具变换粒径的硅结构的半导体组件及其形成方法技术

一种具变换粒径的硅层的结构，其特征是，包括：　　　　一第一硅层，至少包括一第一与一第二表面，以及更包括从邻接该第一表面的一非晶硅区域转变至邻接该第二表面的一多晶硅区域的一结构；　　　　一第二层，邻接该第一硅层的该第一表面；以及　　　　一第三层，邻接该第一硅层的该第二表面，其中　　　　该第二层与该第三层中至少有一个包括一介电层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体元件制造的领域，以及经由化学气相沉积、掺杂植入、图案的图案化与蚀刻以及其它制造技术的使用的硅微结构的元件中的形成。再者，多晶硅是一种广泛应用于为电子元件的材质，而本专利技术则是有关某种需要使用多晶硅的制造方法及元件结构。更特别地是在某种存储元件中，可使用多晶硅作为晶体管的浮置栅极以形成一储存阵列。在这种型态的存储元件的应用中，晶体管浮置栅极被用来依照写入的数据储存与保留数个电荷。而后续可在一元件上施行读取操作，以于所需时撷取储存的数据。
技术介绍
在半导体元件的制造中，硅的结构可根据其结晶特性而有不同的种类。举例来说，晶圆制造的铸锭的种类中，较佳的硅结构主要是单晶，因为这种结构具有最少的结晶晶格缺陷，而为半导体元件制造所需的结构。另一方面，硅也可制造成多晶或非晶硅的种类，具有包括变化的方向与大小的大量晶粒的晶格。而且，在硅的制造中控制的温度、压力、掺质的有无以及其它因素可用来决定最终硅结构的晶质(crystalline)与其它特性。包含多晶硅的多层元件(multi-layer assembly)可用于半导体元件的制造中。多层元件的某种类型是通过一或多层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄致远，陈咏生，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：