具有多形态材料的集成电路结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有多形态材料的集成电路结构的制备方法，该方法首先形成前驱层于基板上，该前驱层在转换温度区间有具有相转换特性。之后，在第一温度下进行预定时间的第一热处理工艺，以便将该前驱层转换成具有预定晶相的多形态层，该第一温度高于该转换温度区间的上限。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有多形态(polymorphous)材料的集成电路结构的制备 方法，特别涉及一种使用快速热处理技术制备具有多形态材料的集成电路结 构，使得该多形态材料具有较低电阻的预定晶相。
技术介绍
多形态材料(例如硅化钛)已经成最广泛使用于集成电路的自行对准硅化 物应用的金属硅化物，其兼具低电阻、自行对准能力及相对较好的热稳定性。 然而，硅化钛在高温工艺中倾向团块化(agglomeration)为二种相C54相及 C49相，具有不同的结晶。相较于在较低温度下形成的C49亚稳相 (metastabe),硅化钛在高温下形成的C54相具有较低电阻及较好稳定性。使用广泛接受的已知工艺条件制备硅化钛时，首先形成较高电阻的C49 相。为了从较高电阻的C49相得到较低电阻的C54相，必须进行另一高温 回火工艺，其对金属硅化物或其它集成电路元件可能有不良影响，特别是对 较小线宽的工艺。例如，双重掺杂的多晶硅栅极结构对额外的热工艺相当敏 感，而高温回火工艺则为额外的热工艺。此外，氮化硅的剥离及破裂亦与额 外的热工艺有关。此外，快速热回火设备是用于进行硅化钛的热处理。大部分的快速热回 火机台均本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路结构的制备方法，包含：　形成前驱层于基板上，该前驱层在转换温度区间有具有相转换特性；以及　在第一温度下进行预定时间的第一热处理工艺，使该前驱层转换成预定晶相，该第一温度高于该转换温度区间的上限。

【技术特征摘要】
US 2008-5-28 12/128,4341.一种集成电路结构的制备方法，包含形成前驱层于基板上，该前驱层在转换温度区间有具有相转换特性；以及在第一温度下进行预定时间的第一热处理工艺，使该前驱层转换成预定晶相，该第一温度高于该转换温度区间的上限。2. 根据权利要求1的集成电路结构的制备方法，其中该基板包含含硅层。3. 根据权利要求1的集成电路结构的制备方法，其中该前驱层包含钛及硅。4. 根据权利要求1的集成电路结构的制备方法，其中该第一热处理工艺 将该前驱层转换成C54相硅化钛层。5. 根据权利要求1的集成电路结构的制备方法，其中该第一温度由高温 计予以检测，该高温度对该集成电路结构的光特性变化相当灵敏。6. 根据权利要求4的集成电路结构的制备方法，其中该转换温度区间介 于740与770°C之间。7. 根据权利要求1的集成电路结构的制备方法，另包含在第二温度进行 第二热处理工艺以便致密化介面结构，该第二温度高于该第一温度。8. 根据权利要求1的集成电路结构的制备方法，其中该前驱层包含钴及硅。9. 根据权利要求8的集成电路结构的制备方法，其中该第一热处理工艺 在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑紫纶，巫政达，庄达淯，李伟恒，
申请(专利权)人：茂德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]