【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种非挥发性内存(Non-Volatile Memory)，且特别是有关于一种。
技术介绍
非挥发性内存中的可电抹除可程序只读存储器(ElectricallyErasable Programmable Read Only Memory，EEPROM)具有可进行多次资料的存入、读取、抹除等动作，且存入的资料在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种内存组件。典型的可电抹除且可程序只读存储器是以掺杂的多晶硅制作浮置闸极(Floating Gate)与控制闸极(Control Gate)。当内存进行程序化(Program)时，注入浮置闸极的电子会均匀分布在整个多晶硅浮置闸极层之中。然而，当多晶硅浮置闸极层下方的穿隧氧化层有缺陷存在时，就容易造成组件的漏电流，影响组件的可靠度。因此，为了解决可电抹除可程序只读存储器组件漏电流的问题，目前习知的一种方法是采用一个电荷陷入层取代多晶硅浮置闸极，此电荷陷入层的材质例如是氮化硅。这种氮化硅电荷陷入层上下通常各有一层氧化硅，而形成一种包含氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)复合层在内的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氮化硅只读存储器，其特征在于该氮化硅只读存储器包括一个基底；一个控制闸极，该控制闸极设置在该基底上；一个电荷陷入层，该电荷陷入层设置于该控制闸极与该基底之间；一个复合介电层，该复合介电层设置于该控制闸极与该电荷陷入层之间，且该复合介电层包括氧化硅、氮化硅、氧化硅层；一个源极区与一个漏极区，该源极区与该漏极区设置于该电荷陷入层两侧的该基底中；一个信道区，该信道区设置于该电荷陷入层下方及该源极区与该漏极区之间的该基底中；以及一个隔离区，该隔离区设置于该电荷陷入层中，且该隔离区使该电荷陷入层分离成若干个电荷陷入区块，而形成一个电荷陷入区块数组，该电荷陷入区块数组从该源极区至该漏极区的方向是列的方向，每一列包括两个电荷陷入区块，每一行则包括n个(n为正整数)电荷陷入区块；其中，该氮化硅只读存储器在未写入资料的状态下，同一列的该些电荷陷入区块下方的该信道区具有相同启始电压，不同列的该些电荷陷入区块下方的该信道区则具有不同的启始电压。2.如权利要求1所述的氮化硅只读存储器，其特征在于更包括一个穿隧氧化层，该穿隧氧化层设置于该电荷陷入层与该基底之间。3.如权利要求1所述的氮化硅只读存储器，其特征在于该电荷陷入层的材质包括氮化硅。4.如权利要求1所述的氮化硅只读存储器，其特征在于该隔离区的材质包括氧化硅。5.一种氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤提供一个基底在该基底上形成一个氧化硅层；在该氧化层上形成一个电荷陷入层；在该电荷陷入层中形成一个隔离区，该隔离区使该电荷陷入层分离成若干个电荷陷入区块，该些电荷陷入区块形成一个电荷陷入区块数组，该电荷陷入区块数组从一位线至另一位线的方向是列的方向，每一列包括两个电荷陷入区块，每一行则包括n个(n为正整数)电荷陷入区块；在一个反应室中，在该电荷陷入层上形成一个复合介电层；图案化该复合介电层与该电荷陷入层，以暴露出预定形成该些位线的区域；在该电荷陷入层两侧的该基底中形成该些位线；在该电荷陷入层上形成一个控制闸极；以及进行一个启始电压调整步骤，使不同列的该些电荷陷入区块下方的信道区具有不同的启始电压。6.如权利要求5所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于该电荷陷入层的材质包括氮化硅。7.如权利要求5所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征是在该导体层中形成该隔离区的方法包括在该电荷陷入层上形成一个图案化光阻层，该图案化光阻层暴露预定形成该隔离区的区域；进行一个离子植入步骤，在预定形成该隔离区的区域植入一个掺质；以及进行一个回火制程，使该掺质与该电荷陷入层的硅反应而形成该隔离区。8.如权利要求7所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于该离子植入步骤植入该导体层的掺质包括氧离子。9.如权利要求8所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其中氧离子的植入剂量包括1×1018～2×1018原子/平方公分左右。10.如权利要求8所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征在于氧离子的植入能量为2万电子伏特至8万电子伏特左右。11.如权利要求8所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张国华，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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