【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种内存及制造方法，特别涉及一种制作工艺顺序与互补性金氧化半导体(complementary metal-oxide semiconductor，CMOS)兼容的NAND型双位(dual bit)氮化物只读存储器(nitride read only memory，NROM)及制造方法。
技术介绍
NROM可区分为NOR型及NAND型。NOR型NROM具有可储存指令、可立即执行、快速读取、每一存储单元(cell)的面积大及每一存储单元的储存容量小等特性，主要是应用在手机、光驱、硬盘及打印机上。NAND型NROM具有只能存放数据，不能存放指令、每一存储单元的面积小及每一存储单元的储存容量大等特性，其主要应用在MP3播放机、数字相机、数字摄录像机及移动电话等电子产品中的存储卡(memory card)上。请同时参照图1A及图1B，图1A为传统的NOR型双位NROM的部分俯视图，图1B为沿着图1A的剖面线1B-1B’所视的NOR型双位NROM的剖面图。在图1A及图1B中，NOR型双位NROM 30至少包括一硅基板(silicon substrate)10...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种NAND型双位氮化物只读存储器，其特征在于，至少包括一基板；数个隔离层，以相互隔开而平行的方式形成于所述基板中；数条字符线，以相互隔开而平行的方式形成于所述基板之上，所述字符线与所述隔离层垂直交错；数个氧化物/氮化物/氧化物堆栈结构，各形成于对应的所述字符线及所述基板之间；以及数条非连续性位线，形成于所述字符线之间及所述隔离层之间的所述基板中。2.如权利要求1所述的内存，其特征在于，所述基板为一硅基板。3.如权利要求1所述的内存，其特征在于，所述隔离层以一浅沟槽隔离法形成于所述基板中。4.如权利要求1所述的内存，其特征在于，所述隔离层以一局部硅氧化法形成于所述基板中。5.如权利要求1所述的内存，其特征在于，每一所述隔离层的材质为绝缘物质。6.如权利要求1所述的内存，其特征在于，每一所述隔离层的材质为二氧化硅。7.如权利要求1所述的内存，其特征在于，每一所述ONO堆栈结构包括一底氧化物层，形成于所述基板上；一氮化物层，形成于所述底氧化物层上；以及一上氧化物层，形成于所述氮化物层上。8.如权利要求7所述的内存，其特征在于，所述氮化物层的材质为氮化硅。9.如权利要求1所述的内存，其特征在于，每一所述字符线的材质为多晶硅。10.如权利要求1所述的内存，其特征在于，所述非连续性位线以离子植入法形成于所述字符线之间及所述隔离层之间的所述基板中。11.一种NAND型双位氮化物只读存储器的制造方法，至少包括提供一基板；形成数条相互隔开而平行的隔离层于所述基板中；形成数条字符线和数个ONO堆栈结构于所述基板之上，所述字符线相互隔开而平行，并与所述隔离层垂直交错，每一所述ONO堆栈结构位于对应的所述字符线及所述基板之间；以及形成数条非连续性位线于所述字符线之间及所述隔离层之间的所述基板中。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述形成数条相互隔开而平行的隔离层于所述基板中的步骤中还包括以一浅沟槽隔离法形成数条相互隔开而平行的隔离层于所述基板中。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述以一浅沟槽隔离法形成数条相互隔开而平行的隔离层于所述基板中的步骤中还包括形成一图案化硬质掩模层于所述基板上；去除暴露的部分的所述基板，以形成数条相互隔开而平行的浅沟渠于所述基板中；填入一绝缘物质于所述浅沟渠中，以形成数条相互隔开而平行的隔离层于所述基板中；以及去除所述图案化硬质掩模层。14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述绝缘物质为二氧化硅。15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述形成数条相互隔开而平行的隔离层于所述基板中的步骤中还包括以一局部硅氧化法形成数条相互隔开而平行的隔离层于所述基板中。16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述以一局部硅氧化法形成数条相互隔开而平行的隔离层于所述基板中的步骤中还包括形成一图案化硬质掩模层于所述基板上；氧化暴露的部分的所述基板，以形成数条相互隔开而平行的隔离层于所述基板中；以及去除所述图案化硬质掩模层。17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述图案化硬质掩模层的材质为四氮化三硅。18.如权利要求11所述的方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘建宏，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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