温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种半导体装置的制造方法。该制造方法包括下列步骤：首先，在衬底中形成多个凸状结构，且在相邻两个凸状结构之间具有开口。接着，形成材料层，此材料层覆盖隔离结构，并填满开口，而位于开口上方的材料层中具有凹陷。之后，在材料层上形成共形的介...
该专利属于茂德科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过茂德科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。