应用于掩模式只读存储器编码布植的光刻工艺制造技术

一种应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，其首先提供一基底，其中基底上已形成有呈矩阵排列的复数个存储单元。接着，在基底上形成一光阻层，覆盖住存储单元。之后，在光阻层的上方设置一光罩，其中光罩上具有复数个编码开口与复数个拟开口，而且编码开口对应于一预定编码布植的沟道区，拟开口对应于其余的沟道区，且拟开口的尺寸小于一临界尺寸，以使拟开口在后续微影工艺中无法转移至光阻层上。继之，进行一微影工艺，以将光罩上的编码开口转移至光阻层上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种微影工艺(Photolithography)，且特别是有关于一种应用于罩幕式只读存储器编码布植(Code Implantation)的微影工艺。
技术介绍
一般罩幕式只读存储器的结构包括数条位线(Bit Line，BL)以及横跨于位线上的数条多晶硅字符线(Word Line，WL)。而位于字符线下方以及两相邻位线之间的区域则是存储单元的沟道区。对某些罩幕式只读存储器而言，其程序化的方法利用于沟道中植入离子与否，来储存数据「0」或「1」。而此种将离子植入于特定的沟道区域的工艺又称为编码布植工艺。通常罩幕式只读存储器的编码布植工艺，首先利用一光罩将形成于基底上的光阻层图案化，而暴露欲编码的沟道区。接着，再以此图案化的光阻层为罩幕进行一离子植入工艺，以将离子植入于预定编码的沟道域中。然而，罩幕式只读存储器的编码布植工艺中用来作为编码罩幕的光罩，通常会因电路设计的需求而在同一光罩上形成单一(Isolated)图案区与密集(Dense)图案区。然而，在进行图案转移的曝光步骤时，由于单一图案区的曝光的光强度较密集图案区的曝光的光强度为强，因此容易使密集图案区与单一图案区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，其特征在于，包括：　　　　提供一基底，该基底上已形成有呈矩阵排列的复数个存储单元；　　　　在该基底上形成一光阻层，覆盖该些存储单元；　　　　将一光罩设置在该光阻层的上方，其中该光罩上具有复数个编码开口与复数个拟开口，该些编码开口对应于一预定编码布植的沟道区，该些拟开口对应于其余的沟道区，且该拟开口的尺寸小于一临界尺寸，以使该拟开口无法转移至该光阻层上；以及　　　　进行一微影工艺，以将该光罩上的该些编码开口转移至该光阻层上。

【技术特征摘要】
1.一种应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，其特征在于，包括提供一基底，该基底上已形成有呈矩阵排列的复数个存储单元；在该基底上形成一光阻层，覆盖该些存储单元；将一光罩设置在该光阻层的上方，其中该光罩上具有复数个编码开口与复数个拟开口，该些编码开口对应于一预定编码布植的沟道区，该些拟开口对应于其余的沟道区，且该拟开口的尺寸小于一临界尺寸，以使该拟开口无法转移至该光阻层上；以及进行一微影工艺，以将该光罩上的该些编码开口转移至该光阻层上。2.如权利要求1所述的应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，其特征在于，该临界尺寸小于0.12微米。3.如权利要求1所述的应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，其特征在于，该临界尺寸小于0.09微米。4.如权利要求1所述的应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，其特征在于，该些编码开口的尺寸介于0.22微米至0.26微米之间。5.如权利要求1所述的应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，其特征在于，该些编码开口的尺寸介于0.18微米至0.20微米之间。6.如权利要求1所述的应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺，其特征在于，该微影工艺的一曝光光源波长...

【专利技术属性】
技术研发人员：许伟华，张庆裕，钟维民，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]