闪存的制造方法技术

一种闪存的制造方法，此方法是提供具有存储单元区与外围电路区的基底，再于存储单元区的基底上形成穿隧介电层，并于周边电路区的基底上形成衬层。接着，于基底上形成图案化的栅极导体层。然后，于基底上依序形成栅间介电层与保护层。其后，移除外围电路区的保护层、栅间介电层、第一导体层与衬层，再于外围电路区的基底上形成栅极介电层，并使存储单元区的保护层转变为氧化物层。之后，于基底上形成导体层，再图案化存储单元区的导体层、氧化物层、栅间介电层与栅极导体层以形成存储器栅极，并图案化外围电路区的第二导体层以形成栅极。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体元件的制造方法，且特别是有关于一种闪存(Flash Memory)元件的制造方法。
技术介绍
闪存(Flash Memory)元件由于具有可多次进行数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种非挥发性存储器元件。典型的闪存元件是以掺杂的多晶硅制作浮置栅极(Floating Gate)与控制栅极(Control Gate)。而且，控制栅极直接设置在浮置栅极上，浮置栅极与控制栅极之间以介电层相隔，而浮置栅极与基底间以穿隧氧化层(Tunneling Oxide)相隔(亦即所谓堆栈栅极闪存)。此闪存元件是利用控制栅极上所施加的正或负电压来控制浮置栅极(Floating gate)中的电荷的注入与排出，以达到存储的功能。图1A至图1D所示为公知一种闪存元件的部分制造流程剖面图。在图1A至图1D中，基底100可划分为存储单元区102与外围电路区104。首先，请参照图1A，于存储单元区102的基底100上形成穿隧介电层106，并于外围电路区104的基底100上形成衬层108。接着，于整个基底100本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤：　　　　提供具有一存储单元区与一外围电路区的一基底；　　　　于该存储单元区的该基底上形成一穿隧介电层，并于该周边电路区的该基底上形成一衬层；　　　　于该基底上形成一第一导体层；　　　　图案化该存储单元区上的该第一导体层，以形成一栅极导体层；　　　　于该基底上形成一栅间介电层；　　　　于该栅间介电层上形成一保护层；　　　　移除该外围电路区的该保护层、该栅间介电层、该第一导体层与该衬层；　　　　于该外围电路区的该基底形成一栅极介电层，并使该存储单元区的该保护层转变为一氧化物层；　　　　于该基底上形成一第二导体层；以及　　　　图案化该存储单元区的该第...

【技术特征摘要】
1.一种闪存的制造方法，其特征是，该方法包括下列步骤提供具有一存储单元区与一外围电路区的一基底；于该存储单元区的该基底上形成一穿隧介电层，并于该周边电路区的该基底上形成一衬层；于该基底上形成一第一导体层；图案化该存储单元区上的该第一导体层，以形成一栅极导体层；于该基底上形成一栅间介电层；于该栅间介电层上形成一保护层；移除该外围电路区的该保护层、该栅间介电层、该第一导体层与该衬层；于该外围电路区的该基底形成一栅极介电层，并使该存储单元区的该保护层转变为一氧化物层；于该基底上形成一第二导体层；以及图案化该存储单元区的该第二导体层、该氧化物层、该栅间介电层与该栅极导体层以形成多个存储器栅极，并图案化该外围电路区的该第二导体层以形成多个栅极。2.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征是，该栅间介电层包括氧化硅/氮化硅/氧化硅层。3.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征是，该栅极导体层的材质包括多晶硅。4.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征是，该保护层的材质包括氮化硅。5.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征是，于该外围电路区的该基底形成该栅极介电层，并使该存储单元区的该保护层转变为该氧化物层的方法包括热氧化法。6.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征是，该第二导体层的材质包括多晶硅。7.一种闪存的制造方法，其特征是，该方法包括下列步...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈光钊，施学浩，杨令武，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]