动态随机存取存储器制造方法及结构技术

一种动态随机存取存储器制造方法，包括：　　　　在一基底上形成多个沟渠；　　　　在每一沟渠中形成一电容器；　　　　在所述基底上定义出多个有源区；　　　　在所述基底上形成多条字线；　　　　在每一有源区中形成二源／漏极区；以及　　　　在所述基底上形成多条位线；其中，　　　　在任一有源区的一第一侧边形成一第一沟渠，其中的电容器与该有源区耦接，且在相邻有源区的一第二侧边形成一第二沟渠，而该有源区与所述第二沟渠为一字线所经过，且该有源区中被所述字线覆盖的区域作为一通道区；　　　　使一有源区中的二源／漏极区分别与一电容器及一位线电性连接；并且　　　　在形成所述沟渠之后及定义所述有源区之前，还包括进行朝字线方向倾斜的离子注入步骤，以在所述基底中“即将形成所述有源区的所述通道区”的区域边缘形成一掺杂区，该掺杂区的掺杂型态与所述基底相同。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造方法，尤其涉及一种动态随机存取存储器的制造方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)是一种挥发性存储器，其是用来储存电脑中需频繁存取的资料。典型的DRAM单元(cell)是由MOS晶体管与电容器构成，其中晶体管的二源/漏极分别与电容器及位线电性连接。现行DRAM所用的电容器主要有两种类型，其一为位置高于晶体管的堆叠式电容器(stacked capacitor)，其二则为位置低于晶体管的沟渠式电容器(trenchcapacitor)。在采用沟渠式电容器的DRAM中，为降低晶体管的亚阈值电流(sub-threshold current)以增加储存电极的资料保存能力，常常会提高起始电压调整离子注入(VTimplantation)和/或口袋离子注入(pocket implantation)的剂量，其中口袋离子注入是用以在与位线电性连接的源/漏极旁形成口袋掺杂区。然而，此种作法将增大PN接面的电场梯度，致使接面漏电流增加，所以总漏电量还是无法有效降低。
技术实现思路
本专利技术为解决现有技术存在的上述问题，提出一种DRAM制造方法，该方法是在通道区中邻接隔离区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李岳川，陈赐龙，
申请(专利权)人：茂德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：