【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种，特别是有关于一种增加浮栅极与控制栅极间的重叠面积的。
技术介绍
闪存器件由于其优越的数据保存特性，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种内存器件。典型的闪存器件，一般是被设计成具有堆栈式栅极(Stack-Gate)结构，其中包括一穿隧氧化层，一用来储存电荷的多晶硅浮栅极(Floating Gate)，一氧化硅/氮化硅/氧化硅(Oxide-Nitride-Oxide，ONO)结构的介电层，以及一用来控制数据存取的多晶硅控制栅极(Control Gate)。在闪存的操作上，通常浮栅极与控制栅极之间的栅极耦合率(Gate-Coupling Ratio，GCR)愈大，其操作所需的工作电压将愈低，而闪存的操作速度与效率就会大大的提升。其中增加栅极耦合率的方法，包括了增加浮栅极与控制栅极间的接触面积、降低浮栅极与控制栅极间的介电层的厚度、以及增加浮栅极与控制栅极间的介电层的介电常数(DielectricConstant；k)等。增加浮栅极与控制栅极间的重叠面积，有助于增加栅极耦合率，但是在集成电路持续追求高集成度的趋势下，闪存器件每一个存储...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存的制造方法，包括下列步骤于一基底上依序形成一穿隧介电层、一第一导体层与一掩模层；进行一第一图案化制造工艺，定义该穿遂介电层、该掩模层与该第一导体层，以于该基底上形成一条状物；于该条状物之间的该基底中形成一埋入式漏极区；进行一第二图案化制造工艺，定义该条状物，于该基底上形成一栅极结构，该栅极结构由一图案化穿遂介电层、一图案化掩模层与一图案化第一导体层所构成；于该栅极结构的周围的该基底上形成一绝缘层，该绝缘层的表面低于该图案化第一导体层的表面，暴露出该图案化第一导体层的部分侧壁表面；于该栅极结构的周围的该绝缘层上形成一材料层；移除该图案化掩模层；于该栅极结构的该图案化第一导体层的顶表面上形成一图案化第二导体层，该图案化第二导体层覆盖该图案化第一导体层的顶表面，并且延伸覆盖至该图案化第一导体层周缘的该材料层上，而与该图案化第一导体层构成一浮栅极；移除该材料层，以暴露出该图案化第一导体层的部分侧壁表面；于该浮栅极所裸露的表面上形成一栅间介电层；以及于该栅间介电层上形成一控制栅极。2.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于于该图案化第一导体层上形成一图案化第二导体层之后，移除该材料层之前还包括以下步骤(a).于该图案化第二导体层的周围形成一另材料层，该材料层的表面高度低于或是大致等于该图案化第二导体层的表面高度；(b).在该图案化第二导体层上形成一图案化第三导体层，该图案化第三导体层覆盖该图案化第二导体层并且延伸至该另一材料层上，并且该图案化第一、第二与第三导体层构成该浮栅；以及(c).移除该另一材料层。3.如权利要求2所述的闪存的制造方法，其特征在于该材料层的材质与该绝缘层具有不同蚀刻率。4.如权利要求2所述的闪存的制造方法，其特征在于形成该图案化第三导体层与去除该另材料层的步骤之间还包括重复上述(a)至(c)步骤。5.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于该材料层的材质与该绝缘层具有不同蚀刻率。6.如权利要求5所述的闪存的制造方法，其特征在于于该绝缘层的材质包括氧化硅、氮化硅、旋涂式玻璃其中之一。7.如权利要求5所述的闪存的制造方法，其特征在于该材料层的材质包括硼磷硅玻璃或磷硅玻璃其中之一。8.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于于该栅极结构的周围形成该绝缘层的步骤包括于该基底上形成一绝缘材料层，以覆盖该栅极结构的上表面并且填满该栅极结构的周围；去除该栅极结构的上表面上所覆盖的该绝缘材料层，以暴露该掩模层的表面；以及移除部分该绝缘材料层，使该绝缘材料层的表面介于该图案化第一导体层的底表面与该图案化第一导体层的顶表面之间，而形成该绝缘层。9.如权利要求8所述的闪存的制造方法，其特征在于去除该栅极结构的上表面上所覆盖的该绝缘材料层的方法为化学机械...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈光钊，吕瑞霖，杨令武，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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