非易失性存储单元及其形成方法技术

一种形成一非挥发性存储单元的方法，包括于一基底表面上形成含有一电子捕捉层的一组成叠层。于组成叠层上形成一介电层，再去除部分以便沿组成叠层侧壁有介电层的剩余物的存在。之后，于邻近组成叠层的基底中的一位线上形成一氧化层，再于组成叠层及氧化层上形成一导电层。一描述的非挥发性存储单元包括在一基底表面上的一组成叠层，此一组成叠层包括一电子捕捉层。多个介电间隙壁沿着组成叠层侧壁配置。一氧化层位于邻近组成叠层的基底中的一位线上，以及一导电层位于组成叠层及氧化层上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种非挥发存储元件(non-volatile memorydevice)，且特别是有关于一种可在每一胞中储存多个位的局部捕捉电荷存储单元(localized trapped charge memory cell)结构。
技术介绍
一非挥发存储元件是被设计就算没有电源下仍可维持编程信息(programmed information)。只读存储器(read only memory，简称ROM)是一种非挥发内存，通常用于如运用微处理器的(microprocessor-based)数字电子设备(digital electronic equipment)的电子设备以及如行动电话(cellular phone)的手提式电子装置(portable electronic device)。只读存储元件通常包括多个存储单元阵列。每一存储单元阵列可显现如包括交叉的字符线与位线。每一字符线与位线交叉处相当于内存的一位。于罩幕式可编程(mask programmable)金氧半导体(MOS)只读存储元件中，在字符与位线交叉处的一金氧半导晶体管(MOStransistor)的存在或不存在区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成非挥发性存储单元的方法，其特征是，该方法包括：　　　　于一基底的一表面上形成至少一非挥发性存储单元的一组成叠层，其中该组成叠层包括一电子捕捉层；　　　　于该组成叠层上形成一介电层；　　　　去除部分该介电层，以便沿该组成叠层的侧壁有该介电层的一剩余物的存在；　　　　于邻近该组成叠层的该基底中的一位线上形成一氧化层；以及　　　　于该组成叠层及该氧化层上形成一第一导电层。

【技术特征摘要】
US 2003-6-27 10/609,0751.一种形成非挥发性存储单元的方法，其特征是，该方法包括于一基底的一表面上形成至少一非挥发性存储单元的一组成叠层，其中该组成叠层包括一电子捕捉层；于该组成叠层上形成一介电层；去除部分该介电层，以便沿该组成叠层的侧壁有该介电层的一剩余物的存在；于邻近该组成叠层的该基底中的一位线上形成一氧化层；以及于该组成叠层及该氧化层上形成一第一导电层。2.如权利要求1所述的方法，其特征是，于该位线上形成该氧化层包括于在邻近该组成叠层的该基底中存在的该位线上成长一氧化层。3.如权利要求1所述的方法，其特征是，该介电层的该剩余物系避免该氧化层延伸至该组成叠层下。4.如权利要求1所述的方法，其特征是，该电子捕捉层包括氮化硅。5.如权利要求1所述的方法，其特征是，该组成叠层更包括一第一介电层以及一第二介电层，且其中该电子捕捉层被插入该第一与第二介电层之间。6.如权利要求5所述的方法，其特征是，该组成叠层更包括一第二导电层，且其中该电子捕捉层位于该第二导电层与该基底的该表面之间。7.如权利要求1所述的方法，其特征是，该组成叠层的形成包括于该基底的该表面上依序形成一第一氧化层、一第一氮化层、一第二氧化层以及一第二导电层；于该第二导电层上形成一图案化光阻层；以及使用该图案化光阻层作为一罩幕，以图案化该第二导电层、该第二氧化层、该第一氮化层以及该第一氧化层。8.一种形成非挥发性存储单元的方法，其特征是，该方法包括于一基底的一表面上依序形成一第一氧化层、一第一氮化层、一第二氧化层以及一第二导电层；于该第二导电层上形成一图案化光阻层；使用该图案化光阻层作为一蚀刻罩幕，以于该基底的该表面上形成至少一非挥发性存储单元的一组成叠层；使用该图案化光阻层作为一掺杂罩幕，以于邻近该组成叠层的该基底中形成一位线；去除该图案化...

【专利技术属性】
技术研发人员：许富雄，刘振钦，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]