电容介电层结构及其制造方法技术

一种电容介电层结构，至少包括：　　　　一基底，具有至少一预定电容结构；　　　　一氮化物层形成在该预定电容结构的表面；以及　　　　一氮氧化物层形成在该氮化物层的表面，其中该氮氧化物层是利用氧化亚氮（Ｎ↓［２］Ｏ）来进行湿式氧化法与高温退火处理而得。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种介电层结构及其制造方法，具体地涉及一种用于DRAM电容的介电层堆栈结构及其制造方法。
技术介绍
由于半导体产业快速发展，生产技术进入深次微米的层级，使得半导体组件日趋微小化与高密度化。因此对于发展下一代高密度动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory；DRAM)而言，必须配合高介电材料来提高单元储存电容以达到高密度化与缩小组件的目的。高介电材料的选择除了考虑其介电常数外，还需评估应用于组件后的等效厚度、漏电流、崩溃电压、热稳定性、及是否容易制备与加工等因素。许多高介电材料为金属氧化物，如二氧化钛(TiO2)与五氧化二钽(Ta2O5)等，其虽具有高介电常数，但和基底或门极电极材料间的热稳定性差，且漏电流往往太大，以致介电层厚度不能太薄，故电容增加有限。其它常用的介电材料还有如二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)及氮化硅(Si3N4)等。氮氧化硅是一种介于二氧化硅与氮化硅之间的介电材料，通常是使用二氯硅甲烷(SiH2Cl2)、硅甲烷(SiH4)、氨气(NH3)、或氧化亚氮(N2O)为前驱物来进行化学气相沉积(chemical va本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容介电层结构，至少包括一基底，具有至少一预定电容结构；一氮化物层形成在该预定电容结构的表面；以及一氮氧化物层形成在该氮化物层的表面，其中该氮氧化物层是利用氧化亚氮(N2O)来进行湿式氧化法与高温退火处理而得。2.如权利要求1所述的电容介电层结构，其中上述的预定电容结构是一沟槽式电容结构或一堆栈式电容结构。3.如权利要求1所述的电容介电层结构，其中上述的氮化物层是一氮化硅层。4.如权利要求1所述的电容介电层结构，其中上述的氮氧化物层是一氮氧化硅层。5.如权利要求1所述的电容介电层结构，其中上述的湿式氧化法是使用氧化亚氮为前驱物，在温度约为850℃-950℃的环境下进行反应。6.一种制造沟槽式电容介电层的方法，至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：巫勇贤，庄慧伶，
申请(专利权)人：茂德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：