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一种闪存的制造方法，包括下列步骤：　　　　于一基底上依序形成一穿隧介电层、一导体层与一掩模层；　　　　进行一第一图案化制造工艺，定义该穿隧介电层、该掩模层与该导体层，以于该基底上形成一条状物；　　　　进行一离子植入制造工艺，于该条状物之间的...
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