一种制程装置中金属污染与微粒子的检测方法，此方法提供一控片，将控片置于欲检测的制程装置中，并以此制程装置对控片进行处理，接着在此控片上形成硅材料层，然后测量已形成硅材料层的控片上的粒子与缺陷数目，即可得知此制程装置中金属污染与微粒子污染...

一种浅槽隔离层的制作方法，在基底中形成槽。然后，进行热氧化制程，以在槽表面形成热氧化层。随后，在蚀刻气体中利用远程电浆分解三氟化氮以产生氟自由基，再以此蚀刻气体对热氧化层进行蚀刻，以去除部分热氧化层，使高宽比降低。然后，形成一层绝缘层覆...

一种闪存的制造方法，此方法是提供具有存储单元区与外围电路区的基底，再于存储单元区的基底上形成穿隧介电层，并于周边电路区的基底上形成衬层。接着，于基底上形成图案化的栅极导体层。然后，于基底上依序形成栅间介电层与保护层。其后，移除外围电路区...

一种应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，其首先提供一基底，其中基底上已形成有呈矩阵排列的复数个存储单元。接着，在基底上形成一光阻层，覆盖住存储单元。之后，在光阻层的上方设置一光罩，其中光罩上具有复数个编码开口与复数个拟开口，而且编...

一种浅沟渠隔离区的制造方法，此方法先在所形成的沟渠内部分的填入一第一绝缘层之后，再进行一表面处理步骤于部分第一绝缘层的表面与侧壁处形成一处理层。随后，移除处理层，再于第一绝缘层上形成一第二绝缘层，而填满沟渠，以形成一浅沟渠隔离区。由于本...

本发明公开了一种非挥发性存储元件的结构，由一栅极、一位线以及一字符线所组成，其中位线是由一埋藏扩散导线与位于埋藏扩散导线上的一提高的导体层所组成，栅极则位于位线的提高的导体层之间；而字符线约与位线垂直，且位于栅极上并跨过位线的提高的导体...

一种制造半导体器件的方法，包括先提供一晶片基底，然后，在该晶片基底上提供一绝缘体；再于该绝缘体上沉积第一硅层。之后，于该第一硅层上形成一电介质材料层，再于该电介质材料层上沉积第二硅层。接着，于该第二硅层上提供一光阻层，再图案化并定义该光...

一种微晶图制作过程，其首先在一基底的上方形成一光阻层。之后，在光阻层的上方设置第一光掩模，该第一光掩模上具有一高密度图案。之后，进行第一曝光步骤，以将该第一光掩模上的高密度图案转移至光阻层，其中第一曝光步骤的曝光能量为Ｅ１。之后，再于光...

本发明是一种制造半导体器件的方法，该方法包括：设置一多晶硅层，利用导电浆料中氧自由基反应形成一第一氧化层于此多晶硅层上，并利用由导电浆料中氮自由基反应形成一氮化层于上述的第一氧化层上，再由导电浆料中氧自由基反应形成一第二氧化层于上述的氮...

一种蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法，此方法首先提供一磷酸槽，并且在磷酸槽的侧边装设一声波产生器。接着，将一晶圆浸入磷酸槽中，其中晶圆上已形成有一氮化硅薄膜。之后，开启声波产生器，以使晶圆上的氮化硅薄膜被蚀刻或移除。由于本发明在磷酸槽的侧边装...

一种移除氮化硅层的方法，此方法系首先提供一晶圆，其中晶圆上已形成有一氮化硅层，且氮化硅层系暴露出部分晶圆。之后，将晶圆置于一蚀刻反应槽中，且此蚀刻反应槽中系注入有一含氧化能力之化学反应物，以移除晶圆上氮化硅层。其中在移除氮化硅层之过程中...

本发明公开了一种利用遮蔽式鸟嘴改善高密度快闪记忆体穿隧氧化层边缘电崩溃的方法，其是在元件区的边缘形成鸟嘴边衬，以防止后续形成的穿隧氧化层在元件区的角落太过尖锐使得局部电场增强，进而引发边缘电场效应造成崩溃。

本发明是关于一种快速热退火的方法，其制程是在快速热退火装置中对一晶圆进行第一快速热退火步骤，并监测一制程参数，判断该制程参数的实测值是否超出一第一制程参数范围，其中第一制程参数范围是为第一快速热退火制程正常进行时的制程参数加减一第一预定...

一种形成微机电装置及集成电路的方法，其基本步骤包括：提供半导体基材包含第一区域和第二区域，形成集成电路装置在第一区，形成第一绝缘层在半导体基材上，蚀刻第一绝缘层以形成第一介电层在第一区和第二介电层在第二区，其中，第二介电层跟第一介电层间...

一种自行对准接触窗（Ｓｅｌｆ－Ａｌｉｇｎｅｄ　Ｃｏｎｔａｃｔ，ＳＡＣ）开口／无边界接触窗开口的形成方法，其特征在于其包括以下步骤：　　　　在一基底中形成一浅沟渠隔离（Ｓｈａｌｌｏｗ　Ｔｒｅｎｃｈ　Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ，ＳＴＩ）结构，以定义...

本发明是关于一种字符线交接点布局结构，其包括：一隔离岛，位于二内存区域之间的一基底上；一字符线，横跨过该基底以及该隔离岛；一接触窗，位于该隔离岛上方的该字符线上，其中隔离岛与接触窗的尺寸相近；以及一金属线，位于基底的上方，且藉由该接触窗...

一种自对准双位非易失性存储单元，其特征在于包括：　　　　一通道；　　　　两位线，分别位于该通道的两侧成列状的排列；　　　　两隔离线，在对应于该位线的上方；　　　　一控制栅极，在该隔离线和该通道上方成行状配置；　　　　一保护层位于该控制栅...

一种形成非挥发性存储元件的方法，先于一半导体基底上形成一堆栈结构，包括一穿隧氧化层、一浮置栅极、一薄氧化层以及一控制栅极。之后，蚀刻定义堆栈结构的侧壁，再植入掺质到暴露出的基底区域内，以于邻接堆栈结构的基底中形成源极与漏极区。然后，于堆...

一种在一基板上制造一集成电路的方法，该方法是形成一位于该基板上的一阵列区域的光罩式只读存储器以及一位于该基板上一非阵列区域的其它电路组件，该方法包括：　　　　覆盖一第一多晶硅层于该非阵列区域上；　　　　覆盖一电容介电层至少于一第一电容板...

一种无场氧化绝缘架构闪存单元的制造方法，包括：　　　　提供一半导体基底；　　　　依序在该半导体基底上形成一第一介电层、一第一导电层及一罩幕层；　　　　在该罩幕层内形成多个沿第一方向延伸的第一组件图案；　　　　去除未被上述第一组件图案遮蔽...