一种具有中空封闭式栅极结构的金氧半导体。其中中空封闭式栅极位于半导体基底上，且中空封闭式栅极具有一中空封闭空间，栅极介电层位于中空封闭式栅极与基底之间。漏极区位于半导体基底中，并位于中空封闭空间内。源极区位于该半导体基底中而环绕着中空封...

一种罩幕式只读存储器的测试元件及方法，用以找出罩幕式只读存储器的阵列漏电途径。此测试元件包括配置在一基底上的数个位线以及配置在此基底上的数个字符线，其中字符线与位线互相垂直。且每一位线两端未覆盖有字符线的区域，其总长度介于３微米至３０微...

一种非挥发性内存的制造方法，其首先提供一基底，此基底上已形成有一长条状的堆栈结构。接着，在长条状的堆栈结构两侧的基底中形成一埋入式漏极。再在埋入式漏极上形成一绝缘层。之后，在基底的上方依序形成一硅层以及一顶盖层。并且以垂直于埋入式漏极的...

一种非挥发性内存的制造方法，此方法是先于基底中形成面掺杂区后，于基底上形成一层罩幕层与一层图案化的光阻层。接着，以图案化的光阻层为罩幕，蚀刻罩幕层并于基底中形成复数个沟渠，且这些沟渠将面掺杂区分割，而形成复数条埋入式位线。移除图案化的光...

一种高压元件的制造方法，其首先提供一基底，其中此基底上已形成有一高压元件的栅极结构。接着，于进行第一热工艺之后，才在高压元件的栅极结构两侧的基底中形成一第一掺杂区。之后，在高压元件的栅极结构的侧边形成一间隙壁。并且在高压元件的栅极结构上...

一种选择性局部自行对准硅化物的制作方法，首先在间隙较窄的存储单元区上先覆盖一层共形的阻挡层，然后，再于基底上形成另一层阻挡层，以覆盖存储单元区与逻辑电路区。然后，再进行回蚀刻步骤，使欲形成自行对准硅化物的多晶硅栅极与硅基底露出来，仅留下...

一种监控测量半导体薄膜结构的厚度变化方法，通过半导体上的测试区测量监控在化学机械研磨过程中半导体上元件区薄膜结构的厚度变化，该方法是蚀刻测试区的薄膜结构，使蚀刻后测试区薄膜结构的图案密度实质近似于元件区薄膜结构的图案密度，以利于化学机械...

一种减少化学机械研磨工艺缺陷的电路布局及其制造方法，适用于减少化学机械研磨的工艺缺陷，该半导体基板上包含多条第一电路结构与至少两条的第二电路结构，其中第二电路结构用以分别串接多条第一电路结构的前端与后端，以利于化学机械研磨工艺中平均多条...

一种在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法，是提供一具有一介电层的基底，并于介电层上形成具有一开口的图案化罩幕。然后于一蚀刻室中，以图案化罩幕作为蚀刻罩幕，对介电层施行一蚀刻工艺，以于介电层中形成一介层窗洞。随后，于同一蚀刻室中进行氧处理工艺...

本发明揭示一种避免氟化半导体元件的金属接点的方法。首先提供一半导体底材，其上具有一金属接点。然后，形成且覆盖一保护层于半导体底材与金属接点上。随后，进行一蚀刻步骤以蚀穿保护层直到暴露金属接点的部分表面为止，并形成一预定开口于保护层中，其...

本发明揭示一种新的半导体元件的图案转移的方法。首先，进行一校调步骤以调整所需的第一光学参数与一第二光学参数，以改变主特征的曝光波峰的两侧峰的位置并使得主特征的曝光波峰与其相邻侧峰相互部分重叠。然后，借助一具有半透光特性的光罩进行一微影工...

一种促进快闪式存储器性能的方法。首先提供一底材。一穿遂氧化层形成于该底材上。两个闸极结构形成于穿遂氧化层上，闸极结构包括第一多晶硅层作为浮置闸，一内多晶介电层如氮－氧－氮（ＯＮＯ）层位于浮置闸上，第二多晶硅层作为控制闸位于内多晶介电层上...

本发明主要的目的在于提供一种半导体构装元件，包括具有一凹槽或沟槽于一载板上。至少一具有背面及包括第一焊垫的主动面的晶片，此晶片固定于凹槽中，并暴露出其主动面。一第一绝缘层位于载板与主动面上，它包括第一导电通孔穿透其中，并连接第一焊垫。一...

一种多晶硅间介电层的制造方法，此方法首先提供一基底，其中基底上已形成有一第一多晶硅层。接着在第一多晶硅层上形成一多晶硅间介电层，而形成此多晶硅间介电层的方法利用一氩气／氧气／氨气等离子体、一氪气／氧气／氨气等离子体、一氩气／氧气等离子体...

本发明提供一种后浅槽隔离工艺方法。首先于一衬底的一上表面形成一掺杂阱区域，并于该衬底的该上表面依序形成一氧化层与一多晶硅层。接着蚀刻该多晶硅层，以于该掺杂阱区域中形成一栅极，且随后于该栅极两侧形成一漏极／源极区域。之后于该衬底上形成一第...

本发明公开了一种缩小图案间隙且确保该间隙的方法，是一种半导体工艺，先定义一基底，再在基底上沉积一第一层。然后在第一层上提供一保护层，再在保护层上提供一罩幕层。接着，图案化并定义这层罩幕层，以形成具有至少一大体上垂直的侧壁与一大体上水平的...

一种高抗辐射的电可擦去可编程只读存储器晶胞，它包括一半导体基底、一源极、一汲极、一通道、一第一氧化层、一电荷捕捉层、一第二氧化层及一导电性闸极。此半导体基底具有一第一导电性。源极占有半导体基底的一区域及经掺杂为具有与第一导电性电性相反的...

一种抑制半导体器件的短信道效应的方法，此方法首先提供一基底，并且基底上形成一栅极结构。接着在栅极结构两侧的基底中形成一源极／漏极延伸区与一源极／漏极区。之后，紧接着进行一口袋型离子植入步骤，以在源极／漏极延伸区的底下形成一口袋型掺杂区。...

一种残余聚合物去除剂，应用于后金属去除工艺中，以有效去除基材上的残余聚合物。本发明的残余聚合物去除剂主要由链烷醇胺（ａｌｋａｎｏｌａｍｉｎｅ）、糖醇（ｓｕｇａｒａｌｃｏｈｏｌ）、及２０％的水所组成。使用方法是，将含有待去除的残余聚合物...

本发明提供一种半导体堆叠构装元件它由堆叠多晶片元件组成，此堆叠多晶片元件包括：一载板；一第一晶片，具有一朝向载板的背面及一主动面，其中主动面包括数个打线焊垫，它通过一第一组导体连接至载板；及一第二晶片具有一背面及包括数个打线焊垫的一主动...