三维多晶硅只读存储器及其制造方法技术

一种三维多晶硅（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）只读存储器（ｒｅａｄ　　ｏｎｌｙ　　ｍｅｍｏｒｙ，ＲＯＭ），至少包括：　　　　一硅基板（ｓｉｌｉｃｏｎ　　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）；　　　　一绝缘氧化层（Ｓｉｌｉｃｏｎ　　ｄｉｏｘｉｄｅ，ＳｉＯ↓［２］），系位于该硅基板上；　　　　一Ｎ型重掺杂多晶硅层，系位于该绝缘氧化层上，且该Ｎ型重掺杂多晶硅层包括复数条相互隔开且平行的字符线（Ｗｏｒｄ　　Ｌｉｎｅ，ＷＬ）；　　　　一第一氧化层，系分别位于每该些字符线之间；　　　　一介电层，系分别位于该些字符线与该第一氧化层上；　　　　一Ｐ型轻掺杂多晶硅层，系位于该介电层上，且该Ｐ型轻掺杂多晶硅层包括复数条相互隔开且平行的位线（Ｂｉｔ　　Ｌｉｎｅ，ＢＬ），该些位线并与该些字符在线下实质上垂直交错；　　　　至少一颈状结构（ｎｅｃｋ），系分别形成于位于该些位线之下的该介电层中；以及　　　　一第二氧化层，系分别位于每该些位线之间，且该第二氧化层位于该些字符线与该些第一氧化层上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种只读存储器及其制造方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
非挥发性内存具有『记忆』的功能。即使电源关掉后，IC里储存的数据仍然能够保存。一般而言，非挥发性内存大致可分为光罩式只读存储器(MASKROM)、一次可编程只读存储器(OTP ROM)、可擦除且可编程只读存储器(EPROM)、可电擦除且可编程只读存储器(EEPROM)、闪存(Flash Memory)与多次可编程只读存储器(MTP ROM)等。在OTP内存数组中，晶体管与晶体管间的连接导线上中装有保险丝，当客户使用烧录器，将OTP不需要的保险丝烧断来存入程序时，由于保险丝的破坏是永久性的，所以只能写入一次。请参照图1，图1所示为传统的三维多晶硅只读存储器的剖面示意图。在图1中，以位线方向作一剖面，可知三维多晶硅只读存储器10为一多层的结构，至少包括硅基板(silicon substrate)110、绝缘氧化层111、N型重掺杂多晶硅层120、P型轻掺杂多晶硅层140、介电层130以及氧化层124。绝缘氧化层111，系位于硅基板110上，而N型重掺杂多晶硅层120则位于绝缘氧化层111上。N型重掺杂多晶硅层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维多晶硅(polysilicon)只读存储器(read only memory，ROM)，至少包括一硅基板(silicon substrate)；一绝缘氧化层(Silicon dioxide，SiO2)，系位于该硅基板上；一N型重掺杂多晶硅层，系位于该绝缘氧化层上，且该N型重掺杂多晶硅层包括复数条相互隔开且平行的字符线(Word Line，WL)；一第一氧化层，系分别位于每该些字符线之间；一介电层，系分别位于该些字符线与该第一氧化层上；一P型轻掺杂多晶硅层，系位于该介电层上，且该P型轻掺杂多晶硅层包括复数条相互隔开且平行的位线(Bit Line，BL)，该些位线并与该些字符在线下实质上垂直交错；至少一颈状结构(neck)，系分别形成于位于该些位线之下的该介电层中；以及一第二氧化层，系分别位于每该些位线之间，且该第二氧化层位于该些字符线与该些第一氧化层上。2.根据权利要求1所述的三维多晶硅只读存储器，其特征在于，该N型重掺杂多晶硅层系一多晶硅/含金属硅化物/多晶硅层(polysilicon/silicide/polysilicon)。3.根据权利要求1所述的三维多晶硅只读存储器，其特征在于，该P型轻掺杂多晶硅层系一多晶硅/含金属硅化物/多晶硅层(polysilicon/silicide/polysilicon)。4.根据权利要求1所述的三维多晶硅只读存储器，其特征在于，该第一氧化层以及该第二氧化层，系使用高密度电浆法，以分别沉积于每该些字符线之间以及分别沉积于每该些位线之间。5.根据权利要求1所述的三维多晶硅只读存储器，其特征在于，该第一氧化层与该第二氧化层的材料系氮化硅(Silicon nitride，Si3N4)。6.根据权利要求1所述的三维多晶硅只读存储器，其特征在于，该第一氧化层与该第二氧化层的材料系硼磷硅玻璃(Borophosphosilicate Glass，BPSG)。7.根据权利要求1所述的三维多晶硅只读存储器，其特征在于，该第一氧化层与该第二氧化层的材料系一聚合物(polymer)。8.根据权利要求1所述的三维多晶硅只读存储器，其特征在于，该第一氧化层与该第二氧化层的材料系一低介电系数的物质。9.根据权利要求1所述的三维多晶硅只读存储器，其特征在于，该介电层的材料系选自由二氧化硅(Silicon dioxide，SiO2)、氮化硅(Silicon nitride，Si3N4)、氧化铝(Aluminum oxide，Al2O3)、氧化铪(Hafnium oxide，HfO2)与氧化锆(Zirconium oxide，ZrO2)所组成的族群中。10.一种三维多晶硅只读存储器(ROM)的制造方法，至少包括提供一基板(substrate)；沉积一绝缘氧化层于该基板上；沉积一第一多晶硅层于该绝缘氧化层上，并于该第一多晶硅层中定义出复数条相互隔开且平行的字符线(Word Line，WL)；分别沉积一第一氧化层于每该些字符线之间；沉积一介电层于该些字符线及该第一氧化层上；形成一第二多晶硅层于该介电层上，并于该第二多晶硅层中定义出复数条相互隔开且平行的位线(Bit Line，BL)，该些位线并与该些字符线实质上垂直交错；使用一湿式蚀刻方式，蚀刻该介电层，使位于该些位线之下的该介电层分别形成一颈状结构(neck)；以及沉积一第二氧化层于每该些位线之间，且该第二氧化层位于该些第一多晶硅层与该些第一氧化层上。11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，该第一多晶硅层系一N型重掺杂多晶硅层，而该第二多晶硅层系一P型轻掺杂多晶硅层。12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，该N型重掺杂多晶硅层系一多晶硅/含金属硅化物/多晶硅层。13.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，该P型轻掺杂多晶硅层系一多晶硅/含金属硅化物/多晶硅层。14.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，沉积该第一氧化层于每该些字符线之间的步骤，以及沉积该第二氧化层于每该些位线之间的步骤，系使用高密度电浆法。15.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，该第一氧化层与该第二氧化层的材料系氮化硅。16.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，该第一氧化层与该第二氧化层的材料系硼磷硅玻璃。17.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，该第一氧化层与该第二氧化层的材料系一聚合物。18...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐子轩，李明修，龙翔澜，吴昭谊，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：