形成具有自行对准接触窗的存储装置的方法和所形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术是一种形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法和所形成装置，此方法包括提出一基底，在基底上依序形成一浮置闸介电层、一浮置多晶硅闸层、一氮化硅层与一光阻层。并以光阻层作为蚀刻罩幕，蚀刻氮化硅层与浮置多晶硅闸层。在暴露区表面上形成一氧化层，并移除光阻层与氮化硅层以暴露浮置多晶硅闸层，之后在浮置多晶硅闸层中形成多晶硅间隙，以及在浮置多晶硅闸层的多晶硅间隙上，沉积一氮化硅层，以形成一自行对准接触窗。本发明专利技术可配合记忆胞的小型化发展、增加光接触窗微影技术的裕度与解决习知随机缺陷所导致的单一位元失效问题。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种记忆元件的制造方法，特别是涉及一种形成具有自行对准接触窗(self-aligned contacts)的记忆元件的方法和所形成装置。
技术介绍
快闪记忆体(记忆体即存储介质，存储器，内存，以下均称为记忆体)是非挥发性储存集成电路成长中的一类。快闪记忆体具有可电除、可程式化及可读取芯片(即芯片)上记忆胞的能力。快闪记忆体的记忆胞由所谓的浮置闸(floating gate)电晶体组成，其资料(即数据，以下均称为资料)是藉由充电或放电浮置闸而储存在记忆胞里。浮置闸是一个导电材料，典型为多晶硅。浮置闸经由一氧化薄层或其他绝缘物质与电晶体的通道隔离，以及经由第二层绝缘材料与控制闸或电晶体的字元线隔离。浮置闸充电的行为一般称为快闪记忆体的程式化步骤。藉由所谓的热电子注射来实现，例如在闸极与源极之间产生一较大正电压，例如是12伏特，以及介于汲极与源极之间的一正电压，例如是7伏特。浮置闸放电的行为被称为快闪记忆体抹除功能。这抹除功能一般是经由在浮置闸与电晶体的源极之间(源极抹除)或浮置闸与基底之间(通道抹除)的一F-N穿隧机制完成。例如，一源极抹除操作由一个从源极到闸极的较大正本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一浮置闸介电层形成其上；在该浮置闸介电层上形成一浮置多晶硅闸层；在该浮置多晶硅闸层上形成一氮化硅层；在该氮化硅层上形 成一光阻层；以该光阻层作为蚀刻罩幕，蚀刻该氮化硅层的多数个暴露区与该浮置多晶硅闸层；在该些暴露区上形成一氧化层；移除该光阻层与该氮化硅层以暴露该浮置多晶硅闸层；在该浮置多晶硅闸层中，形成多数个多晶硅间隙；以及 在该浮置多晶硅闸层的该些多晶硅间隙之上，沉积一氮化硅层，...

【技术特征摘要】
US 2003-11-13 10/714,1281.一种形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法，其特征在于其包括以下步骤提供一基底，该基底具有一浮置闸介电层形成其上；在该浮置闸介电层上形成一浮置多晶硅闸层；在该浮置多晶硅闸层上形成一氮化硅层；在该氮化硅层上形成一光阻层；以该光阻层作为蚀刻罩幕，蚀刻该氮化硅层的多数个暴露区与该浮置多晶硅闸层；在该些暴露区上形成一氧化层；移除该光阻层与该氮化硅层以暴露该浮置多晶硅闸层；在该浮置多晶硅闸层中，形成多数个多晶硅间隙；以及在该浮置多晶硅闸层的该些多晶硅间隙之上，沉积一氮化硅层，以形成一自行对准接触窗。2.根据权利要求1所述的形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法，其特征在于其中所述的氮化硅层的沉积包括在该浮置多晶硅闸层与该氧化层之上，沉积一氮化硅层。3.根据权利要求1所述的形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法，其特征在于其更包括蚀刻该氮化硅层，以暴露部份的该浮置多晶硅闸层。4.根据权利要求1所述的形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法，其特征在于其更包括蚀刻该氮化硅层，以暴露部份的该浮置闸介电层。5.根据权利要求3所述的形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法，其特征在于其更包括蚀刻该氮化硅层，以产生多数个氮化硅间隙壁。6.根据权利要求5所述的形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法，其特征在于其中所述的该些氮化硅间隙壁被形成在该浮置多晶硅闸层上。7.根据权利要求1所述的形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法，其特征在于其中该浮置多晶硅闸层是一第一浮置多晶硅闸层；该方法更包括在该第一浮置多晶硅闸层、该氧化层与该些氮化硅间隙壁上，沉积一第二浮置多晶硅闸层。8.根据权利要求7所述的形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法，其特征在于其更包括在该第二浮置多晶硅闸层上沉积一层间介电层。9.根据权利要求8所述的形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱宏裕，陈铭祥，吕文彬，曾铕寪，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]