一种自对准接触窗形成方法，包括：　　　　在半导体衬底上至少一栅叠置结构；　　　　在该半导体衬底和该栅叠置结构上，形成第一介电层；　　　　在该第一介电层上形成第二介电层，该第二介电层相对于该第一介电层具有蚀刻选择性；　　　　蚀刻该第二介电...

一种半导体炉管温度及气体流量异常事件的预防方法，该炉管被一加热器环绕，该炉管的管壁及邻近该加热器分别装设第一及第二热耦，一温度控制器根据该第一及第二热耦调控该加热器，及一流量控制器管制导入该炉管的气体流量，其特征是包括下列步骤：　　　　...

一种闪存的制造方法，包括下列步骤：　　　　于一基底上依序形成一穿隧介电层、一第一导体层与一掩模层；　　　　进行一第一图案化制造工艺，定义该穿遂介电层、该掩模层与该第一导体层，以于该基底上形成一条状物；　　　　于该条状物之间的该基底中形成...

一种闪存的制造方法，包括下列步骤：　　　　于一基底上依序形成一穿隧介电层、一导体层与一掩模层；　　　　进行一第一图案化制造工艺，定义该穿隧介电层、该掩模层与该导体层，以于该基底上形成一条状物；　　　　进行一离子植入制造工艺，于该条状物之...

一种可掀式探针卡反面调针治具，它包括电子显微镜；其特征在于所述的调针机平台上固设底座；底座设有转动结构；转动结构连设放置可抽换玻璃的玻璃基座及借以缓冲玻璃基座翻转至水平共面时的速度的缓冲件；玻璃基座上设有并借以翻转调整玻璃基座的翻转结构。

一种罩幕式只读记忆体的光罩检验方法，它包括选取晶片步骤、植入随意码步骤及测试晶片步骤；其特征在于所述的选取晶片步骤系选取两个相同光罩制程的第一、二晶片；植入随意码步骤系分别在第一晶片上植入第一双态随意码及在第二晶片上植入为与第一双态随意...

一种用于快闪记忆体的自对准制程，它包括依序在穿隧氧化层沉积第一多晶矽层、ＯＮＯ层、第二多晶矽层、矽化钨层及硬遮层的形成闸极步骤、以闸极为遮罩形成源极及汲极步骤、退火处理步骤及于闸极的旁边形成侧壁边衬步骤；其特征在于所述的退火处理步骤前包...

一种金属硅化物的制造方法，其特征在于该方法包括以下步骤：　　　　提供一硅层；　　　　进行一离子植入步骤，以在该硅层中掺入一离子，而形成一阻绝层；　　　　在该硅层上形成一金属层；以及　　　　进行一回火制程，以使该硅层与该金属层反应生成一金...

一种堆叠式双芯片封装结构，包括：　　　　至少一第一芯片，具有一作用面与相对的一非作用表面，其中上述作用面具有一中央部分与一周边部分，并且上述周边部分具有多个第一焊盘；　　　　一导线架，上述导线架包括多个引脚与一芯片支撑座，其中上述芯片支...

一种无沟槽隔离转角的非挥发性存储器结构，包含：　　　　一底材；　　　　至少一沟槽隔离装置，该沟槽隔离装置包含一位于该底材上的第一部份，与一位于该底材中的第二部份；及　　　　一间隙壁，位于该第一部分的一侧壁上，该间隙壁覆盖一位于该侧壁与该...

本发明是关于一种半导体记忆元件及其记忆胞编程方法和罩幕式只读存储器，其包括在一基底上成长一介电层。在介电层上形成条状堆叠层，每一条状堆叠层有一多晶硅与一氮化硅层。而在条状堆叠层之间的基底中形成源极／汲极区，再在条状堆叠层之间沉积间隙壁。...

一种操作一非易失性存储单元的方法，该方法包括以下步骤：（ａ）编程该存储单元；（ｂ）注入电子至该存储单元之一俘获层中；（ｃ）擦除该存储单元；（ｄ）释放（ｄｅｔｒａｐｐｉｎｇ）该存储单元；以及（ｅ）重复步 ...

本发明是关于一种形成非挥发性记忆胞的方法及用这方法形成的半导体结构。该形成非挥发性记忆胞的方法，包括在一组成叠层上沉积一氧化层，且组成叠层具有一介电层、介电层上有一第一导电层。之后，去除部分氧化层的上部以暴露介电层，再去除介电层以及剩余...

一种芯片封装结构，包括：芯片，具有一作用面与相对的一非作用表面，其中，上述作用面具有一中央部分与一周边部分，并且上述周边部分具有多个焊盘；一导线架，上述导线架包含多个引出腿、多个支撑架与一芯片支撑座，上述支撑架连结该芯片支撑 ...

一种形成一非挥发性存储单元的方法，包括于一基底表面上形成含有一电子捕捉层的一组成叠层。于组成叠层上形成一介电层，再去除部分以便沿组成叠层侧壁有介电层的剩余物的存在。之后，于邻近组成叠层的基底中的一位线上形成一氧化层，再于组成叠层及氧化层...

一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其包括：　　　　提供一半导体基底；　　　　于该半导体基底形成一具有第一导电性的埋置扩散层；　　　　于该半导体基底中形成多个隔离区，使得该埋置扩散层形成多条位元线；　　　　于该埋置扩散层及该...

一种在一基板上制造一集成电路的方法，该集成电路包括一位于该基板上一数组区域的非挥发性存储器以及一位于该基板上一非数组区域的其它电路，所述制造方法包括：　　　　在该基板的所述数组区域及非数组区域上形成一栅极介电层；在该基板的所述数组区域及...

一种多批晶圆修改属性编号的方法，每一批晶圆具有一批号及第一属性编号，该方法包括下列步骤：　　　　Ａ．写入需修改属性编号的该批号、第一属性编号及一第二属性编号成为文字数据；　　　　Ｂ．分批读取该文字数据内的一个该批号、第一及第一属性编号；...

一种ＮＡＮＤ型双位氮化物只读存储器，其特征在于，至少包括：　　　　一基板；　　　　数个隔离层，以相互隔开而平行的方式形成于所述基板中；　　　　数条字符线，以相互隔开而平行的方式形成于所述基板之上，所述字符线与所述隔离层垂直交错；　　　　...

一种半导体元件，包含：一衬底、一设置在该衬底中的阱区、一设置在该阱区中的漏极扩散区与源极扩散区、一设置在该阱区表面的栅绝缘层、一设置在该栅绝缘层上的栅极、一设置在该阱区中的衬底接触扩散区，以及设置在该阱区中的至少一绝缘槽；该衬底接触扩散...