一种半导体晶圆的热氧化制作工艺，此制作工艺首先在低于主要热氧化制作工艺温度的一温度之下，将晶圆加载炉管中，并且，通入足以驱离炉管中水气以及氧气的大流量的氮气或氩气。接着在晶圆完全加载炉管后，逐渐升高炉管的操作温度至主要热氧化制作工艺温度...

一种去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法，用来消除残留聚合物在晶片表面的回沾，造成品管检验时不良率过高及焊接工艺不良率过高的情况得以改善。该去除焊垫窗口形成后的残留聚合物的方法，焊垫窗口是蚀刻晶片的保护层而得，包含：以湿式去除工艺，去除该...

本发明揭示了一种形成微细尺寸结构的方法。本发明利用一次光罩或一次的图案转移工艺、自行对准回蚀刻工艺与传统沉积工艺即可形成一具有微细微细尺寸的图案，此微细微细尺寸的大小仅为以可应用的微影工艺形成的微细尺寸的三分之一。通过适当地选择欲沉积与...

一种利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法。此方法包括将硫酸、磷酸、氢氟酸与水混合成一蚀刻溶液，然后将基底置于蚀刻溶液中，使蚀刻溶液以一适当流速流经基底上的绝缘层以进行蚀刻，此绝缘层具有多个沟渠。本发明利用蚀刻溶液在表面凹凸不平的绝缘层...

一种芯片及其制造方法，首先，提供一基体，而基体上具有数个半导体元件及数个与这些半导体元件电性连接的接垫，且这些半导体元件及这些接垫上是覆盖一保护层。接着，蚀刻保护层的部分区域以裸露出这些接垫，然后，浸泡这些接垫于一硝酸溶液中并冲洗这些接...

一种具动态起始电压的ＣＭＯＳ架构，具有：ＭＯＳ晶体管、第一二极管以及第二二极管。其中，第一二极管的第一连接端耦接ＭＯＳ晶体管的栅极，且第一二极管的第二连接端耦接ＭＯＳ晶体管的基底。而第二二极管的第一连接端则耦接一本体电压，且第二二极管的...

一种适于连接内存测试机与集成电路分类机的直接连接界面装置，此直接连接界面装置包括主体底板、印刷电路板、第一对位结构、第一固定结构。其中主体底板具有第二对位结构与第二固定结构，并设置于集成电路分类机上，主体底板的上缘低于喂料飞梭活动区，且...

一种垂直式只读存储器及其工艺，是在基底中形成沟渠，并于沟渠的底部制作源极／漏极，而在基底的表面上形成栅极；沟渠之中设有与源极／漏极电性连接的多晶硅位线，多晶硅与沟渠侧壁的基底以介电层加以隔绝，并且以沟渠的侧壁作为编码区。

一种闪存的制造方法，此方法是在基底的存储单元区与周边电路区上形成第一氧化层。然后于第一氧化层上形成第一导体层并定义之，以形成数个浮置栅极，再于存储单元区与周边电路区上依次形成第二氧化层与氮化硅层。接着去除周边电路区上的第一导体层、第二氧...

一种部分自行对准接触窗的制造方法。此方法是在一基底上形成数个栅极，并于栅极侧壁形成衬层，再于衬层侧壁形成保角的氮化硅间隙壁。之后，该些栅极间的基底内形成掺杂区，再进行自行对准金属硅化工艺，以于栅极顶部与掺杂区表面形成自行对准硅化金属层。...

一种内存元件的结构及其制造方法，此结构由一栅极结构、一埋入式位线、一升高位线、一隔离间隙壁以及一字符线构成。其中栅极结构配置在一基底上。埋入式位线配置在栅极结构两侧的基底中。升高位线配置在埋入式位线上。隔离间隙壁配置在栅极结构的侧壁，用...

一种闪存隧穿氧化层的测试元件及方法，此测试方法首先提供一测试元件，其中此测试元件具有一扩散区、形成在扩散区上方的一浮置栅极以及形成于扩散区与浮置栅极之间的一隧穿氧化层。此外，在测试元件周围的浮置栅极上形成有数个浮置栅极接触窗，且在测试元...

一种存储器元件的制造方法，其首先在所提供的基底上形成一薄介电层，并且在薄介电层上形成一长条状的导电结构，其中长条状的导电结构是由一多晶硅层以及一顶盖层所构成。接着，于长条状的导电结构两侧的基底中形成一埋入式位线。再于基底的上方形成一底部...

一种低功率的锁相感测放大器。此锁相感测放大器包括一源级随耦感测放大器与一主动栓锁寄存器。源级随耦感测放大器包括有耦合至一第一节点的一定电流源与一受偏压的金属氧化半导体，并自第一节点输出一感测信号。主动栓锁寄存器则是包括有一第一时钟信号同...

一种降低栅极堆栈层氧化侵蚀的方法，利用斜向离子注入法在栅极堆栈层的侧壁表面中注入氮离子，使侧壁表面中富含氮离子，接着进行氧退火步骤，使栅极堆栈层的侧壁表面形成氮氧化硅层，可通过氮氧化硅层阻止栅极堆栈层中的多晶硅层继续氧化而受到侵蚀。本发...

一种去除多晶硅残留的方法，利用两阶段步骤达到将多晶硅转化成二氧化硅的目的。首先以斜向离子注入法在多晶硅残留中注入氧离子，使多晶硅残留中富含氧离子，接着进行氧退火使富含氧离子的多晶硅残留完全转化成二氧化硅，以降低多晶硅的导电性，而且不会有...

一种去除多晶硅残留的方法，利用两阶段步骤达到将多晶硅转化成氮化硅的目的。首先以斜向离子注入法在多晶硅残留中注入氮离子，使多晶硅残留中富含氮离子，接着进行氮退火使富含氮离子的多晶硅残留完全转化成氮化硅，以降低多晶硅的导电性，而且不会有传统...

一种以软性含氮等离子体来形成超薄栅介电层的方法。先以软性含氮等离子体来氮化基底的表面以进行预氮化步骤，在此步骤中使用软性含氮等离子体以氮化基底的表面。此软性含氮等离子体的等离子体密度约为１０＃＋［９］－１０＃＋［１３］ｃｍ＃＋［－３］。...

本发明提供一种防止氮化物只读存储器（ＮＲＯＭ）中的金属氧化物半导体晶体管发生栅极空乏现象，同时提高该ＭＯＳ晶体管的栅极驱动能力的制作ＭＯＳ晶体管的方法。本发明方法先提供一基底表面定义有一存储阵列区以及一周边电路区的半导体芯片，接着在该周...

本发明提供一种在氮化物只读存储器（ＮＲＯＭ）中制作浅结（ｓｈａｌｌｏｗｊｕｎｃｔｉｏｎ）的金属氧化物半导体（ＭＯＳ）晶体管的方法。本发明方法是先提供一表面定义有一存储阵列区以及一周边电路区的半导体芯片，接着在该周边电路区表面上形成一包括...