【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种，特别是有关于一种增加浮栅极与控制栅极间的重叠(Overlap)面积的。
技术介绍
闪存器件由于其优越的数据保存特性，所以已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种内存器件。典型的闪存器件，一般是被设计成具有堆栈式栅极(Stack-Gate)结构，其中包括一穿隧氧化层，一用来储存电荷的多晶硅浮栅极(Floating Gate)，一氧化硅/氮化硅/氧化硅(Oxide-Nitride-Oxide，ONO)结构的介电层，以及一用来控制数据存取的多晶硅控制栅极(Control Gate)。在闪存的操作上，通常浮栅极与控制栅极之间的栅极耦合率(Gate-Coupling Ratio，GCR)愈大，其操作所需的工作电压将愈低，而闪存的操作速度与效率就会大大的提升。增加栅极耦合率的方法，包括了增加浮栅极与控制栅极间的重叠面积、降低浮栅极与控制栅极间的介电层的厚度、以及增加浮栅极与控制栅极间的介电层的介电常数(DielectricConstant；k)等。增加浮栅极与控制栅极间的重叠面积，有助于增加栅极耦合率，但是在集成电路持续追求高集成度的趋势下，闪存器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存的制造方法，包括下列步骤于一基底上依序形成一穿隧介电层、一导体层与一掩模层；进行一第一图案化制造工艺，定义该穿隧介电层、该掩模层与该导体层，以于该基底上形成一条状物；进行一离子植入制造工艺，于该条状物之间的该基底中形成一埋入式漏极区；进行一第二图案化制造工艺，定义该条状物，于该基底上形成一浮栅极结构，其中该图案化的导体层为一浮栅极；于该浮栅极结构的周围形成一绝缘层，且使该绝缘层的表面低于该浮栅极的表面，以暴露出该浮栅极的部分侧壁表面；移除该掩模层；于该浮栅极的上表面与侧壁上形成一栅间介电层；以及于该栅间介电层上形成一控制栅极。2.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于于该浮栅极结构的周围形成该绝缘层的步骤包括于该基底上形成覆盖该浮栅极结构的上表面并且填满该浮栅极结构的周围的一绝缘材料层；去除浮栅极结构的上表面上所覆盖的该绝缘材料层，以暴露该掩模层的表面；以及移除部分该绝缘材料层，使该绝缘材料层的表面介于该导体层的底表面与导体层顶表面之间，而形成该绝缘层。3.如权利要求2所述的闪存的制造方法，其特征在于该绝缘层的材质包括氧化硅、氮化硅、悬涂式玻璃其中之一。4.如权利要求2所述的闪存的制造方法，其特征在于该绝缘层的形成方法包括高密度等离子体化学气相沉积法。5.如权利要求4所述的闪存的制造方法，其特征在于形成该绝缘层的反应气体源包括四-乙基-邻-硅酸酯及臭氧。6.如权利要求2所述的闪存的制造方法，其特征在于去除浮栅极结构的上表面上所覆盖的该绝缘材料层的方法为化学机械研磨法与回蚀刻法其中之一。7.如权利要求2所述的闪存的制造方法，其特征在于移除部分该绝缘材料层的方法包括回蚀刻法。8.如权利要求1所述的闪存的制造方法，其特征在于该掩模层的材质包括氮化硅或氧化硅。9.如权利要求8所述的闪存的制造方法，其特征在于移除该掩模层的方法包括湿式蚀刻法。10.如权利要求8所述的闪存的...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨令武，陈光钊，吕瑞霖，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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