氮化物只读存储器的制造方法技术

一种氮化物只读存储器的制造方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基材，所述基材表面包含有一记忆区域及一外围区域；　　　　成长一垫氧层于所述半导体基材上；　　　　于所述记忆区域内的所述垫氧层上形成具多个第一开口的第一屏蔽图案，以作为多条纵向排列的位线屏蔽；　　　　于所述半导体基材中进行一离子布植制程，植入掺杂物于未被所述位线屏蔽覆盖的记忆单元区域中以形成多条纵向且平行的埋藏式位线；　　　　去除所述位线屏蔽；以及　　　　形成一第二屏蔽图案于所述垫氧层上，其中第二屏蔽图案具多个第二开口于所述周边区域中；　　　　沿上述第二开口选择性蚀刻所述半导体基材而形成多个第一沟槽及一第二沟槽于所述周围区域；　　　　去除所述第二屏蔽图案及所述垫氧层；　　　　于所述半导体基材表面形成一ＯＮＯ介电层，以覆盖所述记忆区域及所述外围区域；　　　　沉积一复晶硅层于所述ＯＮＯ介电层上以填充所述多个第一及所述第二沟槽；　　　　选择性蚀刻所述复晶硅层以于所述记忆区域中形成多个正交于位线的复晶硅结构作为字符线，且同时于所述外围区域中移除填充于所述多个第一沟槽的复晶硅，并留下填充于第二沟槽的复晶硅；以及　　　　于所述外围区域的多个第一沟槽及所述记忆区域的字符线间形成一绝缘材。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种非挥发记忆单元的制造方法，特别是涉及一种及其与外围逻辑电路区域的整合，以简化制程并提高产品合格率。
技术介绍
在非挥发内存工业中，氮化物只读记忆单元(NROM)的发展起源于公元1996年。此新式的非挥发内存技术是采用氧化-氮化-氧化(oxide-nitride-oxide，ONO)层作为闸极介电层，由于硅晶粒的尺寸大小为成本架构中的主要要素，因此氮化物只读记忆单元技术具有经济上的竞争力。虽然，氮化物只读存储器具有双位(two bit)的多储存功能(multi-storage)，并且制程比类似产品如快闪记忆(flash ROM)体简单，同时也广受市场欢迎。但是，光是改进是不够的。因为，目前半导体工业已经朝向系统芯片(systemon chip，SOC)的趋势发展，换句话说，是将存储元件与一些电路组件，同时制作在同一芯片中，以使同一芯片上既包含内存又包含混合信号电路(mixed-signal circuits)，如在美国专利第5,908,311号中，就已提出制作混合信号电路中包含闪存的方法。但基于闪存与氮化物只读存储器在特性以及应用上的不同，如何制作出整合氮化物只读本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化物只读存储器的制造方法，包括下列步骤提供一半导体基材，所述基材表面包含有一记忆区域及一外围区域；成长一垫氧层于所述半导体基材上；于所述记忆区域内的所述垫氧层上形成具多个第一开口的第一屏蔽图案，以作为多条纵向排列的位线屏蔽；于所述半导体基材中进行一离子布植制程，植入掺杂物于未被所述位线屏蔽覆盖的记忆单元区域中以形成多条纵向且平行的埋藏式位线；去除所述位线屏蔽；以及形成一第二屏蔽图案于所述垫氧层上，其中第二屏蔽图案具多个第二开口于所述周边区域中；沿上述第二开口选择性蚀刻所述半导体基材而形成多个第一沟槽及一第二沟槽于所述周围区域；去除所述第二屏蔽图案及所述垫氧层；于所述半导体基材表面形成一ONO介电层，以覆盖所述记忆区域及所述外围区域；沉积一复晶硅层于所述ONO介电层上以填充所述多个第一及所述第二沟槽；选择性蚀刻所述复晶硅层以于所述记忆区域中形成多个正交于位线的复晶硅结构作为字符线，且同时于所述外围区域中移除填充于所述多个第一沟槽的复晶硅，并留下填充于第二沟槽的复晶硅；以及于所述外围区域的多个第一沟槽及所述记忆区域的字符线间形成一绝缘材。2.如权利要求1所述的氮化物只读存储器的制造方法，其特征在于，还包括平坦化所述绝缘材，以在所述多个第一沟槽及所述记忆区域的字符线间形成沟槽隔离区；定义所述外围区域的离子布植井区域于多个第一沟槽间；蚀刻部分所述复晶硅结构及所述ONO介电层以露出多个第一沟槽间的半导体基材；以及进行一离子布植制程，于上述露出的基材中形成离子井(well)区域。3.如权利要求1所述的氮化物只读存储器的制造方法，其特征在于，所述半导体基材为一硅基底。4.如权利要求1所述的氮化物只读存储器的制造方法，其特征在于，所述半导体基材为一硅覆绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖二琨，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：