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一种埋入式沟槽电容器的领氧化层的制造方法，包括：　　　　提供一基底，在该基底中形成有一沟槽；　　　　在该沟槽下部的表面形成一第一掩模层；　　　　进行一自匮乏原子层沉积制作工艺，以便在该第一掩模层以外的部分该沟槽表面形成一第二掩模层，该第二掩...
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