氮化穿隧氧化层的形成方法技术

一种氮化穿隧氧化层的形成方法，包括：　　　　于一半导体基底上形成一氧化硅层，是作为一穿隧氧化层；　　　　进行一电浆氮化制程，以于该氧化硅层中植入氮原子；以及　　　　进行一热趋入制程，以使植入的该些氮原子扩散至整个该氧化硅层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体制程，且特别是有关于一种非挥发性内存(non-volatile memory)的。
技术介绍
随着单位内存容量的价格不断降低，使用可电除可程序化只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory，简称EEPROM)作为非挥发性储存组件的应用也愈来愈多。可电除可程序化只读记忆胞中的一个必要部分是为穿隧氧化层，其厚度必须足够薄，以使载子(Carrier)能在高电场下穿隧通过。穿隧氧化层的品质及稳定性也是很重要的课题，因其与可电除可程序化只读存储器组件的电荷保持能力(Charge Retention Capability)或其它重要的特性有关。现有已有多种改善穿隧氧化层的品质与稳定性的方法，其大部分是于氧化硅中掺入氮而达成。例如，美国专利案第5,885,870号与第6,380,033号即揭示一种，其是进行一氧化氮或是一氧化二氮回火(NO orN2O-Annealing)以氮化穿隧氧化层。藉由此一氧化氮或是一氧化二氮回火处理，即可以减少由负向Fowler-Nordheim应力所引起的漏电流(Nega本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化穿隧氧化层的形成方法，包括于一半导体基底上形成一氧化硅层，是作为一穿隧氧化层；进行一电浆氮化制程，以于该氧化硅层中植入氮原子；以及进行一热趋入制程，以使植入的该些氮原子扩散至整个该氧化硅层。2.如权利要求1所述的氮化穿隧氧化层的形成方法，其中形成该氧化硅层的方法包括一原位蒸汽生成(In-Situ SteamGeneration，ISSG)制程。3.如权利要求1所述的氮化穿隧氧化层的形成方法，其中该电浆氮化制程是利用氮气电浆来进行。4.如权利要求1所述的氮化穿隧氧化层的形成方...

【专利技术属性】
技术研发人员：王嗣裕，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：