具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法技术

一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其包括：　　　　提供一半导体基底；　　　　于该半导体基底形成一具有第一导电性的埋置扩散层；　　　　于该半导体基底中形成多个隔离区，使得该埋置扩散层形成多条位元线；　　　　于该埋置扩散层及该隔离区上方形成一介电层；　　　　于该介电层中形成多个开口；　　　　于该开口中形成一具有第二导电性的扩散区，该第二导电性的电性与该第一导电性的电性相反；　　　　于每一该开口中形成一接触插塞；及　　　　于该介电层及该接触插塞上形成一导电层，以供形成字元线。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种光罩式只读存储器(mask read-only-memory，mask ROM)制造方法；特别是有关于一种具有二极管存储胞的光罩式只读存储器制造方法。(2)
技术介绍
光罩式只读存储器通常使用通道晶体管作为其存储胞。藉由选择性植入离子于通道晶体管的通道区域，以写入数据于光罩式只读存储器中。藉植入离子于特定晶体管的通道区域，改变晶体管的启始电压，进而决定存储胞的″打开″或″关闭″状态。一光罩式只读存储胞形成方法是藉沉积多晶硅字元线于位元线上，之后，存储胞通道(memory cell channel)形成于两相邻位元线间的字元线下方区域。每一光罩式只读存储胞的″1″或″0″状态是决定于是否有离子植入通道区域。藉离子植入步骤将数据写入光罩式只读存储胞的好处是可事先做好光罩式只读存储器元件的半成品。一旦所需要的数据写入编码图案(program codes)决定之后，可制作其离子遮罩，以进行最后的离子植入步骤，进而缩短交货日期。然而，此种习知方法需要一个以上的光罩，以完成离子植入步骤。另外，此离子植入步骤对于光罩式只读存储器产品的可靠度有非常重要的影响。图1A是一传统的光罩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其包括提供一半导体基底；于该半导体基底形成一具有第一导电性的埋置扩散层；于该半导体基底中形成多个隔离区，使得该埋置扩散层形成多条位元线；于该埋置扩散层及该隔离区上方形成一介电层；于该介电层中形成多个开口；于该开口中形成一具有第二导电性的扩散区，该第二导电性的电性与该第一导电性的电性相反；于每一该开口中形成一接触插塞；及于该介电层及该接触插塞上形成一导电层，以供形成字元线。2.如权利要求1所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该半导体基底是选自硅底材、锗底材及砷化锗底材之一。3.如权利要求1所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该第一导电性为N型导电性及P型导电性之一。4.如权利要求1所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该接触插塞包含钨，是使用WF6及SiH4作为反应气体，在温度约300～550℃及压力约1～100托下，以低压化学气相沉积法形成。5.如权利要求1所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该导电层包含多晶硅，是使用SiH4作为反应气体，在温度约600～650℃及压力约0.3～0.6托下，以低压化学气相沉积法形成。6.一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其包括提供一半导体基底；于该半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊沛，陈辉煌，蔡文彬，高瑄苓，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：