一种超纯水中氢氧自由基清洗晶圆表面的方法，用于半导体制程中闸极氧化层或穿隧氧化层生成之前的清洗制程，该方法包括下列步骤：　　　　以第一液体去除在该晶圆表面的有机物及光阻；　　　　使用超纯水快速浸泡该晶圆；　　　　使用超纯水冲洗该晶圆；　...

一种静电放电保护装置，用于保护一集成电路，该保护装置耦接到一高电压源与一低电压源，该保护装置包括：　　　　一放电晶体管，其漏极与该高电压源耦接，其源极与该低电压源耦接；　　　　一反相器，其中该反相器的输出端该放电晶体管的栅极耦接；　　　...

一种金属氧化半导体晶体管的制造方法，此方法是提供一个基底，其中在基底上已形成有一个栅极结构，接着在栅极结构两侧的基底中形成源极／汲极区，再于栅极结构与源极／汲极区表面形成金属硅化物层，然后，在栅极结构顶部的金属硅化物层上形成一图案块，并...

一种控制基底电位的静电放电保护电路及其方法，以一基底触发控制电路控制连接在一接合垫与接地之间的静电放电保护元件的基底电位，在正常工作期间使该基底电位保持一低电位，该静电放电保护元件因而不动作，而在静电放电发生时，提升该基底电位至一高电位...

一种降低半导体组件磷硅类玻璃层表面缺陷的方法，包括利用化学气相沉积工艺于磷硅类玻璃层上形成氧化防护罩。

本发明公开了一种同时制造各种尺寸的隔离结构的方法，浅沟渠隔离结构被同时制造以使一胞区域中的一些具有第一型图案，而在一周边区域中的一些具有第二型图案。第一型图案可有圆的边缘或可有第一深度与宽度，而第二型图案可有不圆的边缘或可有不同于第一深...

一种蚀刻侧壁的方法，其特征在于包括下列步骤：　　　　提供一半导体基底，该半导体基底具有一沟槽，且该半导体基底上形成有一填充层，该填充层至少部分填入该沟槽内；　　　　反转该半导体基底；及　　　　将反转的该半导体基底浸泡入一蚀刻剂，去除位于...

一种具变换粒径的硅层的结构，其特征是，包括：　　　　一第一硅层，至少包括一第一与一第二表面，以及更包括从邻接该第一表面的一非晶硅区域转变至邻接该第二表面的一多晶硅区域的一结构；　　　　一第二层，邻接该第一硅层的该第一表面；以及　　　　一...

一种操作非挥发性存储胞的方法，其中该非挥发性存储胞包括一字元线、一第一位元线以及一第二位元线，其特征在于该方法包括以下步骤：　　　　程序化该存储胞，包括：　　　　供应一高正偏压至该第一位元线；　　　　供应一接地偏压至该第二位元线；以及　...

一种图案化金属层的方法，其特征在于其包括以下步骤：　　　　提供一基底，该基底上已形成有复数个元件结构，以及与该些元件结构所对应的复数个内连线结构；　　　　在该基底上方形成一介电层，以覆盖该些内连线结构；　　　　在该介电层上形成一金属材料...

一种氮化穿隧氧化层的形成方法，包括：　　　　于一半导体基底上形成一氧化硅层，是作为一穿隧氧化层；　　　　进行一电浆氮化制程，以于该氧化硅层中植入氮原子；以及　　　　进行一热趋入制程，以使植入的该些氮原子扩散至整个该氧化硅层。

一种半导体的清洗方法，该清洗方法系适用于一闪存之一闸间介电层形成之后，该清洗方法包括：　　　　提供一半导体晶圆；　　　　于该半导体晶圆上形成一第一氧化硅层；　　　　于该第一氧化硅层上形成一浮置闸极层；　　　　于该浮置闸极层上形成一第二氧...

一种填充间隙的方法，其特征在于其包括以下步骤：　　　　提供一基底，且该基底上已形成有复数个凸部，而且各该些凸部之间具有一间隙；　　　　在该基底上形成一第一介电层，以填入该些凸部之间的该间隙，并覆盖该些凸部，其中所形成的该第一介电层中具有...

一种浅沟渠隔离结构及其制造方法，此浅沟渠隔离结构是同时具有圆角形顶角与非圆角形预角。浅沟渠隔离结构的制造方法，包括硬罩幕上面形成一图案形光阻，以使此部分硬罩幕曝露在存储单元的一部分之上以及外围区的一部分之上，之后，删除在外围区中曝露出的...

一种氮化物只读存储器的制造方法，包括下列步骤：　　　　提供一半导体基材，所述基材表面包含有一记忆区域及一外围区域；　　　　成长一垫氧层于所述半导体基材上；　　　　于所述记忆区域内的所述垫氧层上形成具多个第一开口的第一屏蔽图案，以作为多条...

一种具有缩小间距（Ｐｉｔｃｈ）的半导体元件的形成方法，其特征在于该方法包括以下步骤：　　　　　提供一基底；　　　　在该基底上形成一材料层；　　　　在该材料层上形成一光阻层；　　　　使该光阻层的顶面暴露在一处理辐射（Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　　...

本发明是关于一种制造双位元记忆胞快闪记忆元件的方法，该方法是提供一生产Ｎ－位元记忆元件，有自行对准埋进扩散植入及两个隔离ＯＮＯ区间在一记忆胞中。本方法包括在基底上产生ＯＮＯ层、沉积多晶硅层、图案化多晶硅层、植入阻障扩散、修剪多晶硅层上的...

本发明涉及非易失性存贮器元件的增进抹除的方法，且此方法可以避免存贮器元件发生过度抹除的问题。此方法包括多数个步骤，且在进行程序化／抹除周期前，可先进行这些步骤，以对存贮器元件进行预调适。此方法包括进行一个穿隧程序的步骤，以在进行程序化／...

一种半导体节距（ｐｉｔｃｈ）的制造方法，至少包括：　　　　提供一基板；　　　　形成一闸氧化层于该基板上；　　　　形成一第一多晶硅层于该闸氧化层上；　　　　形成一图案化氮化硅层于该第一多晶硅层上，该图案化氮化硅层具有一第一节距及多个第一开...

一种三维多晶硅（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）只读存储器（ｒｅａｄ　　ｏｎｌｙ　　ｍｅｍｏｒｙ，ＲＯＭ），至少包括：　　　　一硅基板（ｓｉｌｉｃｏｎ　　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）；　　　　一绝缘氧化层（Ｓｉｌｉｃｏｎ　　ｄｉｏｘｉｄｅ，ＳｉＯ↓［２...