存储器的制造方法技术

一种存储器的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤：　　　　提供一基底，且于该基底上至少形成有一字符线；　　　　以一不使用等离子源的化学气相沉积法，在该基底上形成一衬氧化层以覆盖该基底与该字符线；以及　　　　在该衬氧化层上形成一介电层，其中该衬氧化层与该介电层是于同一个反应室中连续形成。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种在存储器元件上形成衬氧化层的方法。
技术介绍
由于只读存储器具有不因电源中断而丧失其中所储存的数据的非挥发(Non-Volatile)特性，因此许多电器产品中都必须具备此类存储器，以维持电器产品开机时的正常操作。只读存储器中最为基础的一种即是罩幕式只读存储器，一般常用的罩幕式只读存储器是利用通道晶体管当作存储单元，并于程序化(Program)阶段选择性地植入离子到指定的通道区域，通过改变启始电压(Threshold Voltage)而达到控制存储单元在读取操作中导通(On)或关闭(Off)的目的。公知在罩幕式只读存储器的内层介电层(inter-layer dielectric，ILD)工艺中，内层介电层的材质通常是采用硼磷硅玻璃(borophosposilicateglass，BPSG)，以应用于移动性离子(mobile ions)的吸气(gettering)以及得到较佳的平坦性。然而，硼磷硅玻璃中的掺质例如是硼或是磷，可能会通过热工艺扩散进入硅基底或是栅极中，进而造成元件特性的改变或是引发元件可靠度的问题。因此，为了避免上述问题的发生，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤提供一基底，且于该基底上至少形成有一字符线；以一不使用等离子源的化学气相沉积法，在该基底上形成一衬氧化层以覆盖该基底与该字符线；以及在该衬氧化层上形成一介电层，其中该衬氧化层与该介电层是于同一个反应室中连续形成。2.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征是，该衬氧化层的材质包括未掺杂硅玻璃。3.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征是，该衬氧化层的厚度为500埃至2000埃左右。4.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征是，该不使用等离子源的化学气相沉积法包括选自常压化学气相沉积与次常压化学气相沉积的其中之一。5.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征是，沉积该衬氧化层所使用的反应气体源包括四乙基硅酸盐与臭氧。6.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征是，该不使用等离子源的化学气相沉积法的操作压力为60托至450托左右。7.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征是，该介电层的材质包括硼磷硅玻璃。8.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其特征是，于该字符线与该基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：林经祥，涂瑞能，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：