温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种闪存的制造方法，此方法是提供具有存储单元区与外围电路区的基底，再于存储单元区的基底上形成穿隧介电层，并于周边电路区的基底上形成衬层。接着，于基底上形成图案化的栅极导体层。然后，于基底上依序形成栅间介电层与保护层。其后，移除外围电路区的保...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。