【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储元件(memory device)的制造方法，特别涉及一种用于动态随机存取存储器的埋入式沟槽电容器(buried trench capacitor)及其制造方法。
技术介绍
当半导体进入深次微米(Deep Sub-Micron)的制作工艺时，元件的尺寸逐渐缩小，对以往的动态随机存取存储器结构而言，也就是代表作为电容器的空间愈来愈小。另一方面，由于计算机应用软件的逐渐庞大，因此所需的存储器容量也就愈来愈大，对于这种尺寸变小而存储器容量却需要增加的情形，原有的动态随机存取存储器的电容器的制造方法必须有所改变，以符合趋势所需。一般而言，增加电容器储存电荷能力的方法有很多种，例如通过增加电容器的面积，使整个储存在电容器内的电荷数量增加。而寻找新的存储电容器结构及其制造方法，以便在存储电容器所占的平面缩小的情况下，仍维持所需的电容值将是目前组件集成度不断增加情况下所欲达到的目标之一。目前有一种具有高储存电荷能力且称为“沟槽电容器”的电容器已被广泛应用在存储元件中，其制作工艺如图1A至图1G所示。图1A至图1G是公知的一种沟槽电容器的制造流程剖面示意...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种埋入式沟槽电容器的领氧化层的制造方法，包括提供一基底，在该基底中形成有一沟槽；在该沟槽下部的表面形成一第一掩模层；进行一自匮乏原子层沉积制作工艺，以便在该第一掩模层以外的部分该沟槽表面形成一第二掩模层，该第二掩模层与该第一掩模层在该沟槽侧壁相距一段距离，而暴露出该沟槽侧壁的部分该基底；进行一热氧化制作工艺，以便在该沟槽侧壁暴露的部分该基底形成一领氧化层；2.如权利要求1所述的埋入式沟槽电容器的领氧化层的制造方法，其中进行该硅局部氧化制作工艺之后还包括除去该第一掩模层与该第二掩模层。3.如权利要求1所述的埋入式沟槽电容器的领氧化层的制造方法，其中该自匮乏原子层沉积制作工艺包括通入包括一硅烷类的气体到该沟槽表面，以形成一硅单层在该沟槽表面；以及通入包括一氮气的气体到该硅单层的一表面。4.如权利要求3所述的埋入式沟槽电容器的领氧化层的制造方法，其中该第二掩模层的材质包括氮化硅。5.如权利要求1所述的埋入式沟槽电容器的领氧化层的制造方法，其中在该沟槽下部的表面形成该第一掩模层的步骤包括在该沟槽表面形成一材质层；在该沟槽内形成一光致抗蚀剂层；除去部分该光致抗蚀剂层，以暴露出该埋入电极区以上的部分该材质层；以及移除暴露出的部分该材质层。6.如权利要求5所述的埋入式沟槽电容器的领氧化层的制造方法，其中在移除暴露出的部分该材质层的步骤后还包括完全除去残留的该光致抗蚀剂层。7.如权利要求5所述的埋入式沟槽电容器的领氧化层的制造方法，其中在该沟槽表面形成该材质层的方法包括低压化学气相沉积制作工艺。8.如权利要求1所述的埋入式沟槽电容器的领氧化层的制造方法，其中该第一掩模层包括氮化层。9.一种埋入式沟槽电容器的制造方法，包括在一基底中形成一沟槽；在该沟槽下部的该基底中形成一埋入电极区，该埋入电极区是作为一下电极；在该埋入电极区暴露出的该沟槽表面形成一第一掩模层；进行一自匮乏原子层沉积制作工艺，以便在该第一掩模层以外的部分该沟槽表面形成一第二掩模层，该第二掩模层与该第一掩模层在该沟槽侧壁相距一端距离，而暴露出该沟槽侧壁的部分该基底；进行一热氧化制作工艺，以便在该沟槽侧壁暴露的部分该基底形成一领氧化层；除去该第一掩模层与该第二掩模层；在该沟槽表面形成一电容介电层；在该沟槽内形成一第一导电层，使该第一导电层的顶面低于该领氧化层的顶部，该第一导电层是作为一上电极；以及去除暴露出的该电容介电层。10.如权利要求9所述的埋入式沟槽电容器的制造方法，其中该自匮乏原子层沉积制作工艺包括通入包含一硅烷类的气体到该沟槽表面，以形成一硅单层在该沟槽表面；以及通入包含一氮气的气体到该硅单层的一表面。11.如权利要求10所述的埋入式沟槽电容器的制造方法，其中该第二掩模层的材质包括氮化硅。12.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐生旭，陈锡杰，陈全基，
申请(专利权)人：茂德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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