一种波浪状电容器及其制造方法，能够形成具有波浪状轮廓的复层结构的电容器。该方法包括：图案化该底导体层以至少形成两个相邻沟渠；形成一复层结构，该复层结构共形于该些沟渠且从相邻结构隔离，该复层结构至少包括一第一电极板层、设置于该第一电极板上...

一种化学机械研磨机台的调节器，其包括一调节盘，且调节盘具有一输入面以及一输出面；一管件，此管件的一端连接在调节盘的输入面上；一高压流体源，此高压流体源连接在管件的另一端；以及多个喷嘴，配置在调节盘的输出面上。

一种半导体晶圆的清洗方法，此方法提供具有材料层的晶圆。然后，进行刷洗工艺，以刷头与去离子水移除晶圆表面的微粒。之后，以惰性气体喷吹晶圆，以移除晶圆表面的水痕与防止晶圆受氧影响。

一种集成电路器件及微机电组件的整体制造方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底，该半导体衬底分为集成电路区域以及微机电组件区域，且该集成电路区域形成有一集成电路器件；淀积一绝缘层于该集成电路区域以及微机电组件区域上；蚀刻该绝缘层，以分隔该集...

本发明公开一种在晶片对准标记外围确定辅助图形的方法。首先，提供具有对准区的晶片，对准区中设置有一对准标记。然后，藉由一光刻胶掩模来进行曝光，以在对准区上的对准标记外围确定一第一辅助图形。此光刻胶掩模具有一第一辅助图形区，第一辅助图形区具...

一种具抗反射涂层的内连线制造方法及其结构，该结构中的基板中形成具有一铜金属或铜基底的合金，在平坦化该结构后，一薄的阻障层形成于基板之上。接着将一电介质抗反射层形成于该阻障层之上。接着，另一内介电层形成于该电介质抗反射层上，在后续的光阻层...

一种形成半导体栅极的方法，于基底上先形成包含一导体层与一顶盖层的堆栈结构。然后，于基底上形成一高密度等离子体介电层并暴露出顶盖层，其中高密度等离子体介电层顶部高于导体层顶部。随后，将顶盖层去除，由于高密度等离子体介电层顶部高于导体层顶部...

一种具有高高宽比的浅沟渠隔离结构的填充方法，适合在半导体基底上的一个集成电路中形成一个隔离沟渠，是先提供一个半导体基底，其具有一个垫氧化层、一个氮化层以及一个图案化光阻层。然后，去除部分氮化层、垫氧化层与半导体基底，以形成一个沟渠。接着...

一种蚀刻沉积于半导体基底上的光阻层的方法，此方法是使用含氢离子反应性水溶液处理基底，使含氢离子反应性水溶液与光阻层反应后，再使用去离子水处理基底。然后，使用臭氧化去离子水处理基底，以疏松或移除至少一部分的光阻层。含氢离子反应性水溶液为强...

一种在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置，包括： 一控制盒，用以接收至少一输入信号，该控制盒包括一前面板以及一电路板，该电路板用以接收至少一输入信号并触发一报警信号，该前面板包括一第一指示器，用以提供该报警信号，表示化学溶剂泄漏；...

本发明公开了一种碳氟膜的制造方法，此制造方法是将一基底置入反应器中。接着，将高碳／氟比的反应气体导入反应器中，并且此反应气体的组成式为Ｃ＃－［ｘ］Ｆ＃－［ｙ］，其中ｙ／ｘ的比例≤２。然后，提供反应器的上极板一第一电源以离子化此反应气体，...

一种在晶圆上监控重叠对准的方法，其特征是，该方法包括： 辨识一目标机器； 辨识一目标程序； 辨识复数个关键层； 从一晶圆上至少一指定定位图案中，获得复数个重叠数据当成一基准数据； 提供复数个参考重叠数据； ...

一种半导体元件的制造方法，其特征在于：包括： 提供一晶圆基底； 形成一第一氧化硅层于该晶圆基底上； 以低温沉积制作工艺形成一氮化物层于该第一氧化硅层上； 形成一第二氧化硅层于该氮化物层上。

本发明有关一种制作快闪存储器的方法，特别是有关一种在具有埋藏导线的快闪存储器上制作接触窗的方法。本发明利用一次离子布植制程以形成埋藏导线于如浅沟渠隔离的隔离区之下。接下来在此埋藏导线上形成一介电层，并在此介电层内形成一顶部较宽而底部较窄...

一种非挥发性存储器的抹除方法，其中此非挥发性存储器具有一控制栅极、一源极、一漏极、一电荷陷入层与一基底。此方法对控制栅极施加一第一电压，对源极施加一第二电压，对漏极施加一第三电压，以及对基底施加一第四电压，以利用负栅极电压Ｆ－Ｎ穿隧效应...

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法提供已形成一层栅极介电层的基底。于此基底上形成一层材质层后，图案化此材质层，且经图案化的材质层覆盖住预定形成埋入式扩散区的区域。然后，利用实时蒸汽产生制作工艺或快速热回火制作工艺使经图案化的材质层转...

一种控制光阻分配的方法，包括下列步骤： 提供一具有旋转盘的涂覆机； 提供晶片； 将上述晶片固定在上述旋转盘上； 确认上述涂覆机的一控制板，用以控制上述旋转盘； 确认位于上述控制板上的至少一个节点，用以给上述...

本发明公开了一种半导体制造流程中定义氧化硅／氮化硅／氧化硅（ＯＮＯ）介电层的方法，首先，提供一基底，接着，在基底上依序形成一第一氧化硅层、一氮化硅层及一第二氧化硅层以构成一介电层；之后，在介电层上形成一作为保护层的硅层；接着，在硅层上形...

一种半导体组件的护层结构及其形成方法，包含一高紫外透明氮化硅层。此高紫外透明氮化硅层共形覆盖于数条形成于一半导体基底上的顶部金属线，以使凹洞被定义于邻近的顶部金属线之间。然后，在凹洞中填有旋涂式玻璃材料。接着，在高紫外透明氮化硅层以及旋...

一种于低介电材料层中形成导电结构的方法，此方法首先在一基底上形成一第一介电层。接着，在第一介电层上形成一低介电材料层，并且在低介电材料层上形成一第二介电层，其中第一介电层、低介电材料层以及第二介电层以一原位（Ｉｎ－Ｓｉｔｕ）沉积的方式所...