半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法。该制造方法包括下列步骤：首先，在衬底中形成多个凸状结构，且在相邻两个凸状结构之间具有开口。接着，形成材料层，此材料层覆盖隔离结构，并填满开口，而位于开口上方的材料层中具有凹陷。之后，在材料层上形成共形的介电层，再进行化学机械抛光工艺，以移除介电层以及开口以外的材料层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更特别，本专利技术涉及一种半导 体装置表面实质上平坦的方法。
技术介绍
当计算机(computer)的功能越来越强，及其所进行的编程运算越来越 复杂时，对存储器(memory)的需求也就越来越高。为了制造容量庞大、 成本低廉的存储器以满足这种需求，利用半导体制造技术以制作存储器已经 是近半世纪以来不可抵挡的时代潮流。而时至今日，存储器的结构设计与工 艺，更成为半导体科技持续往高集成度挑战的驱动力。在各种半导体型存储器产品中，非易失性存储器(non-volatile memory ) 存入的数据在断电后也不会消失，且可多次存入、读取或擦除数据。因具有 上述优点，非易失性半导体型存储器已成为计算机和电子设备所广泛采用的 一种存储器元件。典型的非易失性存储器元件的栅极为堆叠式结构，包括浮置栅极 (floating gate )与控制4册才及(control gate )，并以4参杂多晶石圭(doped poly-silicon)为材料。浮置栅极处于浮置状态，无任何电路与之连接。浮置 栅极与控制栅极间以栅间介电层相隔，且浮置栅极与衬底间以栅极介电层相 隔，而控制4册极则本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括：　　　　于衬底中形成多个凸状结构，且在相邻两个凸状结构之间具有开口；　　　　形成材料层，且该材料层覆盖该多个凸状结构，并填满该多个开口，而位于各该开口上方的该材料层中每个具有凹陷；　　　　于该材料层上形成共形的介电层；以及　　　　进行化学机械抛光工艺，以移除该介电层以及该多个开口以外的该材料层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林青彦，陈文栋，董人杰，吴信彦，
申请(专利权)人：茂德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]