硅层上，然后，内多晶硅介电层在多晶硅锗层上。最后，多晶硅层在内多晶硅介电层上。

本发明主要的目的在于提供一种具有平坦式（ｆｌａｔ－ｔｙｐｅ）结构的只读存储器阵列（ｍｅｍｏｒｙａｒｒａｙ），其包括：至少两存储器区块（ｍｅｍｏｒｙｂａｎｋ），两存储器区块具有多个存储器单元（ｍｅｍｏｒｙｃｅｌｌ）；至少两个外连区块...

本发明有关一种形成金属硅化物的方法，它包括：提供表面为起伏不平半导体结构覆盖的底材；形成硅层在半导体结构上，硅层与半导体结构的轮廓大致相当；以蚀刻程序处理硅层使得硅层轮廓较半导体结构轮廓圆滑；形成金属层在硅层上；执行热处理程序使得金属层...

一种磊晶成长锆钛酸铅薄膜的方法，其是先以临场的方式在基底上磊晶成长一层氧化镧镍薄膜，其晶型与所需的锆钛酸铅薄膜相同，且晶格参数与所需的锆钛酸铅薄膜相近。接着以临场的方式，在３５０℃～５００℃的温度下，在氧化镧镍薄膜上磊晶成长锆钛酸铅薄膜。

一种新版光罩的验证方法，此方法是提供一晶元，将一新版光罩的图案转移于晶元上，以在晶元上形成一第一图案后，再将一旧版光罩的图案转移于晶元上，以在晶元上形成一第二图案，然后，利用光学检验机对比晶元上的第一图案与第二图案，以验证新版光罩的正确...

一种具有分离式浮栅的闪存的制造方法，此制造方法提供一衬底，再于衬底上依序形成氧化层以及图案化的牺牲层。接着，以图案化的牺牲层为掩模进行离子植入步骤，以在牺牲层两侧的衬底中形成具有浅掺杂源／漏极的源／漏极。然后，等向性蚀刻去除部分图案化的...

本发明是有关于一种ｐ型信道氮化硅只读存储器的擦除方法，此擦除方法对一个在电荷陷入层中储存有电荷的ｐ型信道氮化硅只读存储器，在控制栅极施加一个正电压，在漏极施加一个负电压，将源极浮置以及将此ｐ型信道氮化硅只读存储器所在的ｎ井接地。并且使得...

一种多阶（Ｍｕｌｔｉ－Ｌｅｖｅｌ）ＮＲＯＭ的存储单元及其操作方法，其可形成一氮化物层，此氮化物层可以陷入数个电荷以形成数个电荷陷入区域，这些电荷陷入区域可以储存这些电荷以做为存储用的位，多阶ＮＲＯＭ的存储单元包括一第一位、一第二位。其中...

一种隧道氧化层（Ｔｕｎｎｅｌ　Ｏｘｉｄｅ）的制造方法。本发明的方法是利用快速热处理（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓ；ＲＴＰ）取代现有利用炉管工艺（Ｆｕｍａｃｅ　Ｐｒｏｃｅｓｓ），以单晶片快速热氧化（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ...

本发明提供一种浅沟绝缘制程方法。本发明方法先提供基材，并于该基材表面上形成由垫氧化层和停止层所构成的堆叠罩幕层，且该堆叠罩幕层具有至少一开口暴露出部分的该基材表面。接着进行干蚀刻制程，经由该开口，蚀刻该基材表面，以形成浅沟，再于该浅沟以...

一种减小图案间隙或开口尺寸的方法，其在基底与具有图案的罩幕层上形成一层大致共形的材料层，以减小罩幕层图案的间隙或开口尺寸。当此罩幕层为一蚀刻罩幕层时，其所定义的待蚀刻层图案的间隙或开口尺寸即得以缩小。另外，蚀刻罩幕层上形成的材料层的厚度...

一种基底／氧化硅／氮化硅／氧化硅／硅组件的制造方法，包括在基底上依序形成第一氧化层、捕捉层与第二氧化层，再在第二氧化层上形成罩幕图案作为植入罩幕，进行一离子植入工艺，以在基底中形成埋入式位线。接着去除部分罩幕图案与未被罩幕图案覆盖的第二...

一种氮化硅只读存储器组件的制造方法，此方法是依次于基底中形成氮化硅只读存储器存储单元与一接地掺杂区后，于基底上形成一接触窗。接着，形成一金属保护线，此金属保护线与氮化硅只读存储器存储单元的一字符线电性连接，且金属保护线通过接触窗与接地掺...

一种防止天线效应的氮化硅只读存储器的结构，此结构由一字符线、一电荷捕捉层以及一金属保护线所组成。其中字符线覆盖于基底上，且字符线是由一硅化金属层与一多晶硅层组成。电荷捕捉层位于字符线与基底之间，且电荷捕捉层为一氧化硅／氮化硅／氧化硅（Ｏ...