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应用于掩模式只读存储器编码布植的光刻工艺制造技术
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文档序号:3206820
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一种应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺,其首先提供一基底,其中基底上已形成有呈矩阵排列的复数个存储单元。接着,在基底上形成一光阻层,覆盖住存储单元。之后,在光阻层的上方设置一光罩,其中光罩上具有复数个编码开口与复数个拟开口,而且编码开...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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