一种介电层平坦化的方法。此方法使用一高选择比研磨剂，用以平坦化介电层，其中高选择比研磨剂包括含铈土研磨粒的研磨液，其氧化铈研磨粒浓度在５±２５ｗｔ％之间，以及浓度在１～１０ｗｔ％的具有平坦性选择性添加剂。

一种氮化硅只读存储器的制造方法，此方法是在基底上形成由绝缘层－电荷陷入层－绝缘层所组成的陷入介电层夹层结构（Ｔｒａｐｐｉｎｇｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓａｎｄｗｉｃｈｅｄ），接着在电荷陷入层上的绝缘层以及电荷陷入层中形成内凹开口。然后，在内...

一种以自对准制程制造不连续式氮化物只读存储器的存储单元的方法。首先，提供基板并形成ＯＮＯ层于基板上，ＯＮＯ层具有上氧化物层、氮化物层及下氧化物层。接着，定义上氧化物层，然后，定义数个可弃式间隔物。接着，以自对准制程植入存储单元区块或内埋...

一种改善快闪存储器可靠性的方法，该方法包含有下列步骤：在一衬底上形成一堆叠层，该堆叠层包含有一第一多晶硅层以及形成于该第一多晶硅层上方的一牺牲层，并形成一覆盖于其上的ＨＴＯ（高温氧化物）膜，之后在该ＨＴＯ膜上沉积一介电层，湿法蚀刻该介电...

一种为防止第二位元效应的非挥发性记忆晶胞，该记忆晶胞的构造包括在一半导体基底上的一通道两侧的一对源／汲极区域，在该通道上方的可程式化层，以及在该可程式化层上方的闸极导体，其特点在于：该可程式化层与该对源／汲极区域分别具有第一及第二边界宽...

本发明提供一种遮幕式只读存储器，包括：一存储单元阵列，包括多个字符线及多个存储单元，其中，字符线呈棋盘状排列，且存储单元具有对应的漏极；多个第一位线，平行存储单元阵列的对角线，位于漏极上方，其中，每一字符线两侧的漏极是与上方对应的位线分...

本发明提供一种抛光垫。该抛光垫包含有一第一层，一第二层，一孔洞及一插塞。该孔洞形成于该抛光垫中，并包含有一位于该抛光垫的该第一层中的第一部分及一位于该抛光垫的该第二层中的第二部分。该插塞置于该孔洞中，且具有一上部及一下部。该上部置于该孔...

本发明提供一种高栅极耦合比堆叠栅极非易失性存储器的制作方法。本发明包括有下列步骤：提供一衬底，该衬底表面包含有一沟道区域以及一位线区域；于该衬底的沟道区域上形成一堆叠层，其中该堆叠层包含有一多晶硅层以及一牺牲层形成于该多晶硅层的上方；沉...

一种防止天线效应的非挥发性内存及其制造方法，其结构包括一高阻值部位与一存储单元部位的字符线覆盖于一基底上，又位于字符线与基底之间有一捕捉层。其中，字符线的高阻值部位电性连接位于基底的一接地掺杂区，而字符线的存储单元部位电性连接一金属内联...

本发明公开了一种具有间隙的铁电电容及其制造方法。本发明的铁电电容具有一扩散挡层，在进行高温工艺时，可保护钨插塞，防止高温氧扩散进入而与钨插塞反应，形成一层钨氧化层，且另一方面本发明的结构具有导体间隙，可使得本发明具有自对准功效，亦即通过...

本发明公开了一种可以避免因误对准所产生的镂空（ｕｎ－ｌａｎｄｅｄ）现象的制造方法，该方法包括：提供一具有金属层与抗反射层形成于其上的基材；形成一旋涂式玻璃层（ＳＯＧ，ｓｐｉｎｏｎｇｌａｓｓ）于该抗反射层上；定义多条金属线，所述金属线...

一种介电层平坦化的方法。此方法是在一已形成数个栅极结构，且于这些栅极结构上已形成有保护层的闪存基底上先形成一层介电层，以填满栅极结构间的空隙，并覆盖保护层，随后以保护层为研磨终止层，利用固定研磨砂垫，且通入不含金属离子的研磨液对介电层进...

一种在半导体元件的工艺中防止钨插塞腐蚀的方法，其中在一基底上已形成有一钨插塞且该钨插塞与形成在基底上的导线耦接。首先将基底浸泡于一非离子良性溶剂中，以实质上去除累积在导线表面上的电荷，接着再进行洗濯程序以清洗导线表面，其后再进行旋干步骤。

一种相移掩膜的制作方法，是在形成图案化光阻层之后，在图案化光阻层的侧壁上形成薄的掩膜层覆盖铬层，然后再进行相位移层的制作，以图案化光阻层与掩膜层为掩膜，在透明基板上形成相位移开口。在掩膜层底下的铬层可精确地自行对准相位移层，避免多次光刻...

本发明提供一种相变化内存的制造方法，适用于一半导体基底，首先于上述半导体基底上形成一Ｎ＋磊晶层及一Ｎ－磊晶层。接着，于上述Ｎ＋磊晶层及Ｎ－磊晶层内形成一第一浅沟道隔离结构以隔离预定的字符线区及于上述Ｎ－磊晶层内形成一第二浅沟道隔离结构以...

本发明公开了一种半导体制造执行系统，包括一个存储模块、一个比较模块和一个输出模块。存储模块储存一个基本数据库和一个配方分配管理数据库。基本数据库包括复数个基本数据列，配方分配管理数据库包括复数个配方分配管理数据列。比较模块将从一个制造机...

本发明公开了一种制造执行系统，包括一个第一数据库和一个第二数据库。第一数据库储存第一组数据列，每一笔数据列包括当至少有一个半导体晶圆放置在一个处理工具中时与在至少一半导体晶圆上所执行的一个例行动作相关的信息。第二数据库储存第二组数据列，...

本发明主要的目的在于提供一种半导体构装元件，包括：于一载板上的一凹槽或沟槽；至少一具有背面及包括第一焊垫的主动面的芯片，此芯片固定于凹槽中并暴露出其主动面；一于载板与主动面上的第一绝缘层，它包括穿透其中并连接第一焊垫的第一穿接导体；一于...

本发明提供一种化学机械抛光装置的终点侦测系统。该终点侦测系统包含有一抛光平台，一覆盖于该抛光平台之上的抛光垫，一位于该抛光平台中的内室，及一设置于该内室的周围的气体流动系统。其中，该气体流动系统包含有一气体入口及一气体出口，分别用以导入...

一种制造一具有源极／漏极延伸区与源极／漏极区的金氧半导体结构的方法，包括在半导体基底上形成一碱性抗反射层，在该抗反射层上形成一光阻层。曝光此一光阻层而将一图案转移至该光阻层上，并显影该已曝光的光阻层，而在形成源极／漏极区的区域上方形成一...