一种形成介电层的方法，首先，进行一第一内部蒸气产生氧化反应（ＩＳＳＧ，Ｉｎｓｉｔｕｓｔｅａｍｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）程序，形成一第一氧化层于一基底上；然后，形成一氮化硅层于该第一氧化层上；接着，进行一第二内部蒸气产生氧化反应程序，形...

一种氮化硅存储器件及其制造方法，此方法首先在一基底上依序形成一电荷捕捉层以及一光阻层。接着以光阻层为一离子植入罩幕，以在基底中形成一位线。之后在光阻层的至少侧表面形成不与电荷捕捉层反应一第一衬套层，并以第一衬套层与光阻层为一蚀刻罩幕图案...

一种浅槽隔离的制造方法，包含下列步骤：提供一基材，该基材上具有圆滑的底部角落的沟渠。再利用热氧化工艺，在沟渠及基材的表面形成具有圆滑的顶部角落的第一氧化硅层。第一离子注入工艺，在第一氧化硅层的下方形成一第一离子注入区。沉积一第二氧化硅层...

一种Ｙ方向自对准的罩幕式只读存储器的制造方法，此方法首先在一基底中形成一埋入式位线，之后在基底的表面形成一栅氧化层。接着以垂直于埋入式位线的方向于栅氧化层上形成一条状氮化硅层，再于栅氧化层与条状氮化硅层上形成图案化的一光阻层，并以此光阻...

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法首先在一基底中形成一埋入式位线，并且在基底上形成一厚氧化硅层。接着以垂直于埋入式位线的方向，于厚氧化硅层上形成一条状氮化硅层。然后，移除部分厚氧化硅层以暴露出基底，并且在暴露的基底表面形成一栅氧化层...

本发明揭露一种金氧半导体（ＭＯＳ）晶体管的制造方法。此方法系于源极／漏极区域形成前，先于硅基板表面沉积一遮蔽层。此遮蔽层以均一的厚度覆盖基板上的栅极电极及场氧化层或浅隔离沟渠。接着，对硅基板进行高浓度的离子植入，并控制其能量使离子无法穿...

一种双极性输入垫的静电放电保护装置及方法，包括第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域及第一导电型的第三区域形成的三重井构成一硅控整流器结构，该第一区域中形成第一及第二导电型的接地端连接区域，该第三区域中形成第一及第二导电型的输入端连...

本发明公开了一种形成于一半导体组件的基底中的埋入式位线的结构及其制造方法，此结构包括一浅掺杂区，配置在基底中；以及一深掺杂区，配置在部分浅掺杂区底下的基底中，其中浅掺杂区与深掺杂区共同作为一埋入式位线。

本发明有关一种缩小制程宽度的方法，特别是有关一种缩小制程的解析周期的方法，该方法包括：利用一光罩在部分的底材上形成第一光阻层并在此第一光阻层的侧壁上形成第一材料层；配合制程的需求而在此时移除此第一光阻层，以在第一阶段制程在部分的底材上形...

本发明主要是在硅烷形成多晶硅的时候加入氢气，使得形成的多晶硅为微晶格。将这种微晶格的多晶硅应用在快闪存储器中的浮置闸，可以改善快闪存储器的元件特性。

一种修正凸块轮廓的方法，此方法首先提供一基底，且基底上已形成有一凸块。接着，进行一两步骤沉积制作工艺，以在凸块的侧壁形成一高分子材料层。其中，本发明于凸块侧壁形成高分子材料层的方法，可控制其由凸块侧壁的顶部向凸块侧壁的底部生长，也可控制...

本发明涉及一种防止焊垫氟化的晶片储存方法以及晶片储存运送装置，首先在晶片运送储存盒表面钻孔，并清干净后，再将晶片放进晶片运送储存盒内。接着，将其套进包装袋内，整个放进真空包装机中。之后，将晶片运送储存盒内的杂质、空气和水气抽出。接着灌入...

本发明涉及一种静电放电保护装置，设置于耦接于第一电位的接合垫以及存储装置、第二电位之间，包括多个掺杂区及一隔离组件。第一第二型掺杂区系形成于第一型基底，并耦接于第一电位。第二第二型掺杂区系形成于第一型基底，并耦接于第二电位。第三第二型掺...

本发明涉及一种罩幕式只读存储器的制造方法。首先，形成一第一绝缘层于一具有多平行位线的基底。接着，形成多平行沟槽于上述第一绝缘层中，用以定义多字元线。依序形成一栅极氧化层、一多晶硅层于上述多平行沟槽底部，用以形成多平行字符线。然后，全面性...

本发明涉及一种多位存储单元，包括：一半导体基底；一突状基底，形成于半导体基底上；一离子植入区，位于突状基底的顶部两侧；一间隙壁，形成于突状基底的侧壁；一掺入离子区，位于半导体基底，且掺入离子区露出于半导体基底表面；及一氧－氮－氧化物层，...

本发明是关于一种制造半导体组件的方法，其是在一基底表面形成有一多层膜，如氧化硅／氮化硅／氧化硅层，该一多层膜包含一二氧化硅第一层、一氮化硅中间层以及一二氧化硅顶层。其中，该二氧化硅顶层具有一暴露面。然后，将多层膜的二氧化硅顶层暴露面显露...

一种形成开口图案的方法及其应用，此方法首先在一基底上形成一材料层，并且在材料层上形成一图案化的保护层。接着在图案化的保护层上形成一光阻层，并且进行一第一曝光工艺，以定义光阻层为一线／间距图案，其中第一曝光工艺的曝光能量低于光阻层成像的能...

一种应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，其首先提供一基底，且基底上已形成有数个呈阵列排列的存储单元。接着，在基底上形成具有一第一线／间距图案的一负光阻层。继之，在负光阻层上形成具有一第二线／间距图案的一正光阻层。其中，负光阻层的第...

一种制作具有埋藏导线的半导体元件的方法，至少包括下列步骤：提供一底材；形成一沟渠于该底材内以形成一隔离区并限定出主动区域；形成一图案化罩幕层覆盖该底材并曝露出邻近的该主动区域；以及以一倾斜角离子布植于沟渠下的该底材内形成一埋藏导线以连接...

不连续的氮化物只读存储器（ＮＲＯＭ）的存储单元，至少包括：衬底；第一ＯＮＯ叠层栅极和第二ＯＮＯ叠层栅极，形成在衬底上，其中ＯＮＯ叠层栅极是由一氮化物层夹在两氧化物层之间所组成；氧化层，形成在衬底上以覆盖第一ＯＮＯ叠层栅极和第二ＯＮＯ叠层...