半导体组件的钝化层结构及其形成方法技术

一种半导体组件的护层结构及其形成方法，包含一高紫外透明氮化硅层。此高紫外透明氮化硅层共形覆盖于数条形成于一半导体基底上的顶部金属线，以使凹洞被定义于邻近的顶部金属线之间。然后，在凹洞中填有旋涂式玻璃材料。接着，在高紫外透明氮化硅层以及旋涂式玻璃材料上有一层厚度在约８０００埃到１００００埃间的氮氧化硅层。而且，有描述了形成此一护层结构的方法。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体制作工艺，且特别有关于一种如闪存的护层(passivation)结构及其制造方法。
技术介绍
在半导体制作工艺中，护层是用来保护其下层组件免于受到湿气(moisture)、污染(contamination)、电子特性劣化(deterioration)与物理性破坏(physical damage)的影响。护层典型是由氮化硅或二氧化硅形成。这些材质可防止移动性离子(mobile ion)进入组件结构而造成如启始电压飘移的问题。在某些组件中，使用多层护层结构来缓和下层金属与介电层的应力(stress)。已知的五层护层结构包括一层等离子体增进式氧化层(PEOX)、一层高紫外透明(high ultraviolet transmittance)氮化硅层、一层旋涂式玻璃(spin-on glass)、一层厚度约6000埃的氮氧化硅层(siliconoxynitride)，以及一层厚度约9000埃的磷硅玻璃(PSG)。上述结构的缺点是其制作工艺过于复杂、耗费时间并且昂贵。而这种结构的另一缺点是因为磷硅玻璃是采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)形成的，故其粒状结构(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体组件的护层结构，适于形成于一半导体组件中，其特征在于：包括： 复数条顶部金属线，位于一基底上； 一高紫外透明氮化硅层，共形于该些顶部金属线，以使部分该高紫外透明氮化硅层的顶表面定义邻近该些顶部金属线之间成为复数个凹洞； 一旋涂式玻璃材料，位于用以定义该些凹洞的部分该高紫外透明氮化硅层的一顶表面上；以及 一氮氧化硅层，位于该高紫外透明氮化硅层以及该旋涂式玻璃材料上。

【技术特征摘要】
1.一种半导体组件的护层结构，适于形成于一半导体组件中，其特征在于包括复数条顶部金属线，位于一基底上；一高紫外透明氮化硅层，共形于该些顶部金属线，以使部分该高紫外透明氮化硅层的顶表面定义邻近该些顶部金属线之间成为复数个凹洞；一旋涂式玻璃材料，位于用以定义该些凹洞的部分该高紫外透明氮化硅层的一顶表面上；以及一氮氧化硅层，位于该高紫外透明氮化硅层以及该旋涂式玻璃材料上。2.如权利要求1所述的半导体组件的护层结构，其特征在于该高紫外透明氮化硅层具有约4000埃的厚度。3.如权利要求1所述的半导体组件的护层结构，其特征在于该旋涂式玻璃材料具有约3400埃的厚度。4.如权利要求1所述的半导体组件的护层结构，其特征在于该氮氧化硅层具有约8000埃至10000埃之间的厚度。5.如权利要求1所述的半导体组件的护层结构，其特征在于该旋涂式玻璃材料选自于包括硅酸盐基材质与硅氧烷基材质的群族。6.如权利要求1所述的半导体组件的护层结构，其特征在于其中该半导体组件包括一闪存。7.一种闪存的护层结构，其特征在于包括复数条顶部金属线，位于一基底上；一高紫外透明氮化硅层，共形于该些顶部金属线，以使该高紫外透明氮化硅层的一顶表面部分定义邻近该些顶部金属线之间成为复数个凹洞，其中该高紫外透明氮化硅层具有约4000埃的厚度；一旋涂式玻璃材料，位于用以定义该些凹洞的该高紫外透明氮化硅层的该顶表面部分上，其中该旋涂式...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈荣杰，卢成建，陈怡月，李东达，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]