一种具有高介电常数穿隧介电层的只读存储器的制造方法，其特征是，该方法包括：　　　　于一基底上形成一穿隧介电层，其中该穿隧介电层的材质选自氮氧化硅铪与氮氧化铪所组的族群其中之一；　　　　于该穿隧介电层上依序形成一电荷陷入层与一顶氧化层；　...

一种金属硅化物的制造方法，其特征是，包括下列步骤：　　　　提供一基底，其中于该基底上形成有一介电层；　　　　于该介电层上形成一导体层；　　　　于该导体层上形成一黏着层；以及　　　　于该黏着层上形成一金属硅化物层。

一种氮化硅只读存储器，其特征是，该氮化硅只读存储器包括：　　　　一基底；　　　　一控制栅极，该控制栅极设置于该基底上；　　　　一源极区与一漏极区，该源极区与该漏极区设置于该控制栅极两侧的该基底中；　　　　一电荷陷入层，该电荷陷入层设置于...

一种光阻供应系统，其特征在于：包括：　　　　一储存瓶，用以储存一光阻材料，该储存瓶具有一出口；　　　　一贮存器，该贮存器具有连接至该储存瓶的一贮存器入口；　　　　一真空泵，该真空泵连接至该贮存器。

一种非挥发性存储器的制造方法，其特征是，该方法包括：　　　　提供一基底，该基底上已形成有一捕捉层以及一图案化的光阻层；　　　　以该光阻层为一植入罩幕以形成至少一位线；　　　　在该光阻层之间形成一材料层；　　　　移除该光阻层；　　　　在该...

一种氮化硅只读存储器，其特征在于该氮化硅只读存储器包括：　　　　一个基底；　　　　一个控制闸极，该控制闸极设置在该基底上；　　　　一个电荷陷入层，该电荷陷入层设置于该控制闸极与该基底之间；　　　　一个复合介电层，该复合介电层设置于该控制...

一种存储器的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤：　　　　提供一基底，且于该基底上至少形成有一字符线；　　　　以一不使用等离子源的化学气相沉积法，在该基底上形成一衬氧化层以覆盖该基底与该字符线；以及　　　　在该衬氧化层上形成一介电层，...

一种非挥发性存储器的制造方法，其特征是，该方法包括：　　　　形成一长条状介电层在一基底上；　　　　形成一埋入式位线在该长条状介电层两侧的该基底中；　　　　图案化该长条状介电层，以形成多个块状介电层；　　　　形成一编码罩幕层在该基底上，以...

一种非挥发性存储器的结构，其特征是，该结构包括：多个存储单元、多条字符线，多条漏极线与多条源极线，其中该些存储单元以同行且相邻的两个存储单元为一组，而形成多个存储单元组，该些存储单元组并排成一行／列阵列；在每一行中， ...

一种多位闪存，其特征在于：该多位闪存包括：　　　　一基底；　　　　一控制栅极，该控制栅极设置于该基底上；　　　　一浮置栅极，该浮置栅极设置于该控制栅极与该基底之间；　　　　一栅间介电层，该栅间介电层设置于该控制栅极与该浮置栅极之间；　　...

一种化学机械研磨机台的调节器清洗装置，其特征是，该装置包括：　　　　一溢流槽；　　　　一清洗液供应装置，该清洗液供应装置与该溢流槽连通，其供应一清洗液至该溢流槽中；以及　　　　一清洗单元，装设在该溢流槽中。

一种非挥发性存储器的制造方法，其特征是，该方法包括：　　　　在一基底上形成一长条状的堆栈层，其中该长条状的堆栈层是由一栅介电层、一导电层以及一顶盖层所构成；　　　　在该长条状的堆栈层两侧的该基底中形成一埋入式位线；　　　　图案化该长条状...

一种沉积室的部件结构，具有一外壳、位于外壳内的一压环以及一螺杆，这个螺杆穿过外壳接触压环，用以释放压环所累积的电荷。此外，外壳还包括一绝缘部份环绕螺杆，以隔绝螺杆与外壳，其中螺杆的可允许的角度变化大于２３．２。

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法先在基底中形成埋入式位线并在基底上形成栅极与字线，之后，以一精准度较高的步骤，在基底上形成一具有复数个预编码开口的预编码层，该些预编码开口与基底中的复数个编码区对应。其后，在该此预编码开口中填入一填...

一种浅沟渠隔离区的制造方法，此方法首先提供一晶圆，其中晶圆上已形成有一罩幕层。接着，提供一空白晶圆，并且将空白晶圆送进一蚀刻机台中以进行一蚀刻制作工艺。之后，检视空白晶圆产生的一缺陷数量，倘若空白晶圆上的缺陷数量小于一标准值，才将晶圆送...

一种研磨垫整理器，包括一底层、一部分相稳定化金属氧化层与钻石颗粒，其配置方式在底层上配置一层部分相稳定化金属氧化层，而在部分相稳定化金属氧化层中分布有钻石颗粒。由于部分相稳定化金属氧化层具有抗酸腐蚀以及相韧变化的特性，故可延长研磨垫整理...

一种在半导体元件的制作工艺中防止钨插塞腐蚀的方法，其中在基底上已形成有钨插塞，且钨插塞与形成在基底上的导线耦接。然后，利用除电装置处理基底，以除去在导线蚀刻制作工艺中累积在导线表面上的电荷。之后，进行一湿式清洁步骤。

一种应用于集成电路的图案化的方法，此方法首先在一基底上形成一材料层，并且在材料层上形成图案化的一光阻层，其中此光阻层的厚度足够薄，而能克服微影工艺的限制。接着在光阻层表面形成一衬套层，其中此衬套层的高度为其位于光阻层侧壁的厚度。之后对衬...

一种沉积温度的检测方法，适用于检测化学气相沉积机台的反应室的沉积温度，包括：于反应室中置入待沉积物；于待沉积物上形成金属硅化物层；测量金属硅化物层的硅／金属原子比；以及将硅／金属原子比代入硅／金属原子比对温度的关系式以求得沉积温度。通过...

一种浅沟渠隔离结构的制造方法，此方法提供一基底，并于基底上已依序形成有垫氧化层、罩幕层与第一沟渠，接着于第一沟渠内与基底上形成绝缘层以填满第一沟渠，且在第一沟渠上方的绝缘层具有第二沟渠。然后，于绝缘层上形成共形的帽盖层，且在第二沟渠上方...