在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置及方法制造方法及图纸

技术编号:3210533 阅读:223 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置,包括: 一控制盒,用以接收至少一输入信号,该控制盒包括一前面板以及一电路板,该电路板用以接收至少一输入信号并触发一报警信号,该前面板包括一第一指示器,用以提供该报警信号,表示化学溶剂泄漏; 一托盘,用以搜集泄漏的化学液体,该托盘包括多个垂直侧边以及多个腿部,其中至少一腿部是可调整的,使该托盘的一个角落比该托盘的其它角落更靠近地面;以及 一传感器,用以探测化学溶剂的泄漏以及传送该输入信号至该控制盒。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种探测液体泄漏的装置,特别是一种在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置。
技术介绍
在半导体制程中,多数集成电路(Integrated Circuits,ICs)是利用沉积以及蚀刻制程形成在一硅晶圆上。举例来说,步进机(stepper)是用以在各种不同制程步骤中,将光学掩模上线路布局的设计,以紫外光对光阻曝光的方式,转换到已覆盖有光阻层以及材料层的硅基板上,再利用蚀刻技术将光阻层下方不必要的薄膜材料层去除,以保留电路布局设计。其中,光学掩模或是光阻是用以保护基板或是薄膜材料层上的特殊区域不在蚀刻制程中被去除。一般而言,湿式蚀刻以及干式蚀刻均适用以转换设计至材料层;例如,干式蚀刻中的离子反应蚀刻(Reactive Ion Etching,RIE)即是利用高能量的电浆离子不断撞击材料层所欲去除的区域;而湿式蚀刻则是利用不同种类的化学腐蚀溶剂借以腐蚀所欲去除区域的材料层。其中,湿式蚀刻亦常被用于半导体制程中硅基板上的导体、半导体、以及介电层的去除、成型、以及清洁程序中。湿式蚀刻制程中所使用的化学溶剂,常有类似氢氟酸(HF)等高腐蚀性的化学溶剂,因此常造成化学溶剂的泄漏问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置,包括一控制盒,用以接收至少一输入信号,该控制盒包括一前面板以及一电路板,该电路板用以接收至少一输入信号并触发一报警信号,该前面板包括一第一指示器,用以提供该报警信号,表示化学溶剂泄漏;一托盘,用以搜集泄漏的化学液体,该托盘包括多个垂直侧边以及多个腿部,其中至少一腿部是可调整的,使该托盘的一个角落比该托盘的其它角落更靠近地面;以及一传感器,用以探测化学溶剂的泄漏以及传送该输入信号至该控制盒。2.如权利要求1所述的在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置,其特征在于该托盘还包括一管路,与该托盘具有的一开口相连接,用以接收泄漏的化学溶剂。3.如权利要求2所述的在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置,其特征在于所述的管路与该托盘是一体成型的。4.如权利要求2所述的在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置,其特征在于所述的管路是以抗腐蚀性材料制成。5.如权利要求2所述的在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置,其特征在于所述的管路是透明管路。6.如权利要求1所述的在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置,其特征在于还包括一贴附于该托盘的夹子,且该传感器贴附于该夹子。7.如权利要求6所述的在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置,其特征在于所述的夹子是L型的。8.如权利要求1所述的在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置,其特征在于所述的传感器位于该托盘下方。9.一种在半导体制程中探测化学溶剂泄漏的装置,包括一控制盒,用以接收多个输入信号,该控制盒包括一前面板以及一电路板,该前面板具有多个指示器,且每一指示器对于化学溶剂泄漏都能发出报警信号,该电路板用于接收所述的输入信号,然后激活对应于...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄川誌钱信宏朱崇仁卓庆华
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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